kunskap

Most hot surface igniters found on furnaces today are made from silicon carbide and run at 120 volts, but are prone to breaking if exposed to voltages outside their ideal range or handled roughly. Silicon nitride igniters are significantly tougher and longer-lasting than their silicon carbide predecessors, making them an attractive upsell option for customers […]

Silicon carbide is an extremely reliable wide band-gap semiconductor material. This allows devices made of it to operate at higher voltages, frequencies, and temperatures than conventional silicon devices. Monolayer SiC could be the catalyst to revolutionary advances in high-temperature electronics and power devices. It offers unmatched optical, mechanical, chemical and magnetic properties for unrivaled functionality

Amorf kiselkarbid (a-SiC) har imponerande mekaniska och hållfasthetsmässiga egenskaper som kan revolutionera olika branscher. Dess sträckgräns överträffar den hos välkända material som Kevlar, vilket gör den lämplig för tillämpningar som mikrochipsensorer och avancerade solceller. a-SiC sticker ut från konkurrenterna tack vare sin överlägsna draghållfasthet och mångsidighet, och kan tillverkas

Coherent, Saxonburg, PA, meddelade den 8 april att de japanska billeverantörerna DENSO och Mitsubishi Electric har investerat $1 miljard i företagets kiselkarbidverksamhet och äger en minoritetsandel på 12,5% i ett nybildat dotterbolag som kommer att driva verksamheten under Sohail Khan, Executive VP of New Ventures and Wide Bandgap Electronics Technology på Coherent.

Kiselkarbid (SiC) är ett fantastiskt material med anmärkningsvärd styrka och elasticitet. Det klarar höga temperaturer, hårda kemikalier och korrosionsbeständighet - dessa egenskaper gör SiC till ett oöverträffat material. När du väljer ett kiselkarbidrör för ditt projekt måste du ta hänsyn till flera faktorer, t.ex. temperatur, tryck, korrosionsbenägen miljö och storlek/form.

Strömförsörjningsenheter av kiselkarbid spelar en viktig roll när det gäller att förbättra energieffektiviteten i elfordon tack vare sina utmärkta materialegenskaper. Kiselkarbid i sin rena form fungerar som en isolator, men när den dopas med föroreningar (dopämnen) kan den omvandlas till en elektronisk halvledare. Dopningsmedel för denna användning inkluderar kväve- eller fosfordopning för n-typ

Keramiska produkter av kiselkarbid (SiC) är välkända för sin motståndskraft mot korrosion, nötning och höga temperaturer - egenskaper som också gör dem till långvariga eldfasta material för brännarmunstycken, jet- och flamrör. SiC är ett idealiskt material som behåller sin styrka även vid temperaturer upp till 1600 grader Celsius samtidigt som det har hög värmeledningsförmåga, låg termisk

United Silicon Carbide Inc är en tillverkare av halvledare. Bolaget tillverkar krafthalvledare av kiselkarbid (SiC), såsom FET:ar, JFET:ar och Schottky-dioder, för kunder i hela New Jersey. United Silicon Carbide betjänar också kunder över hela världen genom sin globala verksamhet. Tillväxten på marknaden för kiselkarbid kommer sannolikt att drivas av en ökande efterfrågan på högpresterande krafthalvledare

Kiselkarbiddioder har blivit alltmer populära i en rad olika kretsdesigner på grund av deras högre prestandanivåer och mindre formfaktor än kiselenheter. WeEn's SiC Schottky Barrier Diodes finns i olika paket som sträcker sig från blyade och bultade stilar till ytmonterade SMD-enheter och är föremål för omfattande uthållighetstest för att säkerställa

Hot surface igniter (HSI) är en effektiv ersättning för gasolugnens tändstift genom att låta lågspänningselektricitet passera genom den och värma upp den. När den har värmts upp till driftstemperatur producerar HSI en likriktad likströmssignal för att verifiera att det finns en flamma och bibehålla gasventilens huvudöppningsposition.