vedomosti

Karbid kremíka (SiC) dokáže odolávať vysokým napäťovým požiadavkám energetických systémov elektrických vozidiel. Spoločnosť Wolfspeed ponúka riešenia izolácie navrhnuté špeciálne na podporu SiC konštrukcií pre meniče na riadenie trakcie. Rast trhu s karbidom kremíka Rast automobilového priemyslu je hnacou silou rastu trhu s karbidom kremíka, zatiaľ čo jeho vysoká teplotná odolnosť podporuje dopyt zo strany žiaruvzdorného sektora. Automobilový priemysel [...]

Karbid kremíka je neuveriteľný materiál s výnimočnou tvrdosťou a trvanlivosťou, ktorý revolučným spôsobom zmení každú sadu nástrojov pre remeselníkov. Remeselníci ho môžu používať na presné a jednoduché tvarovanie, vyhladzovanie a zarovnávanie povrchov - čím sa pozdvihne ich dokončovací proces a remeselníkom sa sprístupnia možnosti presného dokončovania. Nezáleží na tom, aký materiál sa brúsi - jemné dyhy alebo husté

Karbid kremíka sa používa v elektronických zariadeniach, ktoré zosilňujú, prepínajú alebo konvertujú signály v rámci elektrického obvodu. Vďaka nižšiemu napäťovému odporu a teplotným schopnostiam sú tieto zariadenia schopné pracovať pri vyšších frekvenciách s menšími výkonovými stratami. SiC sa vyrába v elektrickej peci Achesonovým procesom a zahrievaním kremičitého piesku

MOSFETy z karbidu kremíka (tranzistory s kovovo-oxidovým polovodičovým poľom) sú základnými prvkami v aplikáciách výkonovej elektroniky, ktoré ponúkajú široké pásmo, vysoké prierazné napätie a prúdovú hustotu. Tieto napájacie zdroje sú obzvlášť vhodné pre topológie s tvrdým spínaním, ako sú LLC a ZVS, a poskytujú vyššiu účinnosť systému s menšími komponentmi pre kompaktnejšie konštrukcie pri znížených nákladoch na systém a energetickú účinnosť.

Karbid kremíka (SiC) je veľmi tvrdý syntetický materiál, ktorý prvýkrát syntetizoval Edward Acheson v roku 1891 v peci zahriatej uhlíkom a oxidom hlinitým. Od jeho uvedenia do priemyslu ako priemyselného abrazíva v 20. rokoch 20. storočia sa SiC rýchlo stal jedným z najvyhľadávanejších materiálov vo veľkom meradle. SiC má rôzne kryštálové štruktúry

Karbid kremíka sa používa ako substrát v zariadeniach výkonovej elektroniky, ako sú diódy a MOSFETy, pretože ponúka vynikajúcu tvrdosť, stabilitu pri vysokých teplotách a napätí a nereaktívnosť, pokiaľ ide o odolnosť voči oxidácii. K dispozícii sú vo veľkostiach s priemerom 100 mm a 150 mm. Tieto substráty poskytujú aj ochranu pred tepelnými šokmi spôsobenými náhlymi zmenami teploty, pričom ich nízka

Reakčne viazaný karbid kremíka je mimoriadne odolný keramický materiál, ktorý ponúka výnimočnú pevnosť proti nárazom a opotrebovaniu, odolnosť proti tepelným šokom a chemickým vplyvom. Formulácie poréznych častíc SiC a uhlíka sa po infiltrácii kvapalným alebo plynným kremíkom stávajú samoviazanými v dôsledku chemickej reakcie medzi kremíkom a uhlíkom. Kremík reaguje s uhlíkom za vzniku ďalšieho karbidu kremíka

Karbid kremíka je jedným z najtvrdších a najodolnejších moderných keramických materiálov. Dokáže si zachovať svoju pevnosť pri vysokých teplotách a zároveň je odolný voči kyselinám, zásadám a roztaveným soliam. CVD SiC, vyrábaný chemickým vylučovaním z plynnej fázy, je extrémne čistá forma s lepšou tepelnou vodivosťou ako spekaný alebo reakčne viazaný SiC. Je to

Karbid kremíka je vysoko výkonná keramika s výnimočnou tvrdosťou, odolnosťou proti opotrebovaniu a tepelnou vodivosťou. Jeho zložitá geometria však spôsobuje, že presné obrábanie je mimoriadne náročné; pri práci s ním sa musia používať diamantové nástroje na dosiahnutie maximálnej presnosti. Spoločnosť Saint-Gobain využíva viaceré spôsoby výroby na výrobu najkvalitnejších produktov zo spekaného karbidu kremíka. Používame reakčné spekanie a beztlakové spekanie.

Tygliky z karbidu kremíka sú určené na tavenie neželezných kovov, ako je meď, striebro, zlato a olovo a zinok, v zemných alebo elektrických peciach. Medzi ich vlastnosti patrí vysoká odolnosť voči oxidácii, menšie znečistenie a vynikajúca tepelná vodivosť. Tégle sa často poškodzujú v dôsledku prehriatia; v takomto prípade môžu vzniknúť pozdĺžne trhliny tiahnuce sa od spodného okraja k hornému, ale