conoscenza

Silicon Carbide (SiC) is an inorganic semiconductor material with an extremely wide bandgap that can alternately act as either an electrical conductor or insulator, making it useful in power electronics due to its superior electrical conductivity over traditional silicon semiconductors. EAG Laboratories has extensive expertise in performing bulk and spatially resolved analytic techniques on SiC […]

Il carburo di silicio (SiC) è diventato un materiale tecnologico essenziale. Viene utilizzato per abrasivi, ceramiche tecniche e refrattari, oltre che per la produzione di semiconduttori. Prodotto riscaldando sabbia di silice mescolata con carbonio sotto forma di coke di petrolio ad alte temperature in enormi forni aperti "Acheson", il SiC viene poi prodotto sia in verde che in nero.

Il carburo di silicio è un materiale abrasivo comunemente utilizzato nelle mole, nei nastri abrasivi e nei mezzi di sabbiatura. Come composto chimico inorganico, compete con il diamante e il carburo di boro in termini di durezza. Il carburo di silicio nero (Carborundum) è uno degli abrasivi più comunemente utilizzati, caratterizzato da grani duri e angolari che consentono una lavorazione efficace di

Il carburo di silicio (SiC) possiede una struttura cristallina insolita. Contiene quattro atomi di Si e quattro di C in una disposizione tetraedrica di coordinazione ordinata, con strati impilati in politipi che formano il tetraedro di coordinazione primario. Dal punto di vista elettrico, il carburo di silicio è in grado di sopportare tensioni cinque-dieci volte superiori a quelle del silicio. Questo lo rende un materiale eccellente per la produzione di energia

I progressi tecnologici sono eventi che si verificano una volta ogni generazione per le aziende di semiconduttori, e chi li accetta può raccogliere enormi profitti. Cree, ora Wolfspeed, beneficia della tendenza verso i dispositivi di potenza al carburo di silicio. Le loro innovazioni nella progettazione e nella produzione dei dispositivi consentono di produrre chip più piccoli con potenze uguali su ogni wafer, espandendo così la produzione di dispositivi di potenza.

Okamoto et al. hanno misurato la conduttività del carburo di silicio a varie temperature e hanno scoperto che piccole quantità di additivo Si non aumentano la conduttività di due o tre ordini di grandezza, ma superando 5 mol% i livelli di conduttività salgono fino a tre ordini di grandezza. Il carburo di silicio è un materiale semiconduttore, capace di

Il carburo di silicio amorfo (a-SiC) ha guadagnato un'immensa attenzione grazie alle sue variabili proprietà ottiche ed elettroniche. Grazie alle sue caratteristiche di rigidità, bassi tassi di espansione termica e trasparenza alla luce visibile, è un materiale interessante per gli specchi dei telescopi. La scienza dei materiali sta vivendo una rivoluzione con l'introduzione di questo nuovo materiale: l'a-SiC. Con proprietà che combinano resistenza e

Il 4H-SiC è un politipo di carburo di silicio sempre più diffuso. Grazie al suo ampio bandgap e alle eccellenti proprietà termiche, elettriche e meccaniche, è un materiale ideale per le applicazioni dell'elettronica di potenza. Abbiamo studiato la deformazione elastica e il comportamento di rottura di un campione monocristallino di 4H-SiC con orientamento [0001] eseguendo quattro volte la deformazione di compressione carico-scarico.

I whisker di carburo di silicio, particelle monocristalline di dimensioni micrometriche con eccezionali proprietà fisiche e chimiche, hanno suscitato un notevole interesse nella ricerca grazie alle loro ampie applicazioni in molti campi, tra cui i materiali strutturali per alte temperature e le ceramiche per utensili. La ceramica mullite è un materiale refrattario altamente stabile dal punto di vista chimico, con proprietà meccaniche e fisiche superiori, come l'elevata durezza e il creep termico.

La tecnologia degli inverter al carburo di silicio è un'entusiasmante evoluzione dei semiconduttori di potenza. Vanta numerosi vantaggi rispetto ai dispositivi convenzionali al silicio, tra cui perdite di potenza fino a dieci volte inferiori e migliori prestazioni termiche. McLaren Applied sta impiegando un transistor a effetto campo CoolSiC a ossido metallico ad alta tensione (MOSFET), progettato specificamente per gestire i sistemi ad alta tensione da 800 volt presenti nei sistemi elettrici.