Wissen

Silicon Carbide (SiC) is an inorganic semiconductor material with an extremely wide bandgap that can alternately act as either an electrical conductor or insulator, making it useful in power electronics due to its superior electrical conductivity over traditional silicon semiconductors. EAG Laboratories has extensive expertise in performing bulk and spatially resolved analytic techniques on SiC […]

Silicon Carbide (SiC) has emerged as an essential technological material. It’s utilized for use in abrasives, technical ceramics and refractories – as well as semiconductor manufacturing. Produced by heating silica sand mixed with carbon in the form of petroleum coke at high temperatures in huge open “Acheson” furnaces, SiC is then produced in both Green

Silicon carbide is an abrasive material commonly found in grinding wheels, sanding belts and blast media. As an inorganic chemical compound it competes with diamond and boron carbide in terms of hardness. Black silicon carbide (Carborundum) is one of the most commonly used abrasives, featuring hard and angular grains that make for effective processing of

Siliciumcarbid (SiC) weist eine ungewöhnliche Kristallstruktur auf. Es enthält vier Si- und vier C-Atome in einer geordneten tetraedrischen Koordinationsanordnung mit Schichten, die zu Polytypen gestapelt sind und das primäre Koordinationstetraeder bilden. Elektrisch gesehen kann Siliziumkarbid Spannungen widerstehen, die fünf- bis zehnmal höher sind als die von Silizium. Dies macht es zu einem ausgezeichneten Material für die Stromerzeugung

Technologische Fortschritte sind für Halbleiterunternehmen einmalige Ereignisse, und diejenigen, die sie annehmen, können enorme Gewinne erzielen. Cree, jetzt Wolfspeed, wird vom Trend zu Siliziumkarbid-Leistungsbauelementen profitieren. Ihre Innovationen in der Konstruktion und Produktion von Bauelementen ermöglichen es ihnen, kleinere Chips mit gleicher Leistung auf jedem Wafer herzustellen - und damit die

Okamoto et al. maßen die Leitfähigkeit von Siliziumkarbid bei verschiedenen Temperaturen und stellten fest, dass geringe Mengen an Si-Zusatz die Leitfähigkeit nicht um zwei bis drei Größenordnungen erhöhten, aber bei mehr als 5 mol% stieg die Leitfähigkeit um bis zu drei Größenordnungen an. Siliciumcarbid ist ein Halbleitermaterial, das in der Lage ist

Amorphes Siliziumkarbid (a-SiC) hat aufgrund seiner variablen optischen und elektronischen Eigenschaften große Aufmerksamkeit erregt. Da es sich durch Steifigkeit, geringe Wärmeausdehnung und Transparenz für sichtbares Licht auszeichnet, ist es ein attraktives Material für Teleskopspiegel. Die Materialwissenschaft erlebt mit der Einführung dieses neuen Materials eine Revolution: a-SiC. Mit Eigenschaften, die Festigkeit mit

4H-SiC ist ein zunehmend beliebter Polytyp von Siliziumkarbid. Aufgrund seiner großen Bandlücke und seiner hervorragenden thermischen, elektrischen und mechanischen Eigenschaften ist es ein ideales Material für Anwendungen in der Leistungselektronik. Wir untersuchten die elastische Verformung und das Rissverhalten einer einkristallinen 4H-SiC-Säulenprobe mit [0001]-Orientierung durch viermalige Be- und Entlastung unter Druckbelastung

Siliciumcarbid-Whisker, einkristalline Partikel im Mikrometerbereich mit herausragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften, haben aufgrund ihrer vielfältigen Anwendungen in vielen Bereichen, darunter Hochtemperatur-Strukturwerkstoffe und Werkzeugkeramik, großes Forschungsinteresse geweckt. Mullit-Keramik ist ein chemisch sehr stabiles feuerfestes Material mit hervorragenden mechanischen und physikalischen Eigenschaften wie hoher Härte und Temperaturkriechen.

Die Siliziumkarbid-Invertertechnologie ist eine interessante Weiterentwicklung der Leistungshalbleiter. Sie bietet mehrere Vorteile gegenüber herkömmlichen Silizium-Bauelementen, darunter bis zu zehnmal geringere Leistungsverluste und eine verbesserte thermische Leistung. McLaren Applied setzt einen Hochspannungs-CoolSiC-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) ein, der speziell für Hochspannungssysteme mit 800 Volt ausgelegt ist, wie sie in elektrischen