Okamoto et al. measured the conductivity of silicon carbide at various temperatures and found that small amounts of Si additive did not increase conductivity by two to three orders of magnitude, but exceeding 5 mol% caused conductivity levels to soar by up to three orders of magnitude. Silicon carbide is a semiconductor material, capable of […]

Amorfný karbid kremíka (a-SiC) si získal obrovskú pozornosť vďaka svojim variabilným optickým a elektronickým vlastnostiam. Keďže sa vyznačuje tuhosťou, nízkou teplotnou rozťažnosťou a priehľadnosťou vo viditeľnom svetle, je atraktívnym materiálom pre zrkadlá teleskopov. Materiálová veda zažíva revolúciu so zavedením tohto nového materiálu: a-SiC. Vďaka vlastnostiam, ktoré spájajú pevnosť s

4H-SiC je čoraz populárnejší polytyp karbidu kremíka. Vďaka svojmu širokému pásmovému rozhraniu a vynikajúcim tepelným, elektrickým a mechanickým vlastnostiam je ideálnym materiálom pre aplikácie výkonovej elektroniky. Skúmali sme pružnú deformáciu a praskanie monokryštalickej vzorky 4H-SiC s orientáciou [0001] vykonaním štvornásobného zaťaženia a odľahčenia tlakovou deformáciou.

Whiskery karbidu kremíka, mikrometrové častice s výnimočnými fyzikálnymi a chemickými vlastnosťami, si získali značný výskumný záujem vďaka ich širokému využitiu v mnohých oblastiach vrátane vysokoteplotných konštrukčných materiálov a nástrojovej keramiky. Mullitová keramika je vysoko chemicky stabilný žiaruvzdorný materiál s vynikajúcimi mechanickými a fyzikálnymi vlastnosťami, ako je vysoká tvrdosť a teplotné tečenie

Technológia invertorov z karbidu kremíka je vzrušujúcim pokrokom v oblasti výkonových polovodičov. V porovnaní s bežnými kremíkovými zariadeniami sa môže pochváliť viacerými výhodami vrátane až desaťkrát nižších výkonových strát a lepších tepelných vlastností. Spoločnosť McLaren Applied využíva vysokonapäťový polovodičový tranzistor CoolSiC na báze oxidov kovov (MOSFET), ktorý bol navrhnutý špeciálne na zvládnutie vysokonapäťových systémov s napätím 800 V, ktoré sa nachádzajú v elektrických

Karbid kremíka, častejšie označovaný ako karborundum, je extrémne tvrdá syntetická kryštalická zlúčenina zložená z kremíka a uhlíka, ktorá sa vyznačuje vysokou tepelnou vodivosťou, nízkym koeficientom rozťažnosti, odolnosťou voči chemickým reakciám a polovodičovými schopnosťami. Moissanit, jeho prírodný náprotivok, sa vyskytuje ako minerál, ale nachádza sa len vo veľmi obmedzenom množstve v

Karbid kremíka (SiC) dokáže odolávať vysokým napäťovým požiadavkám energetických systémov elektrických vozidiel. Spoločnosť Wolfspeed ponúka riešenia izolácie navrhnuté špeciálne na podporu SiC konštrukcií pre meniče na riadenie trakcie. Rast trhu s karbidom kremíka Rast automobilového priemyslu je hnacou silou rastu trhu s karbidom kremíka, zatiaľ čo jeho vysoká teplotná odolnosť podporuje dopyt zo strany žiaruvzdorného sektora. Automobilový priemysel

Karbid kremíka je neuveriteľný materiál s výnimočnou tvrdosťou a trvanlivosťou, ktorý revolučným spôsobom zmení každú sadu nástrojov pre remeselníkov. Remeselníci ho môžu používať na presné a jednoduché tvarovanie, vyhladzovanie a zarovnávanie povrchov - čím sa pozdvihne ich dokončovací proces a remeselníkom sa sprístupnia možnosti presného dokončovania. Nezáleží na tom, aký materiál sa brúsi - jemné dyhy alebo husté

Karbid kremíka sa používa v elektronických zariadeniach, ktoré zosilňujú, prepínajú alebo konvertujú signály v rámci elektrického obvodu. Vďaka nižšiemu napäťovému odporu a teplotným schopnostiam sú tieto zariadenia schopné pracovať pri vyšších frekvenciách s menšími výkonovými stratami. SiC sa vyrába v elektrickej peci Achesonovým procesom a zahrievaním kremičitého piesku

MOSFETy z karbidu kremíka (tranzistory s kovovo-oxidovým polovodičovým poľom) sú základnými prvkami v aplikáciách výkonovej elektroniky, ktoré ponúkajú široké pásmo, vysoké prierazné napätie a prúdovú hustotu. Tieto napájacie zdroje sú obzvlášť vhodné pre topológie s tvrdým spínaním, ako sú LLC a ZVS, a poskytujú vyššiu účinnosť systému s menšími komponentmi pre kompaktnejšie konštrukcie pri znížených nákladoch na systém a energetickú účinnosť.