MOSFET-er (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) av silisiumkarbid er viktige elementer i kraftelektroniske applikasjoner, med bredt båndgap, høy gjennomslagsspenning og høy strømtetthet. Disse strømforsyningene er spesielt godt egnet for hard-switching-topologier som LLC og ZVS, og gir høyere systemeffektivitet med mindre komponenter for mer kompakt design til reduserte systemkostnader og en energieffektiv [...].

Silisiumkarbid (SiC) er et ultrahardt syntetisk materiale som først ble syntetisert i 1891 av Edward Acheson i en ovn som ble varmet opp med karbon og aluminiumoksid. Siden SiC ble lansert som slipemiddel i industrien på 1920-tallet, har det raskt blitt et av de mest ettertraktede materialene i stor skala. SiC finnes i ulike krystallstrukturer

Silisiumkarbidskiver brukes som substrater i kraftelektroniske enheter som dioder og MOSFET-er, og de har overlegen hardhet, stabilitet under varme og spenning og er ikke reaktive med hensyn til oksidasjonsmotstand. Tilgjengelig i størrelsene 100 mm og 150 mm i diameter. Disse substratene gir også beskyttelse mot termisk sjokk forårsaket av plutselige temperaturendringer, med sin lave

Reaksjonsbundet silisiumkarbid er et ultraelastisk keramisk materiale som gir eksepsjonell styrke mot støt og slitasje, motstand mot termisk sjokk og kjemiske angrep. Formuleringer av porøse SiC- og karbonpartikler blir selvbindende når de infiltreres med flytende eller gassformig silisium, på grunn av den kjemiske reaksjonen mellom silisium og karbon. Silisium reagerer med karbon og danner ytterligere silisiumkarbid

Silisiumkarbid er et av de hardeste og mest holdbare avanserte keramiske materialene. Det opprettholder sin styrke ved høye temperaturer, samtidig som det er motstandsdyktig mot syrer, baser og smeltede salter. CVD-SiC, som produseres gjennom kjemisk dampavsetning, er en ekstremt ren form med bedre varmeledningsevne enn sintret eller reaksjonsbundet SiC. Det er en

Silisiumkarbid er en høyytelseskeramikk med eksepsjonell hardhet, slitestyrke og varmeledningsevne. Den komplekse geometrien gjør imidlertid presis maskinering ekstremt utfordrende; diamantverktøy må brukes for å oppnå maksimal nøyaktighet ved bearbeiding. Saint-Gobain benytter flere produksjonsmetoder for å lage sintrede silisiumkarbidprodukter av høyeste kvalitet. Vi benytter oss av reaksjonssintring og trykkløs

Digler av silisiumkarbid er utviklet for smelting av ikke-jernholdige metaller som kobber, sølv, gull og bly-sink i malte ovner eller elektriske ovner. De har blant annet høy oksidasjonsmotstand, mindre forurensning og utmerket varmeledningsevne. Digler blir ofte skadet på grunn av overoppheting; langsgående sprekker som strekker seg fra underkant til topp, kan være et resultat av dette scenariet, men

Silisiumkarbid (SiC) er en eksepsjonelt hard krystallinsk forbindelse av silisium og karbon som finnes naturlig som moissanitt, og som har halvlederegenskaper. Industrielt produsert pulver kan brukes til sliping og skjæring. Edward Acheson fremstilte først syntetisk moissanitt kunstig i 1891 ved å bruke elektrisk varme fra et kraftverk til å kombinere silisiumdioksyd med karbon, noe som ga

Ovnmøbler omfatter hyllene der keramikkgjenstandene står under brenningsprosessen i en ovn. Hyller av nitrogenbundet silisiumkarbid er et utmerket valg på grunn av sin slitestyrke og fysiske styrke, noe som gir optimale forhold for plassering i ovnen. LO-MASS-hyllene er 19 ganger sterkere og 50% lettere enn konvensjonelle kordieritthyller, samtidig som de fortsatt støtter

Slipeskiver i silisiumkarbid er mye brukt til sliping og kutting av metall, og de finnes i ulike kornstørrelser for å dekke ulike bruksområder og hardhetsgrader. Hardere og sprøere materialer krever finere kornstørrelser, mens materialer med lavere strekkfasthet krever grovere kornstørrelser. Slipemidler av silisiumkarbid med høy hardhet er betydelig hardere enn slipemidler av aluminiumoksid. Det er dessuten