Meno autora: admin88

Silicon carbide is an incredible material with exceptional hardness and durability that revolutionizes any crafting toolkit. Craftsmen can utilize it to shape, smooth and level surfaces with precision and ease – elevating their finishing process and providing craftspeople with access to precision finishing capabilities. No matter the material being sanded – delicate veneers or dense […]

Karbid kremíka sa používa v elektronických zariadeniach, ktoré zosilňujú, prepínajú alebo konvertujú signály v rámci elektrického obvodu. Vďaka nižšiemu napäťovému odporu a teplotným schopnostiam sú tieto zariadenia schopné pracovať pri vyšších frekvenciách s menšími výkonovými stratami. SiC sa vyrába v elektrickej peci Achesonovým procesom a zahrievaním kremičitého piesku

MOSFETy z karbidu kremíka (tranzistory s kovovo-oxidovým polovodičovým poľom) sú základnými prvkami v aplikáciách výkonovej elektroniky, ktoré ponúkajú široké pásmo, vysoké prierazné napätie a prúdovú hustotu. Tieto napájacie zdroje sú obzvlášť vhodné pre topológie s tvrdým spínaním, ako sú LLC a ZVS, a poskytujú vyššiu účinnosť systému s menšími komponentmi pre kompaktnejšie konštrukcie pri znížených nákladoch na systém a energetickú účinnosť.

Karbid kremíka (SiC) je veľmi tvrdý syntetický materiál, ktorý prvýkrát syntetizoval Edward Acheson v roku 1891 v peci zahriatej uhlíkom a oxidom hlinitým. Od jeho uvedenia do priemyslu ako priemyselného abrazíva v 20. rokoch 20. storočia sa SiC rýchlo stal jedným z najvyhľadávanejších materiálov vo veľkom meradle. SiC má rôzne kryštálové štruktúry

Karbid kremíka sa používa ako substrát v zariadeniach výkonovej elektroniky, ako sú diódy a MOSFETy, pretože ponúka vynikajúcu tvrdosť, stabilitu pri vysokých teplotách a napätí a nereaktívnosť, pokiaľ ide o odolnosť voči oxidácii. K dispozícii sú vo veľkostiach s priemerom 100 mm a 150 mm. Tieto substráty poskytujú aj ochranu pred tepelnými šokmi spôsobenými náhlymi zmenami teploty, pričom ich nízka

Reakčne viazaný karbid kremíka je mimoriadne odolný keramický materiál, ktorý ponúka výnimočnú pevnosť proti nárazom a opotrebovaniu, odolnosť proti tepelným šokom a chemickým vplyvom. Formulácie poréznych častíc SiC a uhlíka sa po infiltrácii kvapalným alebo plynným kremíkom stávajú samoviazanými v dôsledku chemickej reakcie medzi kremíkom a uhlíkom. Kremík reaguje s uhlíkom za vzniku ďalšieho karbidu kremíka

Karbid kremíka je jedným z najtvrdších a najodolnejších moderných keramických materiálov. Dokáže si zachovať svoju pevnosť pri vysokých teplotách a zároveň je odolný voči kyselinám, zásadám a roztaveným soliam. CVD SiC, vyrábaný chemickým vylučovaním z plynnej fázy, je extrémne čistá forma s lepšou tepelnou vodivosťou ako spekaný alebo reakčne viazaný SiC. Je to

Karbid kremíka je vysoko výkonná keramika s výnimočnou tvrdosťou, odolnosťou proti opotrebovaniu a tepelnou vodivosťou. Jeho zložitá geometria však spôsobuje, že presné obrábanie je mimoriadne náročné; pri práci s ním sa musia používať diamantové nástroje na dosiahnutie maximálnej presnosti. Spoločnosť Saint-Gobain využíva viaceré spôsoby výroby na výrobu najkvalitnejších produktov zo spekaného karbidu kremíka. Používame reakčné spekanie a beztlakové spekanie.

Tygliky z karbidu kremíka sú určené na tavenie neželezných kovov, ako je meď, striebro, zlato a olovo a zinok, v zemných alebo elektrických peciach. Medzi ich vlastnosti patrí vysoká odolnosť voči oxidácii, menšie znečistenie a vynikajúca tepelná vodivosť. Tégle sa často poškodzujú v dôsledku prehriatia; v takomto prípade môžu vzniknúť pozdĺžne trhliny tiahnuce sa od spodného okraja k hornému, ale

Karbid kremíka (SiC) je mimoriadne tvrdá kryštalická zlúčenina kremíka a uhlíka, ktorá sa v prírode vyskytuje ako moissanit a má polovodičové vlastnosti. Priemyselne vyrábaný prášok sa môže používať pri brúsnych a rezných operáciách. Edward Acheson prvýkrát syntetizoval syntetický moissanit umelo v roku 1891 pomocou elektrického tepla z elektrárne na spojenie oxidu kremičitého s uhlíkom, čím získal