γνώση

Silicon Carbide (SiC) has emerged as an essential technological material. It’s utilized for use in abrasives, technical ceramics and refractories – as well as semiconductor manufacturing. Produced by heating silica sand mixed with carbon in the form of petroleum coke at high temperatures in huge open “Acheson” furnaces, SiC is then produced in both Green […]

Το καρβίδιο του πυριτίου είναι ένα λειαντικό υλικό που χρησιμοποιείται συνήθως σε τροχούς λείανσης, ιμάντες λείανσης και μέσα εκτόξευσης. Ως ανόργανη χημική ένωση ανταγωνίζεται σε σκληρότητα το διαμάντι και το καρβίδιο του βορίου. Το μαύρο καρβίδιο του πυριτίου (Carborundum) είναι ένα από τα πιο συχνά χρησιμοποιούμενα λειαντικά, με σκληρούς και γωνιώδεις κόκκους που καθιστούν αποτελεσματική την επεξεργασία

Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) διαθέτει μια ασυνήθιστη κρυσταλλική δομή. Περιέχει τέσσερα άτομα Si και τέσσερα άτομα C σε μια διατεταγμένη τετραεδρική διάταξη συντονισμού με στρώματα στοιβαγμένα σε πολυτύπους που σχηματίζουν το πρωταρχικό τετράεδρο συντονισμού του. Ηλεκτρικά, το καρβίδιο του πυριτίου έχει την ικανότητα να αντέχει τάσεις πέντε-δέκα φορές υψηλότερες από το πυρίτιο. Αυτό το καθιστά εξαιρετική επιλογή υλικού για την παραγωγή ενέργειας

Οι τεχνολογικές εξελίξεις είναι γεγονότα που συμβαίνουν μία φορά στη γενιά για τις επιχειρήσεις ημιαγωγών και όσοι τις αποδέχονται θα αποκομίσουν τεράστια κέρδη. Η Cree, τώρα Wolfspeed, θα επωφεληθεί από την τάση προς τις συσκευές ισχύος καρβιδίου του πυριτίου. Οι καινοτομίες τους στον σχεδιασμό και την παραγωγή των συσκευών τους επιτρέπουν να κατασκευάζουν μικρότερα τσιπ με ίσες τιμές ισχύος σε κάθε πλακίδιο - επεκτείνοντας έτσι

Οι Okamoto et al. μέτρησαν την αγωγιμότητα του καρβιδίου του πυριτίου σε διάφορες θερμοκρασίες και διαπίστωσαν ότι μικρές ποσότητες πρόσθετου Si δεν αύξησαν την αγωγιμότητα κατά δύο έως τρεις τάξεις μεγέθους, αλλά η υπέρβαση των 5 mol% προκάλεσε την εκτίναξη των επιπέδων αγωγιμότητας κατά τρεις τάξεις μεγέθους. Το καρβίδιο του πυριτίου είναι ένα ημιαγωγικό υλικό, ικανό να

Το άμορφο καρβίδιο του πυριτίου (α-SiC) έχει κερδίσει τεράστια προσοχή λόγω των μεταβλητών οπτικών και ηλεκτρονικών ιδιοτήτων του. Καθώς διαθέτει ακαμψία, χαμηλούς ρυθμούς θερμικής διαστολής και διαφάνεια στο ορατό φως, αποτελεί ελκυστικό υλικό για κάτοπτρα τηλεσκοπίων. Η επιστήμη των υλικών βιώνει μια επανάσταση με την εισαγωγή αυτού του νέου υλικού: a-SiC. Με ιδιότητες που συνδυάζουν αντοχή με

Το 4H-SiC είναι ένας ολοένα και πιο δημοφιλής πολυτύπος καρβιδίου του πυριτίου. Λόγω του μεγάλου χάσματος ζώνης και των εξαιρετικών θερμικών, ηλεκτρικών και μηχανικών ιδιοτήτων του, αποτελεί ιδανικό υλικό για εφαρμογές ηλεκτρονικών ισχύος. Διερευνήσαμε την ελαστική παραμόρφωση και τη συμπεριφορά ρηγμάτωσης ενός μονοκρυσταλλικού δείγματος πυλώνα 4H-SiC με προσανατολισμό [0001] εκτελώντας τέσσερις φορές φόρτιση-ανεκφόρτιση θλίψη-παραμόρφωση

Τα whiskers καρβιδίου του πυριτίου, μονοκρυσταλλικά σωματίδια μικροσκοπικού μεγέθους με εξαιρετικές φυσικές και χημικές ιδιότητες, έχουν συγκεντρώσει σημαντικό ερευνητικό ενδιαφέρον λόγω των ευρύτατων εφαρμογών τους σε πολλούς τομείς, συμπεριλαμβανομένων των δομικών υλικών υψηλής θερμοκρασίας και των κεραμικών εργαλείων. Το κεραμικό mullite είναι ένα εξαιρετικά χημικά σταθερό πυρίμαχο υλικό με ανώτερες μηχανικές και φυσικές ιδιότητες, όπως υψηλή σκληρότητα και θερμοκρασιακό ερπυσμό

Η τεχνολογία αντιστροφέων καρβιδίου του πυριτίου είναι μια συναρπαστική εξέλιξη των ημιαγωγών ισχύος. Διαθέτει αρκετά πλεονεκτήματα σε σχέση με τις συμβατικές διατάξεις πυριτίου, συμπεριλαμβανομένων των χαμηλότερων απωλειών ισχύος έως και δέκα φορές λιγότερες και των βελτιωμένων θερμικών επιδόσεων. Η McLaren Applied χρησιμοποιεί ένα τρανζίστορ πεδίου-επίδρασης ημιαγωγού μεταλλικού οξειδίου CoolSiC υψηλής τάσης (MOSFET), σχεδιασμένο ειδικά για να χειρίζεται συστήματα υψηλής τάσης 800 βολτ που συναντώνται σε ηλεκτρικά

Silicon carbide, more commonly referred to as carborundum, is an extremely hard synthetic crystalline compound made up of silicon and carbon characterized by high thermal conductivity, low coefficient of expansion, resistance to chemical reaction and semiconducting capabilities. Moissanite, its natural counterpart, occurs as a mineral but can only be found in very limited amounts in