znalosti

Silicon carbide, more commonly referred to as carborundum, is an extremely hard synthetic crystalline compound made up of silicon and carbon characterized by high thermal conductivity, low coefficient of expansion, resistance to chemical reaction and semiconducting capabilities. Moissanite, its natural counterpart, occurs as a mineral but can only be found in very limited amounts in […]

Silicon Carbide (SiC) can withstand the high voltage demands of electric vehicle power systems. Wolfspeed offers isolation solutions designed specifically to support SiC designs for traction control inverters. Silicon Carbide Market Growth Automotive industry growth is driving market growth of silicon carbide while its high temperature resistance drive the demand from the refractory sector. Automotive

Silicon carbide is an incredible material with exceptional hardness and durability that revolutionizes any crafting toolkit. Craftsmen can utilize it to shape, smooth and level surfaces with precision and ease – elevating their finishing process and providing craftspeople with access to precision finishing capabilities. No matter the material being sanded – delicate veneers or dense

Karbid křemíku se používá v elektronických zařízeních, která zesilují, přepínají nebo převádějí signály v elektrickém obvodu. Díky nižšímu napěťovému odporu a teplotním možnostem jsou tato zařízení schopna pracovat na vyšších frekvencích s menšími ztrátami výkonu. SiC se vyrábí v elektrické peci Achesonovým procesem a zahříváním křemičitého písku.

MOSFETy z karbidu křemíku (tranzistory s kovovým oxidem a polovodičem) jsou základními prvky výkonové elektroniky, které nabízejí široký pás, vysoké průrazné napětí a proudovou hustotu. Tyto napájecí zdroje jsou obzvláště vhodné pro topologie s tvrdým spínáním, jako jsou LLC a ZVS, a poskytují vyšší účinnost systému s menšími součástkami pro kompaktnější konstrukce při nižších nákladech na systém a energeticky efektivní.

Karbid křemíku (SiC) je velmi tvrdý syntetický materiál, který poprvé syntetizoval Edward Acheson v roce 1891 v peci zahřáté uhlíkem a oxidem hlinitým. Od svého uvedení do průmyslu jako průmyslového brusiva ve 20. letech 20. století se SiC rychle stal jedním z nejvyhledávanějších materiálů ve velkém měřítku. SiC se vyrábí v různých krystalových strukturách

Destičky z karbidu křemíku se používají jako substráty v zařízeních výkonové elektroniky, jako jsou diody a tranzistory MOSFET, a nabízejí vynikající tvrdost, tepelnou a napěťovou stabilitu a nereaktivitu z hlediska oxidační odolnosti. K dispozici ve velikostech o průměru 100 mm a 150 mm. Tyto substráty rovněž poskytují ochranu před tepelnými šoky způsobenými náhlými změnami teploty, přičemž jejich nízká teplota

Reakčně vázaný karbid křemíku je mimořádně odolný keramický materiál, který nabízí výjimečnou pevnost proti nárazu a opotřebení, odolnost proti tepelným šokům a chemickému působení. Formulace porézních částic SiC a uhlíku se po infiltraci kapalným nebo plynným křemíkem stávají samovaznými v důsledku chemické reakce mezi křemíkem a uhlíkem. Křemík reaguje s uhlíkem za vzniku dalšího karbidu křemíku

Karbid křemíku je jedním z nejtvrdších a nejodolnějších pokročilých keramických materiálů. Dokáže si zachovat pevnost při vysokých teplotách a zároveň je odolný vůči kyselinám, louhům a roztaveným solím. CVD SiC, vyráběný chemickou depozicí z par, je extrémně čistá forma s lepší tepelnou vodivostí než slinutý nebo reakčně vázaný SiC. Je to

Karbid křemíku je vysoce výkonná keramika s výjimečnou tvrdostí, odolností proti opotřebení a tepelnou vodivostí. Jeho složitá geometrie však činí přesné obrábění extrémně náročným; při práci s ním je třeba používat diamantové nástroje pro dosažení maximální přesnosti. Společnost Saint-Gobain využívá více výrobních cest k výrobě nejkvalitnějších výrobků ze slinutého karbidu křemíku. Používáme reakční slinování a beztlakové slinování.