BİLGİ

Silicon carbide is an increasingly popular material choice for use in electronics applications due to its hardness, thermal conductivity and chemical stability properties. Furthermore, its insulation qualities make it suitable for circuit boards and other components. Silicon carbide’s wider bandgap makes it suitable for use in semiconductor electronics devices that operate at higher frequencies and […]

Sıcak yüzey ateşleyicilerin ortaya çıkmasından önce, gaz fırınlarında kıvılcım ateşleme kullanılıyordu. Küçük bir pilot alev tüm yıl boyunca yanar ve gaz sadece gerektiğinde akardı. Bu ateşleyiciler silisyum karbür veya silisyum nitrürden yapılmıştır ve kablo bağlantılarını yalıtmak için seramik tabanlara sahiptir. Çalışma voltajı aralığı 80 ila 240 V DC'dir. 1. Uzun Ömür

Bant boşlukları, elektronların ve deliklerin kendi valans bantlarından iletim bantlarına veya iletim bantlarına geçmeleri için gereken enerjiyi ölçer. Galyum Nitrür (GaN) veya Silikon Karbür (SiC) gibi daha geniş bant aralıklarına sahip yarı iletkenler, standart silikondan önemli ölçüde daha büyük bant aralıklarına sahiptir ve bu malzemeleri yüksek voltaj/frekans uygulamaları için uygun hale getirir. 1. Geniş

Like diamond, graphene and other exotic materials, amorphous silicon carbide (a-SiC) is an exceptionally strong material – however unlike its crystalline counterparts it does not exhibit long range order in its atomic arrangement. This anomaly helps explain how this material manages to achieve such remarkable tensile strength; Professor Norte estimates that up to 10 medium-sized

Silicon carbide semiconductors boast wider bandgaps that enable electrical energy transfer more efficiently than their silicon counterparts, making them suitable for applications like power electronics for electric vehicles and space exploration instruments. This makes silicon carbide particularly suited for use on rovers and probes. Coherent is establishing a new subsidiary to supply 150 mm and

Silisyum karbür, endüstriyel süreçlerde devrim yaratabilecek yenilikçi bir malzemedir. Bu çığır açan madde, olağanüstü güç ve uzun ömür sunarken aşırı sıcaklıklara, aşındırıcı ortamlara ve korozyona karşı iyi dayanır. Silisyum karbür borular sertlik açısından elmastan sonra ikinci sırada yer alır ve kimyasalları bozulmadan taşıyabilir - bu iki özellik onları mükemmel kılar

Silisyum karbür güç elektroniğinde devrim yaratıyor. Önemli performans iyileştirmeleri sunarken yavaş yavaş geleneksel silikon transistörlerin yerini alıyor. Malzemenin fiziksel ve elektronik özellikleri nedeniyle mühendisler kendilerini bu teknolojiyi benimseme konusunda isteksiz bulabilirler. Ne yazık ki, yanlış anlamalar onları bu teknolojiyi tamamen benimsemekten alıkoyabilir. Silisyum karbür doğal olarak mozanit taşlarında ve sentetik olarak oluşur

Silisyum karbürün sert ve rijit yüzey özellikleri onu astronomik teleskoplar için mükemmel bir ayna malzemesi yapmakta ve aynı zamanda karasal elektrikli araçlarda ve uzay aracı sondalarında güç elektroniğinin önemli bir parçasını oluşturmaktadır. Khan, DENSO ve Mitsubishi Electric'in hem substrat hem de epiwafer seviyelerinde SiC çipleri aktif olarak tedarik eden iki lider sistem şirketi olduğunu belirtiyor. Ne

Silisyum karbür, aşındırıcı aletlerin yapımında kullanılan en sert malzemelerden biridir. Hasar görmeden veya performansından ödün vermeden aşırı ısı ve basınca dayanabilir. Bu diskler sert doğal taş yüzeylerin zımparalanması ve parlatılması için idealdir, hızlı malzeme kaldırma sağlarken aynı zamanda şık bir yüzey kalitesi oluşturur. Mevcut ürünler

Silisyum Karbür (SiC), dönüşümlü olarak bir elektrik iletkeni veya yalıtkan olarak hareket edebilen son derece geniş bir bant aralığına sahip inorganik bir yarı iletken malzemedir ve geleneksel silikon yarı iletkenlere göre üstün elektrik iletkenliği nedeniyle güç elektroniğinde kullanışlıdır. EAG Laboratuvarları, SiC üzerinde toplu ve uzamsal olarak çözümlenmiş analitik teknikler gerçekleştirme konusunda kapsamlı uzmanlığa sahiptir.