viden

Silicon Carbide (SiC) can withstand the high voltage demands of electric vehicle power systems. Wolfspeed offers isolation solutions designed specifically to support SiC designs for traction control inverters. Silicon Carbide Market Growth Automotive industry growth is driving market growth of silicon carbide while its high temperature resistance drive the demand from the refractory sector. Automotive […]

Siliciumcarbid er et utroligt materiale med enestående hårdhed og holdbarhed, der revolutionerer enhver håndværksmæssig værktøjskasse. Håndværkere kan bruge det til at forme, glatte og udjævne overflader med præcision og lethed - det løfter deres efterbehandlingsproces og giver håndværkere adgang til præcisionsfinish. Uanset hvilket materiale, der slibes - sart finer eller tæt

Siliciumcarbid bruges i elektroniske enheder, der forstærker, skifter eller konverterer signaler i et elektrisk kredsløb. På grund af dets lavere spændingsmodstand og temperaturkapacitet er disse enheder i stand til at fungere ved højere frekvenser med mindre effekttab. SiC produceres i en elektrisk ovn ved hjælp af Acheson-processen og ved at opvarme silica-sand.

MOSFET'er (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) af siliciumkarbid er vigtige elementer i effektelektroniske applikationer, da de har et bredt båndgab, høj nedbrydningsspænding og høj strømtæthed. Disse strømforsyninger er særligt velegnede til hard-switching-topologier som LLC og ZVS, der giver højere systemeffektivitet med mindre komponenter til mere kompakte designs med reducerede systemomkostninger og en energieffektiv

Siliciumcarbid (SiC) er et ultrahårdt syntetisk materiale, der første gang blev syntetiseret i 1891 af Edward Acheson i en ovn opvarmet med kulstof og aluminiumoxid. Siden det blev frigivet til industrien som et industrielt slibemiddel i 1920'erne, er SiC hurtigt blevet et af de mest efterspurgte materialer i stor skala. SiC findes i forskellige krystalstrukturer

Siliciumcarbidskiver bruges som substrater i effektelektroniske enheder som dioder og MOSFET'er og tilbyder overlegen hårdhed, stabilitet under varme og spænding og ikke-reaktivitet med hensyn til oxidationsmodstand. Fås i størrelserne 100 mm og 150 mm i diameter. Disse substrater giver også beskyttelse mod termisk chok forårsaget af pludselige temperaturændringer med deres lave temperatur.

Reaktionsbundet siliciumcarbid er et ultraelastisk keramisk materiale, der giver enestående styrke mod slag og slid, modstandsdygtighed over for termisk chok og kemiske angreb. Når porøse SiC- og kulstofpartikler infiltreres med flydende eller gasformigt silicium, bliver de selvbindende på grund af den kemiske reaktion mellem silicium og kulstof. Silicium reagerer med kulstof og danner yderligere siliciumcarbid

Siliciumcarbid er et af de hårdeste og mest holdbare avancerede keramiske materialer. Det kan bevare sin styrke ved høje temperaturer, samtidig med at det er modstandsdygtigt over for syrer, baser og smeltede salte. CVD SiC, der fremstilles ved kemisk dampudfældning, er en ekstremt ren form med bedre varmeledningsevne end sintret eller reaktionsbundet SiC. Det er en

Siliciumcarbid er en højtydende keramik med enestående hårdhed, slidstyrke og varmeledningsevne. Men dets komplekse geometri gør præcis bearbejdning ekstremt udfordrende; diamantværktøj skal anvendes for at opnå maksimal nøjagtighed, når man arbejder med det. Saint-Gobain bruger flere produktionsmetoder til at fremstille sintrede siliciumcarbidprodukter af højeste kvalitet. Vi anvender reaktionssintring og trykløs

Siliciumcarbiddigler er designet til smeltning af ikke-jernholdige metaller som kobber, sølv, guld og bly-zink i jordovne eller elektriske ovne. Deres egenskaber omfatter høj oxidationsmodstand, mindre forurening og fremragende varmeledningsevne. Digler bliver ofte beskadiget på grund af overophedning; revner i længderetningen, der strækker sig fra underkanten til toppen, kan være resultatet af dette scenarie, men