знания

Silicon Carbide (SiC) has emerged as an essential technological material. It’s utilized for use in abrasives, technical ceramics and refractories – as well as semiconductor manufacturing. Produced by heating silica sand mixed with carbon in the form of petroleum coke at high temperatures in huge open “Acheson” furnaces, SiC is then produced in both Green […]

Карбид кремния - это абразивный материал, который обычно используется в шлифовальных кругах, шлифовальных лентах и абразивных материалах. Являясь неорганическим химическим соединением, он конкурирует по твердости с алмазом и карбидом бора. Черный карбид кремния (карборунд) - один из наиболее часто используемых абразивных материалов, отличающийся твердыми и угловатыми зернами, которые обеспечивают эффективную обработку

Карбид кремния (SiC) обладает необычной кристаллической структурой. Он содержит четыре атома Si и четыре атома C в упорядоченном координационном тетраэдрическом расположении со слоями, сложенными в политипы, образующие первичный координационный тетраэдр. С электрической точки зрения карбид кремния способен выдерживать напряжение в пять-десять раз выше, чем кремний. Это делает его отличным материалом для изготовления силовых

Технологические достижения случаются с полупроводниковыми компаниями раз в поколение, и те, кто их принимает, получают огромные прибыли. Компания Cree, ныне Wolfspeed, извлекает выгоду из тенденции перехода на силовые устройства из карбида кремния. Инновации в разработке и производстве устройств позволяют им выпускать более компактные чипы с одинаковой мощностью на каждой пластине - таким образом, расширяя

Окамото и др. измерили проводимость карбида кремния при различных температурах и обнаружили, что небольшое количество добавки Si не увеличивает проводимость на два-три порядка, но превышение концентрации 5 моль% приводит к росту проводимости на три порядка. Карбид кремния - полупроводниковый материал, способный

Аморфный карбид кремния (a-SiC) привлек к себе огромное внимание благодаря своим переменным оптическим и электронным свойствам. Поскольку он отличается жесткостью, низкими показателями теплового расширения и прозрачностью в видимом свете, он является привлекательным материалом для зеркал телескопов. Материаловедение переживает революцию с появлением этого нового материала - a-SiC. Его свойства сочетают в себе прочность и

4H-SiC - это все более популярный политип карбида кремния. Благодаря широкой полосе пропускания и отличным тепловым, электрическим и механическим свойствам он является идеальным материалом для силовой электроники. Мы исследовали упругую деформацию и растрескивание монокристаллического образца столба 4H-SiC с ориентацией [0001], выполнив четырехкратную деформацию сжатия с нагрузкой и разгрузкой.

Вискеры карбида кремния, монокристаллические частицы микронного размера с выдающимися физическими и химическими свойствами, вызывают большой интерес исследователей благодаря широкому применению во многих областях, включая высокотемпературные конструкционные материалы и инструментальную керамику. Муллитовая керамика - это высокохимически стабильный огнеупорный материал с превосходными механическими и физическими свойствами, такими как высокая твердость и температурная ползучесть.

Технология инверторов на основе карбида кремния - это захватывающее достижение в области силовых полупроводников. Она обладает рядом преимуществ по сравнению с традиционными кремниевыми устройствами, включая снижение потерь мощности до десяти раз и улучшенные тепловые характеристики. Компания McLaren Applied использует высоковольтный полупроводниковый полевой транзистор CoolSiC на основе оксида металла (MOSFET), разработанный специально для работы с высоковольтными 800-вольтовыми системами, используемыми в электрических сетях.

Silicon carbide, more commonly referred to as carborundum, is an extremely hard synthetic crystalline compound made up of silicon and carbon characterized by high thermal conductivity, low coefficient of expansion, resistance to chemical reaction and semiconducting capabilities. Moissanite, its natural counterpart, occurs as a mineral but can only be found in very limited amounts in