znanje

Silicon carbide is an increasingly popular material choice for use in electronics applications due to its hardness, thermal conductivity and chemical stability properties. Furthermore, its insulation qualities make it suitable for circuit boards and other components. Silicon carbide’s wider bandgap makes it suitable for use in semiconductor electronics devices that operate at higher frequencies and […]

Pred pojavom vžigalnikov z vročo površino so plinske peči uporabljale vžig z iskro. Majhen pilotni plamen je gorel vse leto, plin pa je tekel le po potrebi. Ti vžigalniki so izdelani iz silicijevega karbida ali silicijevega nitrida in imajo keramično podlago za izolacijo žičnih povezav. Območje delovne napetosti je od 80 do 240 V enosmernega toka. 1. Dolga življenjska doba

Pasovne vrzeli merijo energijo, ki jo potrebujejo elektroni in luknje za prehod iz svojih valenčnih pasov v prevodne pasove ali prevodne pasove. Polprevodniki s širšimi pasovnimi vrzelmi, kot sta galijev nitrid (GaN) ali silicijev karbid (SiC), imajo bistveno večje pasovne vrzeli kot standardni silicij, zato so ti materiali primerni za visokonapetostne/frekvenčne aplikacije. 1. Široka

Amorfni silicijev karbid (a-SiC) je tako kot diamant, grafen in drugi eksotični materiali izjemno močan material, vendar v nasprotju s svojimi kristalnimi vrstniki nima dolgotrajnega reda v svoji atomski razporeditvi. Ta anomalija pomaga razložiti, kako lahko ta material doseže tako izjemno natezno trdnost; profesor Norte ocenjuje, da je do 10 srednje velikih

Polprevodniki iz silicijevega karbida se ponašajo s širšimi pasovnimi vrzelmi, ki omogočajo učinkovitejši prenos električne energije kot njihovi silicijevi kolegi, zato so primerni za aplikacije, kot so močnostna elektronika za električna vozila in instrumenti za raziskovanje vesolja. Zato je silicijev karbid še posebej primeren za uporabo v roverjih in sondah. Podjetje Coherent ustanavlja novo hčerinsko družbo za dobavo 150 mm in

Silicijev karbid je inovativen material, ki lahko revolucionarno spremeni industrijske procese. Ta revolucionarna snov je odporna na ekstremne temperature, abrazivna okolja in korozijo, hkrati pa zagotavlja izjemno trdnost in dolgo življenjsko dobo. Cevi iz silicijevega karbida so po trdoti na drugem mestu za diamantom in lahko prenašajo kemikalije brez razgradnje - dve lastnosti, zaradi katerih so popolne

Silicijev karbid revolucionarno spreminja močnostno elektroniko. Počasi nadomešča tradicionalne silicijeve tranzistorje, hkrati pa ponuja znatne izboljšave zmogljivosti. Zaradi fizikalnih in elektronskih lastnosti materiala se lahko zgodi, da inženirji neradi sprejmejo to tehnologijo. Žal jih lahko napačna prepričanja ovirajo pri njeni popolni uvedbi. Silicijev karbid se pojavlja v naravi kot moissanitni dragulji in sintetično

Zaradi trdnosti in togosti površine je silicijev karbid odličen material za izdelavo zrcal v astronomskih teleskopih, poleg tega pa predstavlja ključni del močnostne elektronike v zemeljskih električnih vozilih in vesoljskih sondah. Khan opozarja, da sta DENSO in Mitsubishi Electric dve vodilni sistemski podjetji, ki aktivno nabavljata SiC-čipe tako na ravni substratov kot na ravni epitaxialnih rezin. Kaj

Silicijev karbid je eden najtrših materialov, ki se uporabljajo za izdelavo brusilnih orodij. Odporen je na ekstremne temperature in pritiske, ne da bi se pri tem poškodoval ali da bi se zmanjšala njegova učinkovitost. Ti diski so idealni za brušenje in poliranje trdih površin iz naravnega kamna, saj omogočajo hitro odstranjevanje materiala in hkrati ustvarjajo gladko končno površino. Na voljo v

Silicijev karbid (SiC) je anorganski polprevodniški material z izjemno široko energijsko vrzeljo, ki lahko deluje bodisi kot električni prevodnik bodisi kot izolator, zaradi česar je uporaben v močnostni elektroniki zaradi svoje vrhunske električne prevodnosti v primerjavi s tradicionalnimi silicijevimi polprevodniki. Podjetje EAG Laboratories ima obsežno strokovno znanje na področju izvajanja analitičnih tehnik za celotno maso in prostorsko ločene analize na SiC.