wiedza

Silicon carbide is an increasingly popular material choice for use in electronics applications due to its hardness, thermal conductivity and chemical stability properties. Furthermore, its insulation qualities make it suitable for circuit boards and other components. Silicon carbide’s wider bandgap makes it suitable for use in semiconductor electronics devices that operate at higher frequencies and […]

Przed pojawieniem się zapłonników powierzchniowych piece gazowe wykorzystywały zapłon iskrowy. Mały płomień pilotujący palił się przez cały rok, a gaz płynął tylko wtedy, gdy było to konieczne. Zapłonniki te są zbudowane z węglika krzemu lub azotku krzemu i posiadają ceramiczne podstawy izolujące połączenia przewodów. Zakres napięcia roboczego wynosi od 80 do 240 V DC. 1. Długa żywotność

Szczeliny pasmowe mierzą energię wymaganą do przejścia elektronów i dziur z ich odpowiednich pasm walencyjnych do pasm przewodzenia lub pasm przewodzenia. Półprzewodniki z szerszymi przerwami pasmowymi, takie jak azotek galu (GaN) lub węglik krzemu (SiC), mają znacznie większe przerwy pasmowe niż standardowy krzem, dzięki czemu materiały te nadają się do zastosowań o wysokim napięciu/częstotliwości. 1. Szerokie

Podobnie jak diament, grafen i inne egzotyczne materiały, amorficzny węglik krzemu (a-SiC) jest wyjątkowo wytrzymałym materiałem - jednak w przeciwieństwie do swoich krystalicznych odpowiedników nie wykazuje uporządkowania dalekiego zasięgu w układzie atomów. Ta anomalia pomaga wyjaśnić, w jaki sposób materiał ten osiąga tak niezwykłą wytrzymałość na rozciąganie; profesor Norte szacuje, że do 10 średnich rozmiarów

Półprzewodniki z węglika krzemu charakteryzują się szerszym pasmem wzbronionym, które umożliwia transfer energii elektrycznej bardziej efektywnie niż ich krzemowe odpowiedniki, dzięki czemu nadają się do zastosowań takich jak elektronika zasilająca pojazdy elektryczne i instrumenty do eksploracji kosmosu. Sprawia to, że węglik krzemu jest szczególnie odpowiedni do stosowania w łazikach i sondach. Firma Coherent zakłada nową spółkę zależną, która będzie dostarczać 150 mm i więcej węglika krzemu.

Węglik krzemu to innowacyjny materiał, który może zrewolucjonizować procesy przemysłowe. Ta przełomowa substancja dobrze znosi ekstremalne temperatury, środowiska ścierne i korozję, oferując jednocześnie wyjątkową wytrzymałość i długowieczność. Rury z węglika krzemu pod względem twardości ustępują tylko diamentowi i mogą transportować chemikalia bez degradacji - dwie cechy, które sprawiają, że są idealne

Węglik krzemu rewolucjonizuje elektronikę mocy. Powoli zastępuje tradycyjne tranzystory krzemowe, oferując jednocześnie znaczny wzrost wydajności. Ze względu na fizyczne i elektroniczne właściwości materiału, inżynierowie mogą niechętnie podchodzić do tej technologii. Niestety, błędne przekonania mogą powstrzymywać ich przed jej pełnym przyjęciem. Węglik krzemu występuje naturalnie jako klejnoty moissanitowe i syntetycznie

Silicon carbide’s hard and rigid surface properties make it an excellent mirror material for astronomical telescopes, and also form a key part of power electronics in terrestrial electric vehicles and spacecraft probes. Khan notes that DENSO and Mitsubishi Electric are two leading system companies actively procuring SiC chips on both substrate and epiwafer levels. What

Silicon carbide is one of the hardest materials used to craft abrasive tools. It can withstand extremes of both heat and pressure without becoming damaged or becoming compromised in performance. These discs are ideal for sanding and polishing hard natural stone surfaces, providing fast material removal while simultaneously creating a sleek surface finish. Available in

Silicon Carbide (SiC) is an inorganic semiconductor material with an extremely wide bandgap that can alternately act as either an electrical conductor or insulator, making it useful in power electronics due to its superior electrical conductivity over traditional silicon semiconductors. EAG Laboratories has extensive expertise in performing bulk and spatially resolved analytic techniques on SiC