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Carburo di silicio amorfo

Amorphous silicon carbide (a-SiC) boasts impressive mechanical and strength properties that could revolutionize various industries. Its yield strength surpasses that of well-known materials like Kevlar, making it suitable for applications including microchip sensors and advanced solar cells. a-SiC stands out from its competition due to its superior tensile strength and versatility, being capable of fabrication […]

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Coherent Secures $1 Billion Investment in Silicon Carbide Power Substrates for Electric Vehicles

Coherent of Saxonburg, PA announced on April 8 that Japanese auto suppliers DENSO and Mitsubishi Electric have invested $1 billion into its silicon carbide business, holding a 12.5% non-controlling stake in a newly established subsidiary that will operate the business under Sohail Khan, Executive VP of New Ventures and Wide Bandgap Electronics Technology at Coherent.

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Silicon Carbide Tubes

Silicon carbide (SiC) is an amazing material with remarkable strength and resilience. Able to endure high temperatures, harsh chemicals and corrosion resistance – these characteristics make SiC an unparalleled material. When selecting a silicon carbide tube for your project, several elements need to be taken into account such as temperature, pressure, corrosion-prone environment and size/shape.

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Silicon Carbide Transistor

Silicon carbide power devices play an integral part in improving energy efficiency of electric vehicles due to their excellent material properties. Silicon carbide in its pure form behaves as an insulator; however, when doped with impurities (dopants), it can transform into an electronic semiconductor. Dopants for this use include nitrogen or phosphorous doping for n-type

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Is Silicon Carbide a Ceramic?

Silicon Carbide (SiC) ceramic products are well known for their resistance to corrosion, abrasion and high temperatures – qualities which also make them long-term refractory materials for burner nozzles, jet and flame tubes. SiC is an ideal material, maintaining its strength even at temperatures as high as 1600degC while offering high thermal conductivity, low thermal

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United Silicon Carbide Inc

United Silicon Carbide Inc, is a manufacturer of semiconductors. The Company produces silicon carbide (SiC) power semiconductors such as FETs, JFETs and Schottky diodes for customers located throughout New Jersey. United Silicon Carbide also serves customers worldwide through their global operations. Silicon carbide market growth will likely be propelled by rising demand for high-performance power

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Vantaggi del diodo al carburo di silicio

I diodi al carburo di silicio sono diventati sempre più popolari in una serie di progetti di circuiti grazie alle loro prestazioni più elevate e al fattore di forma più piccolo rispetto ai dispositivi al silicio. I diodi a barriera Schottky SiC di WeEn sono disponibili in varie confezioni, da quelle con piombo e imbullonate ai dispositivi SMD a montaggio superficiale, e sono sottoposti ad approfonditi test di resistenza per assicurare che

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Riparazione dell'accenditore a superficie calda in carburo di silicio

L'accenditore a superficie calda (HSI) sostituisce efficacemente le candele di accensione dei forni a gas, consentendo all'elettricità a bassa tensione di attraversarlo e riscaldarlo. Una volta portato alla temperatura di esercizio, l'HSI produce un segnale DC rettificato per verificare la presenza di fiamma e mantenere la posizione di apertura principale della valvola del gas.

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Crogioli in carburo di silicio

I crogioli in carburo di silicio sono ideali per le applicazioni di fusione e colata dei metalli, come la fusione di oro, argento e platino. La loro resistenza alle alte temperature li rende adatti alle operazioni di fusione dell'oro. Sono adatti per acciaio a medio tenore di carbonio, leghe di metalli rari e altri metalli non ferrosi, oltre a essere resistenti all'usura, alla corrosione e al calore.

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Notizie sul carburo di silicio

Il carburo di silicio è una delle sostanze più dure conosciute, utilizzata come abrasivo sintetico e presente in natura come moissanite nei meteoriti; può anche essere estratto. Le proprietà dell'ampio bandgap del SiC gli consentono di ridurre al minimo le perdite di commutazione e di supportare frequenze più elevate, rendendolo ideale per l'uso in dispositivi semiconduttori di potenza ad alta tensione, come gli inverter nelle reti elettriche.

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