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Silicon Carbide (SiC) can withstand the high voltage demands of electric vehicle power systems. Wolfspeed offers isolation solutions designed specifically to support SiC designs for traction control inverters. Silicon Carbide Market Growth Automotive industry growth is driving market growth of silicon carbide while its high temperature resistance drive the demand from the refractory sector. Automotive […]

碳化硅是一种令人难以置信的材料，具有极高的硬度和耐用性，可彻底改变任何手工工具包。手工艺者可以利用它来精确、轻松地塑造、平滑和整平表面，从而提升他们的精加工工艺，并为手工艺者提供精密的精加工能力。无论打磨的是什么材料--精致的单板还是致密的木板--都可以用它来打磨。

碳化硅可用于放大、切换或转换电路中信号的电子设备中。由于碳化硅的耐压性和耐温性较低，这些设备能够以较低的功率损耗在较高的频率下工作。碳化硅是通过使用艾奇逊工艺的电炉和加热硅砂生产出来的。

碳化硅 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是电力电子应用中的重要元件，具有宽带隙、高击穿电压和高电流密度等特性。这些电源特别适用于 LLC 和 ZVS 等硬开关拓扑结构，以更小的元件提供更高的系统效率，从而实现更紧凑的设计、更低的系统成本和更高的能效。

Silicon carbide (SiC) is an ultrahard synthetic material first synthesized in 1891 by Edward Acheson in a furnace heated with carbon and alumina. Since its release into industry as an industrial abrasive in the 1920s, SiC has quickly become one of the most sought-after materials on a large scale. SiC comes in various crystal structures

碳化硅晶片可用作二极管和 MOSFET 等电力电子设备的基板，具有硬度高、耐热和耐压稳定以及抗氧化性好等优点。有直径 100 毫米和 150 毫米两种规格可供选择。这些基底还能防止温度骤变引起的热冲击，其低热量、高稳定性和高抗氧化性使其成为功率电子器件（如二极管和 MOSFET）的理想材料。

反应结合碳化硅是一种超弹性陶瓷材料，具有极高的抗冲击和抗磨损强度、抗热震性和抗化学侵蚀性。多孔碳化硅和碳颗粒的配方在渗入液态或气态硅后，由于硅和碳之间的化学反应而产生自键。硅与碳反应形成额外的碳化硅

碳化硅是最坚硬、最耐用的先进陶瓷材料之一。它能在高温下保持强度，同时具有耐酸、耐碱和耐熔盐的特性。通过化学气相沉积法生产的 CVD 碳化硅是一种纯度极高的材料，其导热性优于烧结或反应结合碳化硅。它是一种

碳化硅是一种高性能陶瓷，具有优异的硬度、耐磨性和导热性。然而，其复杂的几何形状使得精确加工极具挑战性；在加工时必须使用金刚石工具才能达到最高精度。圣戈班利用多种制造途径来生产最高等级的烧结碳化硅产品。我们采用反应烧结和无压

碳化硅坩埚设计用于在地面炉或电炉中熔化铜、银、金和铅锌等有色金属。其特点包括抗氧化性强、污染少和导热性能优异。坩埚经常会因过热而损坏；在这种情况下会出现从底部边缘延伸到顶部的纵向裂纹，但也有可能出现裂缝。