知識

Moissanite – A Gemstone Substitute

Moissanite, an naturally-occurring form of silicon carbide (SiC), can be found as inclusions in meteorites, corundum deposits and rare kimberlites. Moissanite can also be created artificially using traditional sintering and hot pressing techniques in a laboratory environment. Moissanite gemstones used in jewelry are generally manufactured synthetically in laboratories. Here is how this remarkable gemstone comes to be. Brilliance Moissanite and diamond are similar in many ways, yet have many distinguishing characteristics that set them apart. One such characteristic is their brilliance – with moissanite often appearing brighter due to refracting light more, giving it more vibrancy than diamond. Moissanite shines thanks to its iridescence, flashing a colorless rainbow of light […]

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How to Assess Silicon Carbide Conductivity Electrically

Silicon carbide is an extremely hard material that lies somewhere between alumina and diamond on the Mohs scale, offering exceptional strength, corrosion resistance, durability, strength, high melting point and other engineering advantages that make it perfect for challenging engineering applications. Impurities called doping agents can also impart semi-conducting properties. Nitrogen and phosphorus doping creates an n-type silicon carbide structure; aluminum, boron or gallium doping creates a p-type silicon carbide structure. Bandgap The band gap refers to the difference in energy between a solid’s conduction and valence bands; the lower this gap is, the more conductive its material is. Band gaps play an essential role in how electricity conducts: they determine

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炭化ケイ素イグナイター

Most hot surface igniters found on furnaces today are made from silicon carbide and run at 120 volts, but are prone to breaking if exposed to voltages outside their ideal range or handled roughly. Silicon nitride igniters are significantly tougher and longer-lasting than their silicon carbide predecessors, making them an attractive upsell option for customers looking to improve their system’s longevity and energy efficiency. They Heat Up Quickly Hot Surface Igniters (HSI) are used to regulate gas flow in furnaces, water heaters and other forms of heating equipment. Low-voltage high-current electricity passes through an igniter piece heated to 2500 degrees Fahrenheit before opening or sparking the pilot flame on gas

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炭化ケイ素とそのワイドバンドギャップ

Silicon carbide is an extremely reliable wide band-gap semiconductor material. This allows devices made of it to operate at higher voltages, frequencies, and temperatures than conventional silicon devices. Monolayer SiC could be the catalyst to revolutionary advances in high-temperature electronics and power devices. It offers unmatched optical, mechanical, chemical and magnetic properties for unrivaled functionality in high temperature devices. Wider band gap The band gap of semiconductors refers to the space between their valence band and conduction band; this energy gap represents the minimum amount of energy a photon requires to excite electrons from one band to the next, producing electrical currents and thus operating them effectively. Band gaps play

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アモルファス炭化ケイ素

アモルファス・シリコン・カーバイド(a-SiC)は、様々な産業に革命をもたらす可能性のある素晴らしい機械的特性と強度特性を誇っている。その降伏強度は、ケブラーのようなよく知られた材料を上回り、マイクロチップ・センサや高度な太陽電池などの用途に適している。a-SiCは、その優れた引張強度と汎用性により、ウェーハ・スケールでの製造が可能であることから、競合製品から抜きん出ている。そのため、グラフェンやダイヤモンドよりも実用的である。高い引張強度 グラフェンやダイヤモンドのような大量生産が困難な二次元(すなわち2D)材料とは対照的に、アモルファス炭化ケイ素(a-SiC)はウェーハスケールで容易に製造できるため、多くの用途で魅力的な代替材料となる。

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コヒレント社、電気自動車用炭化ケイ素パワー基板で$1億ドルの投資を獲得

ペンシルベニア州サクソンバーグのコヒレント社は4月8日、日本の自動車部品メーカーであるデンソーと三菱電機が、コヒレント社の炭化ケイ素事業に10億TP4T1投資し、コヒレント社のニューベンチャーおよびワイドバンドギャップ・エレクトロニクス・テクノロジー担当エグゼクティブ・バイスプレジデントであるソハイル・カーン氏の下で事業を運営する新設子会社に12.5%の非支配株式を保有すると発表した。SiCとは?電気自動車の需要が高まるにつれ、メーカーはコスト削減と効率向上のため、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体チップへの投資を増やしている。SiCデバイスは、シリコン(Si)よりもコスト効率の高いエネルギー変換効率を実証している。SiC半導体はより高い周波数でスイッチングできるため、電力損失を減らしながら速度と効率を向上させることができる。

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炭化ケイ素チューブ

炭化ケイ素(SiC)は、驚異的な強度と弾力性を備えた素晴らしい素材です。高温、過酷な化学薬品、耐食性に耐えることができ、これらの特性によりSiCは比類のない材料となっています。プロジェクト用に炭化ケイ素チューブを選択する際には、温度、圧力、腐食しやすい環境、サイズ/形状など、いくつかの要素を考慮する必要があります。このガイドでは、これらの問題を取り上げ、お客様のセットアップの要件に最適な情報を得た上で決定できるようにしています。硬度 炭化ケイ素は、耐摩耗性、耐食性、熱安定性、曲げ強度、化学的不活性などの優れた特性を持つ革新的なセラミック材料です。炭化ケイ素のモース硬度は9であり、以下の硬度とほぼ同等です。

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炭化ケイ素トランジスタ

炭化ケイ素パワー・デバイスは、その優れた材料特性により、電気自動車のエネルギー効率向上に不可欠な役割を果たしている。炭化ケイ素は純粋な状態では絶縁体として振る舞いますが、不純物(ドーパント)をドープすると電子半導体へと変化します。この用途のドーパントには、窒素やリンをドープするとn型になり、アルミニウム、ボロン、ガリウムをドープするとp型の半導体材料になります。高電圧絶縁破壊 炭化ケイ素半導体デバイスは、特に高温または高電圧が関係するパワーエレクトロニクス用途において、シリコンデバイスに代わる適切な材料と見なされるようになってきている。これは、その優れた特性によるものです。

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炭化ケイ素はセラミックか?

炭化ケイ素 (SiC) セラミック製品は、耐腐食性、耐摩耗性、耐高温性でよく知られており、バーナーノズル、ジェットチューブ、フレームチューブ用の長期耐火材料としても使用されています。SiCは理想的な材料であり、1600℃の高温でも強度を維持し、高い熱伝導率、低い熱膨張率、優れた耐摩耗性を提供します。さらに、この耐久性のある材料は、酸や溶融塩に耐えることができ、分解したり粉々に砕けたりすることはありません。硬度 SiCは、その強度と弾力性により、過酷な環境に耐えるよう設計された部品に理想的な材料であり、それを必要とする用途に適しています。高い破壊靭性

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ユナイテッド・シリコン・カーバイド社

ユナイテッド・シリコン・カーバイド社は半導体メーカーである。ニュージャージー州全域の顧客向けにFET、JFET、ショットキーダイオードなどの炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を生産している。また、ユナイテッド・シリコン・カーバイド社は、グローバル事業を通じて世界中の顧客にサービスを提供している。炭化ケイ素市場の成長は、さまざまな用途で使用される高性能パワー半導体に対する需要の高まりによって促進される可能性が高い。高効率の炭化ケイ素(SiC)デバイスとカスタマイズ製品 炭化ケイ素(SiC)半導体は、優れた電力変換デバイスを提供する。電力変換デバイスにおけるSiCの主な利点は、スイッチング速度の高速化と損失の低減であり、これにより、より高効率で小型の設計が可能になり、電力変換効率が向上します。

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