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Silicon carbide, more commonly referred to as carborundum, is an extremely hard synthetic crystalline compound made up of silicon and carbon characterized by high thermal conductivity, low coefficient of expansion, resistance to chemical reaction and semiconducting capabilities. Moissanite, its natural counterpart, occurs as a mineral but can only be found in very limited amounts in […]

Siliziumkarbid (SiC) kann den hohen Spannungsanforderungen von Stromversorgungssystemen für Elektrofahrzeuge standhalten. Wolfspeed bietet Isolationslösungen an, die speziell zur Unterstützung von SiC-Designs für Traktionskontrollwechselrichter entwickelt wurden. Wachstum des Siliziumkarbidmarktes Das Wachstum der Automobilindustrie treibt das Marktwachstum von Siliziumkarbid an, während seine hohe Temperaturbeständigkeit die Nachfrage aus dem Feuerfestbereich antreibt. Automobilindustrie

Siliziumkarbid ist ein unglaubliches Material mit außergewöhnlicher Härte und Haltbarkeit, das jeden Handwerkswerkzeugsatz revolutioniert. Handwerker können es nutzen, um Oberflächen mit Präzision und Leichtigkeit zu formen, zu glätten und zu ebnen - und so ihren Endbearbeitungsprozess zu verbessern und Handwerkern Zugang zu Präzisionsendbearbeitungsmöglichkeiten zu verschaffen. Ganz gleich, welches Material geschliffen wird - empfindliche Furniere oder dichte

Siliziumkarbid wird in elektronischen Geräten verwendet, die Signale innerhalb eines elektrischen Schaltkreises verstärken, schalten oder umwandeln. Aufgrund seines geringeren Spannungswiderstands und seiner Temperaturbeständigkeit können diese Geräte bei höheren Frequenzen mit weniger Leistungsverlusten arbeiten. SiC wird in einem Elektroofen nach dem Acheson-Verfahren und durch Erhitzen von Quarzsand hergestellt

Silicon Carbide MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) are essential elements in power electronic applications, offering wide bandgap, high breakdown voltage and current density characteristics. These power supplies are particularly suited for hard-switching topologies like LLC and ZVS, providing higher system efficiency with smaller components for more compact designs at reduced system costs and an energy efficient

Silicon carbide (SiC) is an ultrahard synthetic material first synthesized in 1891 by Edward Acheson in a furnace heated with carbon and alumina. Since its release into industry as an industrial abrasive in the 1920s, SiC has quickly become one of the most sought-after materials on a large scale. SiC comes in various crystal structures

Siliziumkarbid-Wafer werden als Substrate in leistungselektronischen Bauelementen wie Dioden und MOSFETs verwendet und zeichnen sich durch hervorragende Härte, Stabilität bei Hitze- und Spannungsbelastung sowie Nichtreaktivität hinsichtlich der Oxidationsbeständigkeit aus. Erhältlich in den Durchmessern 100 mm und 150 mm. Diese Substrate bieten zudem Schutz vor Thermoschock durch plötzliche Temperaturänderungen, da sie eine geringe

Reaktionsgebundenes Siliziumkarbid ist ein extrem widerstandsfähiger Keramikwerkstoff, der sich durch außergewöhnliche Schlag- und Verschleißfestigkeit, Temperaturwechselbeständigkeit sowie Beständigkeit gegen chemische Einwirkungen auszeichnet. Mischungen aus porösem SiC und Kohlenstoffpartikeln werden durch die Infiltration mit flüssigem oder gasförmigem Silizium aufgrund einer chemischen Reaktion zwischen Silizium und Kohlenstoff selbstbindend. Silizium reagiert mit Kohlenstoff und bildet dabei zusätzliches Siliziumkarbid.

Siliziumkarbid ist eines der härtesten und widerstandsfähigsten Hochleistungskeramikmaterialien. Es behält seine Festigkeit auch bei hohen Temperaturen bei und ist zudem beständig gegen Säuren, Laugen und geschmolzene Salze. CVD-SiC, das durch chemische Gasphasenabscheidung hergestellt wird, ist eine äußerst reine Form mit einer höheren Wärmeleitfähigkeit als gesintertes oder reaktionsgebundenes SiC. Es ist ein

Siliziumkarbid ist eine Hochleistungskeramik mit außergewöhnlicher Härte, Verschleißfestigkeit und Wärmeleitfähigkeit. Aufgrund seiner komplexen Geometrie ist die präzise Bearbeitung jedoch äußerst anspruchsvoll; für maximale Genauigkeit müssen bei der Bearbeitung Diamantwerkzeuge eingesetzt werden. Saint-Gobain nutzt verschiedene Fertigungsverfahren, um Sinterprodukte aus Siliziumkarbid höchster Qualität herzustellen. Wir setzen Reaktionssintern und druckloses