Tieto

Silicon Carbide (SiC) is an inorganic semiconductor material with an extremely wide bandgap that can alternately act as either an electrical conductor or insulator, making it useful in power electronics due to its superior electrical conductivity over traditional silicon semiconductors. EAG Laboratories has extensive expertise in performing bulk and spatially resolved analytic techniques on SiC […]

Piikarbidi (SiC) on noussut keskeiseksi teknologiseksi materiaaliksi. Sitä käytetään hioma-aineissa, teknisessä keramiikassa ja tulenkestävissä aineissa sekä puolijohteiden valmistuksessa. SiC valmistetaan kuumentamalla piihiekkaa, johon on sekoitettu öljykoksin muodossa olevaa hiiltä korkeissa lämpötiloissa valtavissa avoimissa Acheson-uuneissa.

Piikarbidi on hioma-aine, jota käytetään yleisesti hiomalaikoissa, hiomanauhoissa ja puhallusaineissa. Epäorgaanisena kemiallisena yhdisteenä se kilpailee kovuudeltaan timantin ja boorikarbidin kanssa. Musta piikarbidi (karborundi) on yksi yleisimmin käytetyistä hioma-aineista, jonka kovat ja kulmikkaat rakeet mahdollistavat tehokkaan työstön seuraavissa materiaaleissa

Piikarbidilla (SiC) on epätavallinen kiderakenne. Se sisältää neljä Si- ja neljä C-atomia järjestetyssä koordinaatiotetraedrijärjestyksessä, jossa kerrokset ovat pinoutuneet polytyypeiksi, jotka muodostavat sen ensisijaisen koordinaatiotetraedrin. Sähköisesti piikarbidi kestää jännitteitä viisi-kymmenen kertaa enemmän kuin pii. Tämä tekee siitä erinomaisen materiaalivalinnan sähköenergian

Teknologiset edistysaskeleet ovat puolijohdeyrityksille kerran sukupolvessa tapahtuvia tapahtumia, ja ne, jotka hyväksyvät ne, voivat saada valtavia voittoja. Cree, nykyisin Wolfspeed, hyötyy piikarbidien teholaitteisiin suuntautuvasta kehityksestä. Niiden innovaatiot laitteiden suunnittelussa ja tuotannossa mahdollistavat pienempien sirujen valmistamisen yhtä suurella teholla kullakin kiekolla - ja siten laajentavat

Okamoto et al. mittasivat piikarbidin johtavuutta eri lämpötiloissa ja havaitsivat, että pienet määrät Si-lisäainetta eivät lisänneet johtavuutta kahdesta kolmeen suuruusluokkaa, mutta 5 mol%:n ylittäminen aiheutti johtavuuden nousun jopa kolmeen suuruusluokkaan. Piikarbidi on puolijohdemateriaali, joka pystyy tuottamaan

Amorfinen piikarbidi (a-SiC) on saanut valtavasti huomiota sen vaihtelevien optisten ja elektronisten ominaisuuksien vuoksi. Koska se on jäykkä, lämpölaajeneminen on vähäistä ja se läpäisee näkyvän valon, se on houkutteleva materiaali kaukoputkien peileihin. Materiaalitiede kokee vallankumouksen tämän uudenlaisen materiaalin, a-SiC:n, käyttöönoton myötä. Sen ominaisuuksissa yhdistyvät lujuus ja

4H-SiC on yhä suositumpi piikarbidin polytyyppi. Laajan kaistanleveytensä ja erinomaisten termisten, sähköisten ja mekaanisten ominaisuuksiensa ansiosta se on ihanteellinen materiaali tehoelektroniikan sovelluksiin. Tutkimme yksikiteisen 4H-SiC-pilarinäytteen, jossa on [0001]-suuntaus, kimmoista muodonmuutosta ja halkeilukäyttäytymistä suorittamalla neljä kertaa kuormitus-puristus-purkauskantaan

Piikarbidiviikset, yksikiteiset mikronin kokoiset hiukkaset, joilla on erinomaiset fysikaaliset ja kemialliset ominaisuudet, ovat herättäneet huomattavaa tutkimusintoa, koska niillä on laaja-alainen käyttö monilla aloilla, kuten korkean lämpötilan rakennemateriaaleissa ja työkalukeramiikassa. Muliittikeramiikka on kemiallisesti erittäin stabiili tulenkestävä materiaali, jolla on erinomaiset mekaaniset ja fysikaaliset ominaisuudet, kuten suuri kovuus ja lämpötilahirrenopeus.

Piikarbidi-invertteritekniikka on jännittävä tehopuolijohteiden kehitys. Sillä on useita etuja perinteisiin piilaitteisiin verrattuna, kuten jopa kymmenen kertaa pienemmät tehohäviöt ja parempi lämpökäyttäytyminen. McLaren Applied käyttää korkeajännitteistä CoolSiC-metallioksidipuolijohdekenttäefektitransistoria (MOSFET), joka on suunniteltu erityisesti käsittelemään 800 voltin suurjännitejärjestelmiä, joita käytetään sähkö- ja elektroniikkalaitteissa.