znalosti

Silicon Carbide (SiC) has emerged as an essential technological material. It’s utilized for use in abrasives, technical ceramics and refractories – as well as semiconductor manufacturing. Produced by heating silica sand mixed with carbon in the form of petroleum coke at high temperatures in huge open “Acheson” furnaces, SiC is then produced in both Green […]

Karbid křemíku je brusný materiál, který se běžně používá v brusných kotoučích, brusných pásech a tryskacích prostředcích. Jako anorganická chemická sloučenina konkuruje tvrdostí diamantu a karbidu boru. Černý karbid křemíku (karborundum) je jedním z nejčastěji používaných brusiv, které se vyznačuje tvrdými a hranatými zrny, jež umožňují účinné opracování

Karbid křemíku (SiC) má neobvyklou krystalovou strukturu. Obsahuje čtyři atomy Si a čtyři atomy C v uspořádaném koordinačním tetraedrickém uspořádání s vrstvami poskládanými do polytypů tvořících jeho primární koordinační tetraedr. Z elektrického hlediska má karbid křemíku schopnost odolávat napětím pětkrát až desetkrát vyšším než křemík. To z něj dělá vynikající materiál pro energetiku

Technologický pokrok je pro polovodičové firmy událostí, která se opakuje jednou za generaci, a ti, kdo ho akceptují, mohou dosáhnout obrovských zisků. Společnost Cree, nyní Wolfspeed, může těžit z trendu vývoje napájecích zařízení z karbidu křemíku. Její inovace v konstrukci a výrobě zařízení jí umožňují vyrábět menší čipy se stejným výkonem na každé destičce - a tím rozšiřují

Okamoto a spol. měřili vodivost karbidu křemíku při různých teplotách a zjistili, že malé množství příměsi Si nezvyšuje vodivost o dva až tři řády, ale překročení 5 mol% způsobuje zvýšení vodivosti až o tři řády. Karbid křemíku je polovodičový materiál, který je schopen

Amorphous silicon carbide (a-SiC) has gained immense attention due to its variable optical and electronic properties. As it features rigidity, low thermal expansion rates, and visible light transparency it makes an attractive material for telescope mirrors. Material science is experiencing a revolution with the introduction of this novel material: a-SiC. With properties combining strength with

4H-SiC is an increasingly popular polytype of silicon carbide. Due to its wide bandgap and excellent thermal, electrical, and mechanical properties, it makes an ideal material for power electronics applications. We investigated the elastic deformation and cracking behavior of a single crystal 4H-SiC pillar specimen with [0001] orientation by performing four times loading-unloading compression strain

Silicon carbide whiskers, single-crystal micron-sized particles with outstanding physical and chemical properties, have garnered significant research interest due to their wide-ranging applications across many fields including high temperature structural materials and tool ceramics. Mullite ceramic is a highly chemically stable refractory material with superior mechanical and physical properties such as high hardness and temperature creep

Silicon carbide inverter technology is an exciting power semiconductor advancement. It boasts several advantages over conventional silicon devices, including lower power losses up to ten times less and improved thermal performance. McLaren Applied is employing a high-voltage CoolSiC metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET), designed specifically to handle high voltage 800-volt systems found in electric

Silicon carbide, more commonly referred to as carborundum, is an extremely hard synthetic crystalline compound made up of silicon and carbon characterized by high thermal conductivity, low coefficient of expansion, resistance to chemical reaction and semiconducting capabilities. Moissanite, its natural counterpart, occurs as a mineral but can only be found in very limited amounts in