kunnskap

Silicon Carbide (SiC) has emerged as an essential technological material. It’s utilized for use in abrasives, technical ceramics and refractories – as well as semiconductor manufacturing. Produced by heating silica sand mixed with carbon in the form of petroleum coke at high temperatures in huge open “Acheson” furnaces, SiC is then produced in both Green […]

Silisiumkarbid er et slipende materiale som ofte brukes i slipeskiver, slipebånd og blåsemidler. Det er en uorganisk kjemisk forbindelse som konkurrerer med diamant og borkarbid når det gjelder hardhet. Svart silisiumkarbid (karborundum) er et av de mest brukte slipemidlene, med harde og kantete korn som gir effektiv bearbeiding av

Silisiumkarbid (SiC) har en uvanlig krystallstruktur. Det inneholder fire Si- og fire C-atomer i et ordnet koordinasjonstetraederarrangement med lag som er stablet i polytyper som danner det primære koordinasjonstetraederet. Elektrisk sett tåler silisiumkarbid fem-ti ganger høyere spenninger enn silisium. Dette gjør det til et utmerket materialvalg for kraft

Teknologiske fremskritt skjer bare én gang i en generasjon for halvlederbedrifter, og de som tar dem til seg, kan høste enorme fortjenester. Cree, nå Wolfspeed, kan dra nytte av trenden mot kraftkomponenter av silisiumkarbid. Deres innovasjoner innen enhetsdesign og -produksjon gjør at de kan produsere mindre brikker med samme effekt på hver wafer - og dermed utvide

Okamoto og medarbeidere målte ledningsevnen til silisiumkarbid ved ulike temperaturer og fant at små mengder Si-tilsetning ikke økte ledningsevnen med to til tre størrelsesordener, men over 5 mol% førte til at ledningsevnen steg med opptil tre størrelsesordener. Silisiumkarbid er et halvledermateriale som kan

Amorft silisiumkarbid (a-SiC) har fått enorm oppmerksomhet på grunn av sine varierende optiske og elektroniske egenskaper. Stivhet, lav termisk ekspansjon og gjennomsiktighet i synlig lys gjør det til et attraktivt materiale for teleskopspeil. Materialvitenskapen opplever en revolusjon med introduksjonen av dette nye materialet: a-SiC. Med egenskaper som kombinerer styrke med

4H-SiC er en stadig mer populær polytype av silisiumkarbid. På grunn av det brede båndgapet og de utmerkede termiske, elektriske og mekaniske egenskapene er det et ideelt materiale for kraftelektroniske applikasjoner. Vi undersøkte den elastiske deformasjonen og sprekkdannelsen til en enkeltkrystall 4H-SiC-søyleprøve med [0001]-orientering ved å utføre fire ganger belastning og avlastning av kompresjonsstamme

Silisiumkarbid whiskers, enkeltkrystalliske partikler i mikrometerstørrelse med fremragende fysiske og kjemiske egenskaper, har vakt stor forskningsinteresse på grunn av sine mange bruksområder, blant annet høytemperatur strukturmaterialer og verktøykeramikk. Mullittkeramikk er et svært kjemisk stabilt ildfast materiale med overlegne mekaniske og fysiske egenskaper, som høy hardhet og temperaturkryping.

Silisiumkarbid-omformerteknologi er et spennende fremskritt innen halvlederteknologi. Den har flere fordeler i forhold til konvensjonelle silisiumenheter, blant annet opptil ti ganger lavere effekttap og bedre termisk ytelse. McLaren Applied bruker en høyspennings CoolSiC metalloksidhalvleder-felteffekttransistor (MOSFET), som er utviklet spesielt for å håndtere høyspenningssystemer på 800 volt som finnes i elektriske

Silisiumkarbid, ofte kalt karborundum, er en ekstremt hard syntetisk krystallinsk forbindelse som består av silisium og karbon, og som kjennetegnes av høy varmeledningsevne, lav utvidelseskoeffisient, motstand mot kjemiske reaksjoner og halvledende egenskaper. Moissanitt, det naturlige motstykket, forekommer som mineral, men finnes bare i svært begrensede mengder i