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Silicon Carbide (SiC) has emerged as an essential technological material. It’s utilized for use in abrasives, technical ceramics and refractories – as well as semiconductor manufacturing. Produced by heating silica sand mixed with carbon in the form of petroleum coke at high temperatures in huge open “Acheson” furnaces, SiC is then produced in both Green […]

실리콘 카바이드는 연삭 휠, 샌딩 벨트 및 분사 매체에서 흔히 볼 수 있는 연마재입니다. 무기 화합물로서 경도 면에서 다이아몬드 및 탄화붕소와 경쟁합니다. 블랙 실리콘 카바이드(카보룬덤)는 가장 일반적으로 사용되는 연마재 중 하나로, 단단하고 각진 입자가 특징이며 다음과 같은 작업을 효과적으로 처리할 수 있습니다.

실리콘 카바이드(SiC)는 특이한 결정 구조를 가지고 있습니다. 이는 4개의 Si 원자와 4개의 C 원자가 정렬된 배위 사면체 배열로 구성되어 있으며, 층이 다면체로 쌓여 기본 배위 사면체를 형성합니다. 전기적으로 탄화규소는 실리콘보다 5-10배 높은 전압을 견딜 수 있습니다. 따라서 전력용으로 탁월한 소재입니다.

반도체 기업에게 기술 발전은 한 세대에 한 번 있는 일이며, 이를 받아들이는 기업은 막대한 수익을 거둘 수 있습니다. 현재 Wolfspeed가 된 Cree는 실리콘 카바이드 전력 디바이스 트렌드의 혜택을 누릴 수 있습니다. 디바이스 설계 및 생산 분야의 혁신을 통해 각 웨이퍼에서 동일한 전력 등급을 가진 더 작은 칩을 제조할 수 있으므로

오카모토 등은 다양한 온도에서 실리콘 카바이드의 전도도를 측정한 결과 소량의 Si 첨가제로는 전도도가 2~3배 증가하지 않았지만 5몰%를 초과하면 전도도가 최대 3배까지 치솟는다는 사실을 발견했습니다. 실리콘 카바이드는 반도체 재료로 다음과 같은 기능이 있습니다.

비정질 실리콘 카바이드(a-SiC)는 다양한 광학 및 전자적 특성으로 인해 큰 주목을 받고 있습니다. 강성, 낮은 열팽창률, 가시광선 투명성이 특징인 이 소재는 망원경 거울에 매력적인 소재입니다. 재료 과학은 이 새로운 소재인 a-SiC의 등장으로 혁명을 경험하고 있습니다. 강도와 다음과 같은 특성을 결합한

4H-SiC는 점점 인기를 얻고 있는 실리콘 카바이드의 폴리타입입니다. 넓은 밴드갭과 우수한 열적, 전기적, 기계적 특성으로 인해 전력 전자 애플리케이션에 이상적인 소재입니다. 우리는 네 번의 로딩-언로딩 압축 변형을 수행하여 [0001] 방향의 단결정 4H-SiC 기둥 시편의 탄성 변형 및 균열 거동을 조사했습니다.

물리적, 화학적 특성이 뛰어난 단결정 미크론 크기의 입자인 탄화규소 수염은 고온 구조 재료, 공구 세라믹 등 다양한 분야에서 폭넓게 활용되어 연구계의 큰 관심을 받고 있습니다. 뮬라이트 세라믹은 높은 경도, 온도 크리프 등 우수한 기계적, 물리적 특성을 지닌 화학적으로 매우 안정적인 내화 소재입니다.

실리콘 카바이드 인버터 기술은 전력 반도체의 흥미로운 발전입니다. 이 기술은 기존 실리콘 디바이스에 비해 전력 손실을 최대 10배 낮추고 열 성능을 개선하는 등 여러 가지 장점을 자랑합니다. 맥라렌 어플라이드는 전기 자동차에서 볼 수 있는 고전압 800볼트 시스템을 처리하도록 특별히 설계된 고전압 CoolSiC 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 채택하고 있습니다.

일반적으로 카보룬듐이라고도 불리는 탄화규소는 실리콘과 탄소로 이루어진 매우 단단한 합성 결정 화합물로 높은 열전도율, 낮은 팽창 계수, 화학 반응에 대한 저항성 및 반도체 기능을 특징으로 합니다. 천연 광물인 모이사나이트는 광물로 존재하지만 다음에서만 매우 제한적으로 발견될 수 있습니다.