BİLGİ

Silicon Carbide (SiC) has emerged as an essential technological material. It’s utilized for use in abrasives, technical ceramics and refractories – as well as semiconductor manufacturing. Produced by heating silica sand mixed with carbon in the form of petroleum coke at high temperatures in huge open “Acheson” furnaces, SiC is then produced in both Green […]

Silisyum karbür, genellikle taşlama taşlarında, zımpara bantlarında ve püskürtme ortamlarında bulunan bir aşındırıcı malzemedir. İnorganik bir kimyasal bileşik olarak sertlik açısından elmas ve bor karbür ile rekabet eder. Siyah silisyum karbür (Carborundum) en yaygın kullanılan aşındırıcılardan biridir ve sert ve köşeli taneciklere sahiptir.

Silisyum karbür (SiC) alışılmadık bir kristal yapıya sahiptir. Birincil koordinasyon tetrahedronunu oluşturan çoklu tipler halinde istiflenmiş katmanlarla düzenli bir koordinasyon tetrahedral düzenlemesinde dört Si ve dört C atomu içerir. Elektriksel olarak silisyum karbür, silisyumdan beş-on kat daha yüksek gerilimlere dayanma kabiliyetine sahiptir. Bu, onu güç için mükemmel bir malzeme seçimi yapar

Teknoloji alanındaki gelişmeler yarı iletken şirketleri için nesilde bir kez gerçekleşen olaylardır ve bu gelişmeleri kabul edenler muazzam kârlar elde etme şansına sahiptir. Cree, şimdi Wolfspeed, silisyum karbür güç cihazlarına yönelik eğilimden faydalanmaya devam ediyor. Cihaz tasarımı ve üretimindeki yenilikleri, her bir yonga plakasında eşit güç değerlerine sahip daha küçük yongalar üretmelerine olanak tanıyor - böylece

Okamoto ve arkadaşları çeşitli sıcaklıklarda silisyum karbürün iletkenliğini ölçmüş ve küçük miktarlardaki Si katkısının iletkenliği iki ila üç büyüklük mertebesinde artırmadığını, ancak 5 mol%'yi aşmanın iletkenlik seviyelerinin üç büyüklük mertebesine kadar yükselmesine neden olduğunu bulmuştur. Silisyum karbür yarı iletken bir malzemedir ve

Amorf silisyum karbür (a-SiC), değişken optik ve elektronik özellikleri nedeniyle büyük ilgi görmüştür. Sertlik, düşük termal genleşme oranları ve görünür ışık şeffaflığı özellikleriyle teleskop aynaları için cazip bir malzemedir. Malzeme bilimi, bu yeni malzeme olan a-SiC'in piyasaya sürülmesiyle bir devrim yaşıyor. Dayanıklılık ile mukavemeti birleştiren özellikleri ile

4H-SiC, giderek daha popüler hale gelen bir silisyum karbür poli tipidir. Geniş bant aralığı ve mükemmel termal, elektriksel ve mekanik özellikleri nedeniyle güç elektroniği uygulamaları için ideal bir malzemedir. Bu çalışmada, [0001] yönelimli tek kristal 4H-SiC sütun numunesinin elastik deformasyon ve çatlama davranışını, dört kez yükleme-boşaltma sıkıştırma gerinimi gerçekleştirerek araştırdık.

Olağanüstü fiziksel ve kimyasal özelliklere sahip tek kristalli mikron boyutlu parçacıklar olan silisyum karbür bıyıklar, yüksek sıcaklıkta yapısal malzemeler ve alet seramikleri dahil olmak üzere birçok alanda geniş kapsamlı uygulamaları nedeniyle önemli bir araştırma ilgisi toplamıştır. Mullit seramik, yüksek sertlik ve sıcaklıkta sünme gibi üstün mekanik ve fiziksel özelliklere sahip, kimyasal olarak oldukça kararlı bir refrakter malzemedir.

Silikon karbür invertör teknolojisi, güç yarı iletkenleri alanında heyecan verici bir gelişmedir. Bu teknoloji, geleneksel silikon cihazlara kıyasla on kata kadar daha düşük güç kayıpları ve gelişmiş termal performans gibi birçok avantaj sunmaktadır. McLaren Applied, elektrikli araçlarda bulunan 800 voltluk yüksek gerilim sistemlerini çalıştırmak üzere özel olarak tasarlanmış bir yüksek gerilim CoolSiC metal oksit yarı iletken alan etkili transistör (MOSFET) kullanmaktadır.

Genellikle karborundum olarak bilinen silikon karbür, silikon ve karbondan oluşan, yüksek ısı iletkenliği, düşük genleşme katsayısı, kimyasal reaksiyonlara karşı direnç ve yarı iletken özellikleriyle karakterize edilen son derece sert bir sentetik kristal bileşiktir. Doğal karşılığı olan moissanit, bir mineral olarak bulunur ancak yalnızca çok sınırlı miktarlarda