zināšanas

Silicon Carbide (SiC) is an inorganic semiconductor material with an extremely wide bandgap that can alternately act as either an electrical conductor or insulator, making it useful in power electronics due to its superior electrical conductivity over traditional silicon semiconductors. EAG Laboratories has extensive expertise in performing bulk and spatially resolved analytic techniques on SiC […]

Silīcija karbīds (SiC) ir kļuvis par būtisku tehnoloģisku materiālu. To izmanto abrazīvu, tehniskās keramikas un ugunsizturīgo materiālu, kā arī pusvadītāju ražošanā. SiC ražo, karsējot silīcija smiltis, kas sajauktas ar oglekli naftas koksa veidā, augstās temperatūrās milzīgās atklātās “Ešona” krāsnīs.

Silīcija karbīds ir abrazīvs materiāls, ko parasti izmanto slīpēšanas riteņos, slīpēšanas lentēs un strūklas apstrādes materiālos. Kā neorganisks ķīmisks savienojums cietības ziņā tas konkurē ar dimantu un bora karbīdu. Melnais silīcija karbīds (karborunds) ir viens no visbiežāk izmantotajiem abrazīviem materiāliem, kam raksturīgi cieti un leņķveida graudi, kas ļauj efektīvi apstrādāt šādus materiālus.

Silīcija karbīdam (SiC) piemīt neparasta kristāliskā struktūra. Tas satur četrus Si un četrus C atomus sakārtotā koordinācijas tetraedrāla izkārtojumā ar slāņiem, kas sakārtoti daudzstūru veidā, veidojot tā primāro koordinācijas tetraedru. Elektriski silīcija karbīds spēj izturēt spriegumu, kas piecas līdz desmit reizes lielāks nekā silīcijs. Tas padara to par lielisku materiālu, ko var izmantot elektroenerģijas ražošanā.

Tehnoloģiju attīstība pusvadītāju uzņēmumiem notiek reizi paaudzē, un tie, kas to pieņem, gūst milzīgu peļņu. Cree, tagad Wolfspeed, gūst labumu no tendences izmantot silīcija karbīda enerģijas ierīces. Tās inovācijas ierīču konstrukcijā un ražošanā ļauj ražot mazākas mikroshēmas ar vienādu jaudu uz katras plāksnītes, tādējādi paplašinot ražošanas iespējas.

Okamoto et al. measured the conductivity of silicon carbide at various temperatures and found that small amounts of Si additive did not increase conductivity by two to three orders of magnitude, but exceeding 5 mol% caused conductivity levels to soar by up to three orders of magnitude. Silicon carbide is a semiconductor material, capable of

Amorphous silicon carbide (a-SiC) has gained immense attention due to its variable optical and electronic properties. As it features rigidity, low thermal expansion rates, and visible light transparency it makes an attractive material for telescope mirrors. Material science is experiencing a revolution with the introduction of this novel material: a-SiC. With properties combining strength with

4H-SiC is an increasingly popular polytype of silicon carbide. Due to its wide bandgap and excellent thermal, electrical, and mechanical properties, it makes an ideal material for power electronics applications. We investigated the elastic deformation and cracking behavior of a single crystal 4H-SiC pillar specimen with [0001] orientation by performing four times loading-unloading compression strain

Silicon carbide whiskers, single-crystal micron-sized particles with outstanding physical and chemical properties, have garnered significant research interest due to their wide-ranging applications across many fields including high temperature structural materials and tool ceramics. Mullite ceramic is a highly chemically stable refractory material with superior mechanical and physical properties such as high hardness and temperature creep

Silīcija karbīda invertoru tehnoloģija ir aizraujošs enerģijas pusvadītāju progress. Tā var lepoties ar vairākām priekšrocībām salīdzinājumā ar parastajām silīcija ierīcēm, tostarp līdz pat desmit reizes mazākiem jaudas zudumiem un uzlabotām termiskajām īpašībām. McLaren Applied izmanto augstsprieguma CoolSiC metāla oksīda pusvadītāju lauka tranzistoru (MOSFET), kas īpaši izstrādāts, lai darbotos ar augstsprieguma 800 voltu sistēmām, kuras atrodamas elektriskajās sistēmās.