Siliziumkarbid (SiC) ist ein ultraharter synthetischer Werkstoff, der erstmals 1891 von Edward Acheson in einem mit Kohlenstoff und Aluminiumoxid beheizten Ofen synthetisiert wurde. Seit seiner Einführung in der Industrie als industrielles Schleifmittel in den 1920er Jahren hat sich SiC schnell zu einem der gefragtesten Materialien in großem Maßstab entwickelt. SiC kommt in verschiedenen Kristallstrukturen vor […]

Siliziumkarbid-Wafer werden als Substrate in leistungselektronischen Bauelementen wie Dioden und MOSFETs verwendet und zeichnen sich durch hervorragende Härte, Stabilität bei Hitze- und Spannungsbelastung sowie Nichtreaktivität hinsichtlich der Oxidationsbeständigkeit aus. Erhältlich in den Durchmessern 100 mm und 150 mm. Diese Substrate bieten zudem Schutz vor Thermoschock durch plötzliche Temperaturänderungen, da sie eine geringe

Reaktionsgebundenes Siliziumkarbid ist ein extrem widerstandsfähiger Keramikwerkstoff, der sich durch außergewöhnliche Schlag- und Verschleißfestigkeit, Temperaturwechselbeständigkeit sowie Beständigkeit gegen chemische Einwirkungen auszeichnet. Mischungen aus porösem SiC und Kohlenstoffpartikeln werden durch die Infiltration mit flüssigem oder gasförmigem Silizium aufgrund einer chemischen Reaktion zwischen Silizium und Kohlenstoff selbstbindend. Silizium reagiert mit Kohlenstoff und bildet dabei zusätzliches Siliziumkarbid.

Siliziumkarbid ist eines der härtesten und widerstandsfähigsten Hochleistungskeramikmaterialien. Es behält seine Festigkeit auch bei hohen Temperaturen bei und ist zudem beständig gegen Säuren, Laugen und geschmolzene Salze. CVD-SiC, das durch chemische Gasphasenabscheidung hergestellt wird, ist eine äußerst reine Form mit einer höheren Wärmeleitfähigkeit als gesintertes oder reaktionsgebundenes SiC. Es ist ein

Siliziumkarbid ist eine Hochleistungskeramik mit außergewöhnlicher Härte, Verschleißfestigkeit und Wärmeleitfähigkeit. Aufgrund seiner komplexen Geometrie ist die präzise Bearbeitung jedoch äußerst anspruchsvoll; für maximale Genauigkeit müssen bei der Bearbeitung Diamantwerkzeuge eingesetzt werden. Saint-Gobain nutzt verschiedene Fertigungsverfahren, um Sinterprodukte aus Siliziumkarbid höchster Qualität herzustellen. Wir setzen Reaktionssintern und druckloses

Tiegel aus Siliziumkarbid sind für das Schmelzen von Nichteisenmetallen wie Kupfer, Silber, Gold und Blei-Zink in Erdöfen oder Elektroöfen ausgelegt. Zu ihren Eigenschaften zählen eine hohe Oxidationsbeständigkeit, eine geringere Umweltbelastung und eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit. Tiegel werden häufig durch Überhitzung beschädigt; in diesem Fall können Längsrisse entstehen, die sich vom unteren Rand bis zur Oberkante erstrecken, aber

Siliziumkarbid (SiC) ist eine außergewöhnlich harte kristalline Verbindung aus Silizium und Kohlenstoff, die in der Natur als Moissanit vorkommt und Halbleitereigenschaften aufweist. Industriell hergestelltes Pulver kann für Schleif- und Schneidvorgänge verwendet werden. Edward Acheson synthetisierte 1891 erstmals künstlich Moissanit, indem er elektrische Wärme aus einem Kraftwerk nutzte, um Siliziumdioxid mit Kohlenstoff zu verbinden, wodurch

Zum Brennofenmobiliar gehören die Regalböden, auf denen Keramikgegenstände während des Brennvorgangs im Brennofen liegen. Stöcke aus stickstoffgebundenem Siliziumkarbid sind aufgrund ihrer Abriebfestigkeit und mechanischen Festigkeit eine ausgezeichnete Wahl und bieten optimale Bedingungen für den Einsatz im Brennofen. LO-MASS-Stöcke sind 19-mal fester und 50% leichter als herkömmliche Cordierit-Stöcke und tragen dennoch

Schleifscheiben aus Siliziumkarbid werden häufig zum Schleifen und Trennen von Metall eingesetzt und sind in verschiedenen Körnungen erhältlich, um den unterschiedlichen Anforderungen und Härten von Metallen gerecht zu werden. Härtere, sprödere Werkstoffe erfordern feinere Körnungen, während solche mit geringerer Zugfestigkeit gröbere Körnungen benötigen. Schleifmittel aus Siliziumkarbid mit hoher Härte sind deutlich härter als solche aus Aluminiumoxid. Darüber hinaus,

Halbleiter aus Siliziumkarbid bieten mehrere Vorteile, die sie zu einer attraktiven Alternative zu Bauteilen auf Siliziumbasis machen, darunter ihre Fähigkeit, hohe Spannungen zu vertragen, die thermische Effizienz zu steigern und Größe und Gewicht von Leistungselektronikbauteilen in Elektrofahrzeugen zu reduzieren. SiC kommt in der Natur in Moissanit-Edelsteinen und Kimberlit-Lagerstätten vor, wird jedoch größtenteils synthetisch für den Einsatz in elektronischen Bauteilen hergestellt,