znanje

Silicon Carbide (SiC) has emerged as an essential technological material. It’s utilized for use in abrasives, technical ceramics and refractories – as well as semiconductor manufacturing. Produced by heating silica sand mixed with carbon in the form of petroleum coke at high temperatures in huge open “Acheson” furnaces, SiC is then produced in both Green […]

Silicon carbide is an abrasive material commonly found in grinding wheels, sanding belts and blast media. As an inorganic chemical compound it competes with diamond and boron carbide in terms of hardness. Black silicon carbide (Carborundum) is one of the most commonly used abrasives, featuring hard and angular grains that make for effective processing of

Silicijev karbid (SiC) ima nenavadno kristalno strukturo. Vsebuje štiri atome Si in štiri atome C v urejeni koordinacijski tetraedrični razporeditvi s plastmi, ki so zložene v poltipe in tvorijo primarni koordinacijski tetraeder. Električno je silicijev karbid sposoben prenesti pet- do desetkrat večje napetosti kot silicij. Zaradi tega je odličen material za proizvodnjo električne energije.

Tehnološki napredek je za polprevodniška podjetja dogodek, ki se zgodi enkrat na generacijo, in tisti, ki ga sprejmejo, lahko ustvarijo velikanske dobičke. Podjetje Cree, zdaj Wolfspeed, ima koristi od težnje po silicijevem karbidu za napajalne naprave. Njihove inovacije na področju zasnove in proizvodnje naprav jim omogočajo proizvodnjo manjših čipov z enako močjo na vsaki ploščici - s tem se širijo

Okamoto in drugi so izmerili prevodnost silicijevega karbida pri različnih temperaturah in ugotovili, da majhne količine dodatka Si ne povečajo prevodnosti za dva do tri velikostne rede, vendar se zaradi preseganja 5 mol% prevodnost poveča za tri velikostne rede. Silicijev karbid je polprevodniški material, ki lahko

Amorfni silicijev karbid (a-SiC) je zaradi svojih spremenljivih optičnih in elektronskih lastnosti deležen velike pozornosti. Ker ga odlikujejo togost, nizke stopnje toplotnega raztezanja in preglednost v vidni svetlobi, je privlačen material za zrcala teleskopov. Znanost o materialih doživlja revolucijo z uvedbo tega novega materiala: a-SiC. Z lastnostmi, ki združujejo trdnost z

4H-SiC je vse bolj priljubljen politip silicijevega karbida. Zaradi svoje široke pasovne vrzeli ter odličnih toplotnih, električnih in mehanskih lastnosti je idealen material za aplikacije v močnostni elektroniki. Preučevali smo elastično deformacijo in razpokanost monokristalnega vzorca 4H-SiC z usmerjenostjo [0001] s štirikratnim obremenjevanjem in razbremenjevanjem s kompresijsko deformacijo.

Silicijevi karbidni whiskerji, mikronski delci v velikosti enega kristala z izjemnimi fizikalnimi in kemijskimi lastnostmi, so zaradi svoje široke uporabe na številnih področjih, vključno z visokotemperaturnimi strukturnimi materiali in orodno keramiko, vzbudili veliko raziskovalnega zanimanja. Mullitna keramika je zelo kemično stabilen ognjevzdržen material z odličnimi mehanskimi in fizikalnimi lastnostmi, kot sta visoka trdota in temperaturno lezenje.

Tehnologija inverterjev iz silicijevega karbida je zanimiv napredek na področju energetskih polprevodnikov. V primerjavi z običajnimi silicijevimi napravami se ponaša z več prednostmi, med drugim z do desetkrat manjšimi izgubami energije in izboljšanimi toplotnimi lastnostmi. Podjetje McLaren Applied uporablja visokonapetostni polprevodniški polprevodniški tranzistor CoolSiC (MOSFET), ki je zasnovan posebej za visokonapetostne 800-voltne sisteme, ki jih najdemo v električnih

Silicijev karbid, pogosteje imenovan karborundum, je izjemno trda sintetična kristalinična spojina, sestavljena iz silicija in ogljika, za katero so značilni visoka toplotna prevodnost, nizek koeficient raztezanja, odpornost proti kemičnim reakcijam in polprevodniške lastnosti. Moissanit, njegov naravni ekvivalent, se pojavlja kot mineral, vendar ga je mogoče najti le v zelo omejenih količinah v