zināšanas

Silīcija karbīds, ko biežāk dēvē par karborundu, ir ārkārtīgi ciets sintētisks kristālisks savienojums, kas sastāv no silīcija un oglekļa un kam raksturīga augsta siltumvadītspēja, zems izplešanās koeficients, izturība pret ķīmiskām reakcijām un pusvadītāja īpašības. Dabā tā dabiskais ekvivalents moizanīts ir sastopams kā minerāls, bet ļoti ierobežotā daudzumā ir sastopams tikai [...].

Silīcija karbīds (SiC) spēj izturēt elektrisko transportlīdzekļu enerģijas sistēmu augstsprieguma prasības. Wolfspeed piedāvā izolācijas risinājumus, kas īpaši izstrādāti, lai atbalstītu SiC konstrukcijas vilces vadības invertoriem. Silīcija karbīda tirgus izaugsme Automobiļu rūpniecības izaugsme veicina silīcija karbīda tirgus izaugsmi, savukārt tā augsta temperatūras izturība veicina pieprasījumu ugunsizturīgajā nozarē. Automobiļu nozare

Silīcija karbīds ir neticams materiāls ar izcilu cietību un izturību, kas revolucionāri maina jebkuru amatniecības instrumentu komplektu. Amatnieki to var izmantot, lai precīzi un viegli veidotu, nogludinātu un izlīdzinātu virsmas, tādējādi uzlabojot apdares procesu un nodrošinot amatniekiem piekļuvi precīzas apdares iespējām. Neatkarīgi no slīpējamā materiāla - smalka finiera vai blīva

Silīcija karbīdu izmanto elektroniskajās ierīcēs, kas pastiprina, pārslēdz vai pārveido signālus elektriskās ķēdēs. Pateicoties zemākai sprieguma pretestībai un temperatūras izturībai, šīs ierīces var darboties augstākās frekvencēs ar mazākiem enerģijas zudumiem. SiC ražo elektriskajā krāsnī, izmantojot Achesona procesu un karsējot silīcija smiltis.

Silīcija karbīda MOSFET (metāla oksīda pusvadītāju lauka tranzistori) ir būtiski elementi energoelektronikas lietojumprogrammās, kas nodrošina plašu joslas spraugu, augstu sadalīšanās spriegumu un strāvas blīvumu. Šie barošanas avoti ir īpaši piemēroti tādām cietās komutācijas topoloģijām kā LLC un ZVS, nodrošinot augstāku sistēmas efektivitāti ar mazākiem komponentiem kompaktākām konstrukcijām ar zemākām sistēmas izmaksām un energoefektīvāku enerģijas patēriņu.

Silīcija karbīds (SiC) ir īpaši ciets sintētisks materiāls, ko 1891. gadā pirmo reizi sintezēja Edvards Ačons krāsnī, karsējot oglekli un alumīnija oksīdu. Kopš 20. gadsimta 20. gados SiC sāka izmantot rūpniecībā kā rūpniecisku abrazīvu, tas ātri kļuva par vienu no vispieprasītākajiem materiāliem plašā mērogā. SiC ir dažādas kristāliskās struktūras

Silīcija karbīda plāksnes izmanto kā substrātus energoelektronikas ierīcēs, piemēram, diodēs un MOSFET, nodrošinot izcilu cietību, stabilitāti karstuma un sprieguma ietekmē un nereaģējošu izturību pret oksidāciju. Pieejami 100 mm un 150 mm diametra izmēri. Šie substrāti nodrošina arī aizsardzību pret termisko šoku, ko izraisa pēkšņas temperatūras izmaiņas, un to zemā temperatūra ir zema.

Reakcijas rezultātā saistītais silīcija karbīds ir īpaši elastīgs keramikas materiāls, kas nodrošina izcilu izturību pret triecieniem un nodilumu, izturību pret termisko triecienu un ķīmisko iedarbību. Porainu SiC un oglekļa daļiņu preparāti, infiltrējoties ar šķidru vai gāzveida silīciju, ķīmiskās reakcijas starp silīciju un oglekli rezultātā kļūst pašsavienojoši. Silīcijs reaģē ar oglekli, veidojot papildu silīcija karbīdu.

Silīcija karbīds ir viens no cietākajiem un izturīgākajiem keramikas materiāliem. Tas spēj saglabāt savu izturību augstās temperatūrās, vienlaikus nodrošinot izturību pret skābēm, sārmiem un izkausētiem sāļiem. CVD SiC, kas iegūts, izmantojot ķīmisko tvaiku uzklāšanu, ir ārkārtīgi tīra forma ar augstāku siltumvadītspēju nekā saķepinātam vai reakcijas rezultātā saistītam SiC. Tas ir

Silīcija karbīds ir augstas veiktspējas keramika ar izcilu cietību, nodilumizturību un siltumvadītspēju. Tomēr tā sarežģītā ģeometrija padara precīzu apstrādi ārkārtīgi sarežģītu; lai nodrošinātu maksimālu precizitāti, strādājot ar to, ir jāizmanto dimanta instrumenti. Saint-Gobain izmanto vairākus ražošanas veidus, lai izgatavotu augstākās kvalitātes saķepinātus silīcija karbīda izstrādājumus. Mēs izmantojam reakcijas saķepināšanu un bezspiediena