знания

Silicon Carbide (SiC) has emerged as an essential technological material. It’s utilized for use in abrasives, technical ceramics and refractories – as well as semiconductor manufacturing. Produced by heating silica sand mixed with carbon in the form of petroleum coke at high temperatures in huge open “Acheson” furnaces, SiC is then produced in both Green […]

Силициевият карбид е абразивен материал, който обикновено се използва в шлайф-колела, шлифовъчни ленти и материали за бластиране. Като неорганично химично съединение той се конкурира с диаманта и боровия карбид по отношение на твърдостта. Черният силициев карбид (карборунд) е един от най-често използваните абразиви, който се характеризира с твърди и ъглови зърна, които позволяват ефективна обработка на

Силициевият карбид (SiC) притежава необичайна кристална структура. Той съдържа четири атома Si и четири атома C в подредена координационна тетраедрична подредба със слоеве, подредени в политипи, образуващи първичния му координационен тетраедър. В електрическо отношение силициевият карбид има способността да издържа на напрежения, пет-десет пъти по-високи от тези на силиция. Това го прави отличен избор на материал за електрозахранване.

Технологичният напредък е събитие, което се случва веднъж на поколение за предприятията за полупроводници, и тези, които го приемат, могат да получат огромни печалби. Cree, сега Wolfspeed, се възползва от тенденцията за създаване на захранващи устройства от силициев карбид. Техните иновации в дизайна и производството на устройствата им позволяват да произвеждат по-малки чипове с еднаква мощност на всяка пластинка - по този начин разширяват

Okamoto et al. измерват проводимостта на силициев карбид при различни температури и установяват, че малки количества Si добавка не увеличават проводимостта с два до три порядъка, но надвишаването на 5 mol% води до повишаване на нивата на проводимост с до три порядъка. Силициевият карбид е полупроводников материал, способен да

Аморфният силициев карбид (a-SiC) се радва на огромно внимание поради променливите си оптични и електронни свойства. Тъй като се отличава с твърдост, ниски стойности на термично разширение и прозрачност във видимата светлина, той е привлекателен материал за огледала на телескопи. Материалознанието преживява революция с въвеждането на този нов материал: a-SiC. Със свойства, съчетаващи здравина с

4H-SiC is an increasingly popular polytype of silicon carbide. Due to its wide bandgap and excellent thermal, electrical, and mechanical properties, it makes an ideal material for power electronics applications. We investigated the elastic deformation and cracking behavior of a single crystal 4H-SiC pillar specimen with [0001] orientation by performing four times loading-unloading compression strain

Silicon carbide whiskers, single-crystal micron-sized particles with outstanding physical and chemical properties, have garnered significant research interest due to their wide-ranging applications across many fields including high temperature structural materials and tool ceramics. Mullite ceramic is a highly chemically stable refractory material with superior mechanical and physical properties such as high hardness and temperature creep

Silicon carbide inverter technology is an exciting power semiconductor advancement. It boasts several advantages over conventional silicon devices, including lower power losses up to ten times less and improved thermal performance. McLaren Applied is employing a high-voltage CoolSiC metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET), designed specifically to handle high voltage 800-volt systems found in electric

Silicon carbide, more commonly referred to as carborundum, is an extremely hard synthetic crystalline compound made up of silicon and carbon characterized by high thermal conductivity, low coefficient of expansion, resistance to chemical reaction and semiconducting capabilities. Moissanite, its natural counterpart, occurs as a mineral but can only be found in very limited amounts in