BİLGİ

Silicon Carbide (SiC) can withstand the high voltage demands of electric vehicle power systems. Wolfspeed offers isolation solutions designed specifically to support SiC designs for traction control inverters. Silicon Carbide Market Growth Automotive industry growth is driving market growth of silicon carbide while its high temperature resistance drive the demand from the refractory sector. Automotive […]

Silikon karbür, olağanüstü sertlik ve dayanıklılığa sahip, her türlü el sanatları alet setinde devrim yaratan muhteşem bir malzemedir. Zanaatkarlar bu malzemeyi, yüzeyleri hassasiyetle ve kolaylıkla şekillendirmek, pürüzsüzleştirmek ve düzleştirmek için kullanabilirler; bu da son işlem süreçlerini bir üst seviyeye taşır ve zanaatkarların hassas son işlem imkânlarından yararlanmalarını sağlar. Zımparalanan malzeme ne olursa olsun – hassas kaplamalar ya da yoğun

Silikon karbür, elektrik devresindeki sinyalleri yükselten, anahtarlayan veya dönüştüren elektronik cihazlarda kullanılır. Düşük gerilim direnci ve sıcaklık dayanımı sayesinde, bu cihazlar daha az güç kaybıyla daha yüksek frekanslarda çalışabilmektedir. SiC, Acheson yöntemi kullanılarak bir elektrikli fırında ve silis kumunun ısıtılması yoluyla üretilir.

Silikon Karbür MOSFET’ler (Metal-Oksit-Yarıiletken Alan Etkili Transistörler), geniş bant aralığı, yüksek kırılma gerilimi ve akım yoğunluğu özellikleri sunarak güç elektroniği uygulamalarında vazgeçilmez bileşenlerdir. Bu güç kaynakları, özellikle LLC ve ZVS gibi sert anahtarlama topolojileri için uygundur; daha küçük bileşenlerle daha yüksek sistem verimliliği sağlayarak, daha kompakt tasarımlar, daha düşük sistem maliyetleri ve enerji verimliliği sunar.

Silicon carbide (SiC) is an ultrahard synthetic material first synthesized in 1891 by Edward Acheson in a furnace heated with carbon and alumina. Since its release into industry as an industrial abrasive in the 1920s, SiC has quickly become one of the most sought-after materials on a large scale. SiC comes in various crystal structures

Silicon carbide wafers are used as substrates in power electronic devices such as diodes and MOSFETs, offering superior hardness, stability under heat and voltage and non-reactivity with respect to oxidation resistance. Available in 100mm and 150mm diameter sizes. These substrates also provide protection from thermal shock caused by sudden changes in temperature, with their low

Reaction-bonded silicon carbide is an ultra-resilient ceramic material that offers exceptional strength against impact and wear, thermal shock resistance, and chemical attack. Formulations of porous SiC and carbon particles, when infiltrated with liquid or gaseous silicon, become self-bonding due to chemical reaction between silicon and carbon. Silicon reacts with carbon to form additional silicon carbide

Silicon Carbide is one of the hardest and most durable advanced ceramic materials. It can maintain its strength at high temperatures while offering resistance against acids, alkalis and molten salts. CVD SiC, produced through chemical vapor deposition, is an extremely pure form with superior thermal conductivity than sintered or reaction bonded SiC. It is a

Silisyum karbür olağanüstü sertlik, aşınma direnci ve termal iletkenlik özelliklerine sahip yüksek performanslı bir seramiktir. Bununla birlikte, karmaşık geometrisi hassas işlemeyi son derece zorlaştırır; onunla çalışırken maksimum doğruluk için elmas takımlar kullanılmalıdır. Saint-Gobain, en yüksek kalitede sinterlenmiş silisyum karbür ürünleri üretmek için birden fazla üretim yolu kullanmaktadır. Reaksiyon sinterleme ve basınçsız sinterleme kullanıyoruz.

Silisyum karbür potalar, bakır, gümüş, altın ve kurşun-çinko gibi demir dışı metallerin öğütülmüş fırınlarda veya elektrikli fırınlarda eritilmesi için tasarlanmıştır. Özellikleri arasında yüksek oksidasyon direnci, daha az kirlilik ve mükemmel termal iletkenlik bulunmaktadır. Potalar genellikle aşırı ısınma nedeniyle hasar görür; alt kenardan yukarıya doğru uzanan uzunlamasına çatlaklar bu senaryoda ortaya çıkabilir, ancak