Moissanite – A Gemstone Substitute

Moissanite, an naturally-occurring form of silicon carbide (SiC), can be found as inclusions in meteorites, corundum deposits and rare kimberlites. Moissanite can also be created artificially using traditional sintering and hot pressing techniques in a laboratory environment. Moissanite gemstones used in jewelry are generally manufactured synthetically in laboratories. Here is how this remarkable gemstone comes […]

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How to Assess Silicon Carbide Conductivity Electrically

Silicon carbide is an extremely hard material that lies somewhere between alumina and diamond on the Mohs scale, offering exceptional strength, corrosion resistance, durability, strength, high melting point and other engineering advantages that make it perfect for challenging engineering applications. Impurities called doping agents can also impart semi-conducting properties. Nitrogen and phosphorus doping creates an

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Siliziumkarbid-Zünder

Most hot surface igniters found on furnaces today are made from silicon carbide and run at 120 volts, but are prone to breaking if exposed to voltages outside their ideal range or handled roughly. Silicon nitride igniters are significantly tougher and longer-lasting than their silicon carbide predecessors, making them an attractive upsell option for customers

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Siliziumkarbid und seine große Bandlücke

Silicon carbide is an extremely reliable wide band-gap semiconductor material. This allows devices made of it to operate at higher voltages, frequencies, and temperatures than conventional silicon devices. Monolayer SiC could be the catalyst to revolutionary advances in high-temperature electronics and power devices. It offers unmatched optical, mechanical, chemical and magnetic properties for unrivaled functionality

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Amorphes Siliziumkarbid

Amorphes Siliziumkarbid (a-SiC) verfügt über beeindruckende mechanische Eigenschaften und eine hohe Festigkeit, die verschiedene Branchen revolutionieren könnten. Seine Streckgrenze übertrifft die von bekannten Materialien wie Kevlar, wodurch es sich für Anwendungen wie Mikrochip-Sensoren und fortschrittliche Solarzellen eignet. a-SiC hebt sich von seinen Konkurrenten durch seine überragende Zugfestigkeit und Vielseitigkeit ab, denn es kann hergestellt werden

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Coherent sichert sich $1-Milliarden-Investition in Siliziumkarbid-Leistungssubstrate für Elektroautos

Coherent aus Saxonburg, PA, gab am 8. April bekannt, dass die japanischen Automobilzulieferer DENSO und Mitsubishi Electric $1 Milliarde in ihr Siliziumkarbid-Geschäft investiert haben. Sie halten einen nicht beherrschenden Anteil von 12,5% an einer neu gegründeten Tochtergesellschaft, die das Geschäft unter der Leitung von Sohail Khan, Executive VP of New Ventures and Wide Bandgap Electronics Technology bei Coherent, betreiben wird.

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Siliziumkarbid-Rohre

Siliziumkarbid (SiC) ist ein erstaunliches Material mit bemerkenswerter Festigkeit und Widerstandsfähigkeit. Es ist in der Lage, hohen Temperaturen, aggressiven Chemikalien und Korrosion standzuhalten - diese Eigenschaften machen SiC zu einem unvergleichlichen Material. Bei der Auswahl eines Siliziumkarbidrohrs für Ihr Projekt müssen verschiedene Faktoren wie Temperatur, Druck, korrosionsgefährdete Umgebung und Größe/Form berücksichtigt werden.

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Siliziumkarbid-Transistor

Leistungsbauteile aus Siliziumkarbid spielen aufgrund ihrer hervorragenden Materialeigenschaften eine wesentliche Rolle bei der Verbesserung der Energieeffizienz von Elektrofahrzeugen. In seiner reinen Form verhält sich Siliziumkarbid wie ein Isolator; wird es jedoch mit Verunreinigungen (Dotierstoffen) dotiert, kann es sich in einen elektronischen Halbleiter verwandeln. Zu den Dotierstoffen für diesen Zweck gehören Stickstoff- oder Phosphordotierung für n-Typ

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Ist Siliziumkarbid ein keramisches Material?

Keramikprodukte aus Siliziumkarbid (SiC) sind für ihre Korrosions-, Abrieb- und Hochtemperaturbeständigkeit bekannt - Eigenschaften, die sie auch zu einem dauerhaften feuerfesten Material für Brennerdüsen, Strahl- und Flammrohre machen. SiC ist ein idealer Werkstoff, der seine Festigkeit auch bei Temperaturen von bis zu 1600 Grad Celsius beibehält und gleichzeitig eine hohe Wärmeleitfähigkeit, niedrige thermische

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Vereinigte Siliziumkarbid Inc.

United Silicon Carbide Inc, ist ein Hersteller von Halbleitern. Das Unternehmen stellt Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) wie FETs, JFETs und Schottky-Dioden für Kunden in New Jersey her. United Silicon Carbide beliefert auch Kunden auf der ganzen Welt über seine globalen Niederlassungen. Das Wachstum des Siliziumkarbidmarktes wird wahrscheinlich durch die steigende Nachfrage nach Hochleistungs-Leistungshalbleitern vorangetrieben.

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