知識

炭化ケイ素(SiC)は電気自動車パワーシステムの高電圧要求に耐えることができます。ウォルフスピードはトラクションコントロールインバータ用SiC設計をサポートするために特別に設計された絶縁ソリューションを提供しています。炭化ケイ素の市場成長 自動車産業の成長が炭化ケイ素の市場成長を牽引する一方、その高温耐性が耐火物セクターの需要を牽引している。自動車分野での炭化ケイ素市場の成長は、電気自動車やハイブリッド車（EV/HYV）に使用されるパワーエレクトロニクスが牽引している。省エネ製品に対する需要や、再生可能エネルギーの導入を奨励する政府の優遇措置が、この市場の成長を後押ししている。炭化ケイ素は、腐食や酸化に対して強い耐性を持つ非常に耐久性のある材料である。

炭化ケイ素は、卓越した硬度と耐久性を持つ驚異的な素材であり、あらゆる工作ツールキットに革命をもたらします。職人はこの研磨材を利用して、表面を正確かつ簡単に整形、平滑化、水平化することができます。繊細な単板や緻密な広葉樹など、サンディングする素材に関係なく、この防水研磨材は常に安定した結果を提供するため、金属加工業界のプロに愛用されています：汎用性 炭化ケイ素サンドペーパーは、その硬度、耐熱性、切削力により、驚異的な能力を持つ多面的なサンドペーパーです。炭化ケイ素の硬度、耐熱性、切削力は、以下のような卓越した職人技を可能にします。

炭化ケイ素は、電気回路内の信号を増幅、スイッチング、変換する電子機器に使用される。耐電圧と温度特性が低いため、これらのデバイスは電力損失が少なく、より高い周波数で動作することができる。SiCは、アチソン・プロセスと呼ばれる電気炉で、珪砂に石油コークスから作られる炭素を混ぜて加熱することで製造される。その結果、純度に応じて緑色または黒色の小さな結晶粒が得られます。特徴 炭化ケイ素は共有結合した薄い灰色の固体物質で、融点が極めて高く、耐食性に優れ、優れた熱伝導性を持つ。

炭化ケイ素MOSFET（金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ）は、ワイドバンドギャップ、高耐圧、高電流密度特性を提供するパワーエレクトロニクス・アプリケーションに不可欠な素子です。これらの電源は、LLCやZVSのようなハード・スイッチング・トポロジーに特に適しており、システム・コストを削減し、よりコンパクトな設計と、より低いミラー容量でエネルギー効率の高い電源を実現するために、より小さな部品でより高いシステム効率を提供します。高電圧ブレークダウン シリコンよりも高いブレークダウン電界を持つ炭化ケイ素は、高周波でスイッチングするインバーター、モーター・ドライブ、太陽光発電インバーターなどの高電圧デバイスに使用できるため、熱暴走故障の原因となる過熱を避けることができます。このため、炭化ケイ素は理想的な材料となっている。

炭化ケイ素（SiC）は、1891年にエドワード・アチソンが炭素とアルミナを加熱した炉で初めて合成した超硬質合成材料である。1920年代に工業用研磨材として産業界に登場して以来、SiCは急速に大規模で最も需要のある材料のひとつとなりました。SiCにはポリタイプとして知られる様々な結晶構造があり、高出力用途には4H-SiC六方晶原子構造ポリタイプが最適です。物理的特性 炭化ケイ素は多様な物理的特性を持つファインセラミックであり、市場で最も汎用性の高い耐火物の1つです。その強度、硬度、耐食性、高融点から、極端なエンジニアリングにおける汎用性まで、その特性は多岐にわたる。

炭化ケイ素ウェーハは、ダイオードやMOSFETなどのパワーエレクトロニクス・デバイスの基板として使用され、優れた硬度、熱や電圧に対する安定性、耐酸化性に対する非反応性を提供します。直径100mmと150mmのサイズがあります。これらの基板は、急激な温度変化による熱衝撃からも保護され、熱膨張係数が低いため、小型デバイスや1チップにより多くのトランジスタを搭載するのに適しています。高性能半導体 炭化ケイ素は非常に柔軟な半導体材料で、あらゆる種類のパワーエレクトロニクス用途に最適です。広いバンドギャップと高いブレークダウン電界により、炭化ケイ素を使用すると効率が大幅に向上します。

反応結合炭化ケイ素は、衝撃や摩耗に対する優れた強度、耐熱衝撃性、化学的攻撃を提供する超弾性セラミック材料です。多孔質SiCと炭素粒子の配合物は、液体または気体のケイ素を浸透させると、ケイ素と炭素の化学反応により自己結合します。シリコンはカーボンと反応して炭化ケイ素粒子を形成し、元の粒子をさらに結合させます。高強度反応結合炭化ケイ素（RBSiC）は非常に耐久性のあるセラミック材料で、優れた耐薬品性、衝撃強度、耐摩耗性、耐熱衝撃性を提供します。溶融シリコンを多孔質カーボンまたはグラファイトプリフォームに浸透させ、そこで炭素と反応してSiCを形成することにより製造され、その優れた強度と耐衝撃性を発揮します。

炭化ケイ素は、最も硬く耐久性のある先端セラミック材料の一つです。酸、アルカリ、溶融塩に対する耐性を持ちながら、高温でも強度を維持することができます。化学気相成長法によって製造されるCVD SiCは、焼結SiCや反応結合SiCよりも優れた熱伝導性を持つ極めて純粋な形態です。半導体である炭化ケイ素（SiC）は、六方晶構造と強い共有結合を持つ無機半導体である。その化学構造は、3つのケイ素原子が1つの炭素原子と結合したもので、従来のシリコンよりも強力な電界とともに、高温と高電圧に耐えることができる非常に弾力性のある材料です。SiCは高温に耐えられる

炭化ケイ素は、卓越した硬度、耐摩耗性、熱伝導性を持つ高性能セラミックです。しかし、その複雑な形状のため、精密な加工は非常に難しく、ダイヤモンド工具を使用して最大限の精度を出す必要があります。サンゴバンは、最高グレードの炭化ケイ素焼結製品を製造するために、複数の製造手段を活用しています。サンゴバンは、反応焼結と無加圧焼結プロセスを採用し、過酷な用途に耐えるよう設計された高密度セラミック製品を製造しています。高強度炭化ケイ素セラミックは、入手可能な中で最も硬くて強いセラミックの一つであり、耐衝撃性を維持しながら高温でも強度を維持します。この硬度と強度の組み合わせにより、炭化ケイ素は多くの要求の厳しい用途に理想的な材料選択となります；

炭化ケイ素るつぼは、銅、銀、金、鉛亜鉛などの非鉄金属を地炉または電気炉で溶解するために設計されています。その特徴は、高い耐酸化性、汚染の少なさ、優れた熱伝導性です。るつぼはしばしば過熱による損傷を受けます。この場合、下端から上端まで伸びる縦方向の亀裂が生じることがありますが、ゆっくり加熱することで回避できます。高温耐性 炭化ケイ素るつぼは高温耐性が高く、金属溶解および鋳造プロセスに理想的な選択肢です。溶融金属を所定の位置に保持し、溶融または精錬プロセス中に最適な温度を維持できるだけでなく、その高温耐性により、以下のことも防止できます。