vedomosti

Most hot surface igniters found on furnaces today are made from silicon carbide and run at 120 volts, but are prone to breaking if exposed to voltages outside their ideal range or handled roughly. Silicon nitride igniters are significantly tougher and longer-lasting than their silicon carbide predecessors, making them an attractive upsell option for customers […]

Silicon carbide is an extremely reliable wide band-gap semiconductor material. This allows devices made of it to operate at higher voltages, frequencies, and temperatures than conventional silicon devices. Monolayer SiC could be the catalyst to revolutionary advances in high-temperature electronics and power devices. It offers unmatched optical, mechanical, chemical and magnetic properties for unrivaled functionality

Amorfný karbid kremíka (a-SiC) sa môže pochváliť pôsobivými mechanickými a pevnostnými vlastnosťami, ktoré by mohli priniesť revolúciu v rôznych priemyselných odvetviach. Jeho pevnosť v ťahu prevyšuje pevnosť známych materiálov, ako je kevlar, vďaka čomu je vhodný na aplikácie vrátane senzorov mikročipov a pokročilých solárnych článkov. a-SiC sa odlišuje od konkurencie vďaka svojej vynikajúcej pevnosti v ťahu a univerzálnosti, pretože je schopný vyrábať

Spoločnosť Coherent zo Saxonburgu v Pensylvánii 8. apríla oznámila, že japonskí dodávatelia automobilov DENSO a Mitsubishi Electric investovali $1 miliardu do jej podnikania v oblasti karbidu kremíka, pričom vlastnia 12,5% nekontrolného podielu v novozaloženej dcérskej spoločnosti, ktorá bude prevádzkovať túto činnosť pod vedením Sohaila Khana, výkonného viceprezidenta pre nové podniky a technológie širokopásmovej elektroniky v spoločnosti Coherent.

Karbid kremíka (SiC) je úžasný materiál s pozoruhodnou pevnosťou a odolnosťou. Tieto vlastnosti robia zo SiC bezkonkurenčný materiál, ktorý dokáže odolávať vysokým teplotám, drsným chemikáliám a korózii. Pri výbere rúrky z karbidu kremíka pre váš projekt je potrebné zohľadniť niekoľko prvkov, ako sú teplota, tlak, prostredie náchylné na koróziu a veľkosť/tvar.

Napájacie zariadenia z karbidu kremíka zohrávajú vďaka svojim vynikajúcim materiálovým vlastnostiam neoddeliteľnú úlohu pri zvyšovaní energetickej účinnosti elektrických vozidiel. Karbid kremíka sa vo svojej čistej forme správa ako izolant, avšak po dopovaní prímesami (dopantmi) sa môže zmeniť na elektronický polovodič. Dopanty na toto použitie zahŕňajú dopovanie dusíkom alebo fosforom pre n-typ

Keramické výrobky z karbidu kremíka (SiC) sú dobre známe svojou odolnosťou voči korózii, oteru a vysokým teplotám - vlastnosti, ktoré z nich robia dlhodobé žiaruvzdorné materiály pre dýzy horákov, trysky a plameňové trubice. SiC je ideálny materiál, ktorý si zachováva svoju pevnosť aj pri teplotách až 1600 °C a zároveň ponúka vysokú tepelnú vodivosť, nízku tepelnú

Spoločnosť United Silicon Carbide Inc. je výrobcom polovodičov. Spoločnosť vyrába výkonové polovodiče z karbidu kremíka (SiC), ako sú FET, JFET a Schottkyho diódy, pre zákazníkov v New Jersey. Spoločnosť United Silicon Carbide prostredníctvom svojich globálnych prevádzok poskytuje služby aj zákazníkom na celom svete. Rast trhu s karbidom kremíka bude pravdepodobne podporovaný rastúcim dopytom po vysoko výkonných výkonových

Karbidkarbidové diódy sa stávajú čoraz populárnejšími v rôznych konštrukciách obvodov vďaka vyššej úrovni výkonu a menším rozmerom ako kremíkové zariadenia. Schottkyho bariérové diódy SiC od spoločnosti WeEn sa dodávajú v rôznych baleniach, od olovených a skrutkovacích až po zariadenia SMD s povrchovou montážou, a podliehajú rozsiahlemu testovaniu odolnosti, aby sa zabezpečilo

Horúci povrchový zapaľovač (HSI) slúži ako účinná náhrada za zapaľovacie sviečky plynových pecí tým, že cez neho prechádza nízkonapäťová elektrina a zahrieva ho. Po zahriatí na prevádzkovú teplotu HSI vytvára usmernený jednosmerný signál na overenie prítomnosti plameňa a udržanie polohy hlavného otvoreného plynového ventilu.