zināšanas

Silicon carbide is an increasingly popular material choice for use in electronics applications due to its hardness, thermal conductivity and chemical stability properties. Furthermore, its insulation qualities make it suitable for circuit boards and other components. Silicon carbide’s wider bandgap makes it suitable for use in semiconductor electronics devices that operate at higher frequencies and […]

Pirms karstās virsmas aizdedzes ierīču parādīšanās gāzes krāsnīs tika izmantota dzirksteļaizdedze. Neliela pilotuguns dega visu gadu, un gāze plūda tikai tad, kad tas bija nepieciešams. Šie aizdedzes mehānismi ir izgatavoti no silīcija karbīda vai silīcija nitrīda un aprīkoti ar keramikas pamatnēm, kas izolē vadu savienojumus. Darba sprieguma diapazons ir no 80 līdz 240 V līdzstrāvas. 1. Ilgs kalpošanas laiks

Bandas spraugas raksturo enerģiju, kas nepieciešama elektroniem un caurumiem, lai pārvietotos no savām attiecīgajām valences joslām uz vadības joslām. Pusvadītājiem ar plašākām joslu plaisām, piemēram, gallija nitrīdam (GaN) vai silīcija karbīdam (SiC), ir ievērojami lielākas joslu plaisas nekā standarta silīcijam, tādēļ šie materiāli ir piemēroti lietošanai augstsprieguma un augstfrekvences lietojumos. 1. Plaša

Tāpat kā dimants, grafēns un citi eksotiskie materiāli, amorfais silīcija karbīds (a-SiC) ir ārkārtīgi izturīgs materiāls – tomēr, atšķirībā no saviem kristāliskajiem analogiem, tā atomu izkārtojumā nav novērojama tālsniedzības kārtība. Šī anomālija palīdz izskaidrot, kā šim materiālam izdodas sasniegt tik ievērojamu stiepes izturību; profesors Norte lēš, ka līdz pat 10 vidēja izmēra

Silicon carbide semiconductors boast wider bandgaps that enable electrical energy transfer more efficiently than their silicon counterparts, making them suitable for applications like power electronics for electric vehicles and space exploration instruments. This makes silicon carbide particularly suited for use on rovers and probes. Coherent is establishing a new subsidiary to supply 150 mm and

Silīcija karbīds ir inovatīvs materiāls, kas spēj radīt revolūciju rūpniecības procesos. Šī revolucionārā viela labi iztur ekstrēmas temperatūras, abrazīvu vidi un koroziju, vienlaikus nodrošinot izcilu izturību un ilgmūžību. Silīcija karbīda caurules pēc cietības ir otrās pēc dimanta, un tās var pārnēsāt ķīmiskās vielas bez degradācijas - divas īpašības, kas padara tās ideāli piemērotas.

Silīcija karbīds revolucionāri maina energoelektroniku. Tas lēnām aizstāj tradicionālos silīcija tranzistorus, vienlaikus piedāvājot ievērojamus veiktspējas uzlabojumus. Materiāla fizikālo un elektronisko īpašību dēļ inženieri var atturēties pieņemt šo tehnoloģiju. Diemžēl kļūdaini priekšstati var atturēt viņus no tās pilnīgas ieviešanas. Silīcija karbīds sastopams dabā kā moisanīta dārgakmeņi un sintētiski.

Silīcija karbīda cietās un stingrās virsmas īpašības padara to par lielisku astronomisko teleskopu spoguļu materiālu, kā arī par galveno daļu no elektroiekārtu elektronikas sauszemes elektriskajos transportlīdzekļos un kosmosa zondēs. Khan atzīmē, ka DENSO un Mitsubishi Electric ir divi vadošie sistēmu uzņēmumi, kas aktīvi iepērk SiC mikroshēmas gan substrātu, gan epiwafer līmenī. Ko

Silīcija karbīds ir viens no cietākajiem materiāliem, ko izmanto abrazīvo instrumentu izgatavošanā. Tas var izturēt gan karstuma, gan spiediena ekstrēmus apstākļus, nesabojājot un nepasliktinot veiktspēju. Šie diski ir ideāli piemēroti cietu dabīgā akmens virsmu slīpēšanai un pulēšanai, nodrošinot ātru materiāla noņemšanu un vienlaikus radot gludu virsmas apdari. Pieejami

Silīcija karbīds (SiC) ir neorganisks pusvadītāju materiāls ar ārkārtīgi platu joslas spraugu, kas var pārmaiņus darboties kā elektrovadītājs vai izolators, tādējādi tas ir noderīgs energoelektronikā, jo tā elektrovadītspēja ir augstāka nekā tradicionālajiem silīcija pusvadītājiem. EAG Laboratories ir plaša pieredze SiC masveida un telpiski izšķirtu analītisko metožu veikšanā.