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Silicon Carbide (SiC) has emerged as an essential technological material. It’s utilized for use in abrasives, technical ceramics and refractories – as well as semiconductor manufacturing. Produced by heating silica sand mixed with carbon in the form of petroleum coke at high temperatures in huge open “Acheson” furnaces, SiC is then produced in both Green […]

O carboneto de silício é um material abrasivo comumente encontrado em rebolos, cintas de lixa e meios de jateamento. Por ser um composto químico inorgânico, ele rivaliza com o diamante e o carboneto de boro em termos de dureza. O carboneto de silício preto (Carborundum) é um dos abrasivos mais utilizados, apresentando grãos duros e angulares que permitem o processamento eficaz de

O carboneto de silício (SiC) possui uma estrutura cristalina incomum. Ele contém quatro átomos de Si e quatro de C em um arranjo tetraédrico de coordenação ordenado, com camadas empilhadas em politipos que formam seu tetraedro de coordenação primário. Do ponto de vista elétrico, o carboneto de silício tem a capacidade de suportar tensões cinco a dez vezes maiores do que o silício. Isso o torna uma excelente opção de material para aplicações de potência

Os avanços tecnológicos são eventos que ocorrem uma vez a cada geração para as empresas do setor de semicondutores, e aquelas que os adotam têm tudo para colher lucros enormes. A Cree, agora Wolfspeed, deve se beneficiar da tendência em direção aos dispositivos de potência de carboneto de silício. Suas inovações no projeto e na produção de dispositivos permitem que a empresa fabrique chips menores com a mesma potência nominal em cada wafer – expandindo, assim,

Okamoto et al. measured the conductivity of silicon carbide at various temperatures and found that small amounts of Si additive did not increase conductivity by two to three orders of magnitude, but exceeding 5 mol% caused conductivity levels to soar by up to three orders of magnitude. Silicon carbide is a semiconductor material, capable of

O carbeto de silício amorfo (a-SiC) ganhou imensa atenção devido às suas propriedades ópticas e eletrônicas variáveis. Como apresenta rigidez, baixas taxas de expansão térmica e transparência à luz visível, é um material atraente para espelhos de telescópio. A ciência dos materiais está passando por uma revolução com a introdução desse novo material: o a-SiC. Com propriedades que combinam resistência com

O 4H-SiC é um politeto de carbeto de silício cada vez mais popular. Devido ao seu amplo intervalo de banda e excelentes propriedades térmicas, elétricas e mecânicas, ele é um material ideal para aplicações em eletrônica de potência. Investigamos a deformação elástica e o comportamento de rachaduras de um espécime de pilar de cristal único de 4H-SiC com orientação [0001], realizando quatro vezes a tensão de compressão de carga e descarga

Os whiskers de carbeto de silício, partículas monocristalinas de tamanho mícron com propriedades físicas e químicas excepcionais, despertaram grande interesse de pesquisa devido às suas amplas aplicações em muitos campos, incluindo materiais estruturais de alta temperatura e cerâmicas para ferramentas. A cerâmica mulita é um material refratário altamente estável quimicamente, com propriedades mecânicas e físicas superiores, como alta dureza e fluência à temperatura

A tecnologia de inversor de carbeto de silício é um avanço empolgante em semicondutores de energia. Ela apresenta várias vantagens em relação aos dispositivos de silício convencionais, incluindo perdas de energia menores, até dez vezes menores, e melhor desempenho térmico. A McLaren Applied está empregando um transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico (MOSFET) CoolSiC de alta tensão, projetado especificamente para lidar com sistemas de alta tensão de 800 volts encontrados em sistemas elétricos.

O carbeto de silício, mais comumente chamado de carborundum, é um composto cristalino sintético extremamente duro feito de silício e carbono, caracterizado por alta condutividade térmica, baixo coeficiente de expansão, resistência a reações químicas e capacidade semicondutora. A moissanita, sua contraparte natural, ocorre como um mineral, mas só pode ser encontrada em quantidades muito limitadas em