γνώση

Silicon carbide is an extremely hard material that lies somewhere between alumina and diamond on the Mohs scale, offering exceptional strength, corrosion resistance, durability, strength, high melting point and other engineering advantages that make it perfect for challenging engineering applications. Impurities called doping agents can also impart semi-conducting properties. Nitrogen and phosphorus doping creates an […]

Most hot surface igniters found on furnaces today are made from silicon carbide and run at 120 volts, but are prone to breaking if exposed to voltages outside their ideal range or handled roughly. Silicon nitride igniters are significantly tougher and longer-lasting than their silicon carbide predecessors, making them an attractive upsell option for customers

Silicon carbide is an extremely reliable wide band-gap semiconductor material. This allows devices made of it to operate at higher voltages, frequencies, and temperatures than conventional silicon devices. Monolayer SiC could be the catalyst to revolutionary advances in high-temperature electronics and power devices. It offers unmatched optical, mechanical, chemical and magnetic properties for unrivaled functionality

Το άμορφο καρβίδιο του πυριτίου (a-SiC) διαθέτει εντυπωσιακές μηχανικές και ανθεκτικές ιδιότητες που θα μπορούσαν να φέρουν επανάσταση σε διάφορες βιομηχανίες. Η αντοχή του ξεπερνά αυτή γνωστών υλικών όπως το Kevlar, καθιστώντας το κατάλληλο για εφαρμογές όπως αισθητήρες μικροτσίπ και προηγμένες ηλιακές κυψέλες. Το a-SiC ξεχωρίζει από τον ανταγωνισμό του λόγω της ανώτερης αντοχής σε εφελκυσμό και της ευελιξίας του, καθώς είναι ικανό για κατασκευή

Η Coherent του Saxonburg, PA, ανακοίνωσε στις 8 Απριλίου ότι οι ιαπωνικοί προμηθευτές αυτοκινήτων DENSO και Mitsubishi Electric έχουν επενδύσει $1 δισεκατομμύριο στην επιχείρησή της για το καρβίδιο του πυριτίου, κατέχοντας 12,5% μη ελέγχουσα συμμετοχή σε μια νεοσύστατη θυγατρική που θα λειτουργεί την επιχείρηση υπό τον Sohail Khan, εκτελεστικό αντιπρόεδρο των νέων εγχειρημάτων και της τεχνολογίας ηλεκτρονικών ευρείας ζώνης της Coherent.

Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) είναι ένα καταπληκτικό υλικό με αξιοσημείωτη αντοχή και ελαστικότητα. Ικανό να αντέχει σε υψηλές θερμοκρασίες, σκληρές χημικές ουσίες και αντοχή στη διάβρωση - αυτά τα χαρακτηριστικά καθιστούν το SiC ένα απαράμιλλο υλικό. Κατά την επιλογή ενός σωλήνα καρβιδίου του πυριτίου για το έργο σας, πρέπει να ληφθούν υπόψη διάφορα στοιχεία, όπως η θερμοκρασία, η πίεση, το περιβάλλον που είναι επιρρεπές στη διάβρωση και το μέγεθος/σχήμα.

Οι διατάξεις ισχύος καρβιδίου του πυριτίου διαδραματίζουν αναπόσπαστο ρόλο στη βελτίωση της ενεργειακής απόδοσης των ηλεκτρικών οχημάτων λόγω των εξαιρετικών ιδιοτήτων του υλικού τους. Το καρβίδιο του πυριτίου στην καθαρή του μορφή συμπεριφέρεται ως μονωτής- ωστόσο, όταν προστεθεί με προσμίξεις (dopants), μπορεί να μετατραπεί σε ηλεκτρονικό ημιαγωγό. Οι προσμίξεις για τη χρήση αυτή περιλαμβάνουν αζωτούχο ή φωσφορούχο ντοπάρισμα για τύπου n

Τα κεραμικά προϊόντα καρβιδίου του πυριτίου (SiC) είναι γνωστά για την αντοχή τους στη διάβρωση, την τριβή και τις υψηλές θερμοκρασίες - ιδιότητες που τα καθιστούν επίσης μακροπρόθεσμα πυρίμαχα υλικά για ακροφύσια καυστήρων, σωλήνες εκτόξευσης και φλόγας. Το SiC είναι ένα ιδανικό υλικό, το οποίο διατηρεί την αντοχή του ακόμη και σε θερμοκρασίες έως και 1600degC, ενώ παράλληλα προσφέρει υψηλή θερμική αγωγιμότητα, χαμηλή θερμική

Η United Silicon Carbide Inc, είναι κατασκευαστής ημιαγωγών. Η εταιρεία παράγει ημιαγωγούς ισχύος καρβιδίου του πυριτίου (SiC), όπως FETs, JFETs και διόδους Schottky, για πελάτες που βρίσκονται σε όλο το New Jersey. Η United Silicon Carbide εξυπηρετεί επίσης πελάτες παγκοσμίως μέσω των παγκόσμιων δραστηριοτήτων της. Η ανάπτυξη της αγοράς καρβιδίου του πυριτίου θα προωθηθεί πιθανότατα από την αυξανόμενη ζήτηση για υψηλής απόδοσης ισχύος

Οι δίοδοι καρβιδίου πυριτίου έχουν γίνει ολοένα και πιο δημοφιλείς σε μια σειρά από σχέδια κυκλωμάτων λόγω των υψηλότερων επιπέδων απόδοσης και του μικρότερου παράγοντα μορφής τους σε σχέση με τις διατάξεις πυριτίου. Οι δίοδοι φραγμού Schottky SiC της WeEn διατίθενται σε διάφορες συσκευασίες που κυμαίνονται από μολυβδούχες και βιδωτές μορφές έως συσκευές επιφανειακής τοποθέτησης SMD και υπόκεινται σε εκτεταμένες δοκιμές αντοχής για να διασφαλιστεί ότι