Silicon carbide (SiC) is an ultrahard synthetic material first synthesized in 1891 by Edward Acheson in a furnace heated with carbon and alumina. Since its release into industry as an industrial abrasive in the 1920s, SiC has quickly become one of the most sought-after materials on a large scale. SiC comes in various crystal structures […]

Silicon carbide wafers are used as substrates in power electronic devices such as diodes and MOSFETs, offering superior hardness, stability under heat and voltage and non-reactivity with respect to oxidation resistance. Available in 100mm and 150mm diameter sizes. These substrates also provide protection from thermal shock caused by sudden changes in temperature, with their low

Reaction-bonded silicon carbide is an ultra-resilient ceramic material that offers exceptional strength against impact and wear, thermal shock resistance, and chemical attack. Formulations of porous SiC and carbon particles, when infiltrated with liquid or gaseous silicon, become self-bonding due to chemical reaction between silicon and carbon. Silicon reacts with carbon to form additional silicon carbide

Silicon Carbide is one of the hardest and most durable advanced ceramic materials. It can maintain its strength at high temperatures while offering resistance against acids, alkalis and molten salts. CVD SiC, produced through chemical vapor deposition, is an extremely pure form with superior thermal conductivity than sintered or reaction bonded SiC. It is a

Карбид кремния - это высокоэффективная керамика, обладающая исключительной твердостью, износостойкостью и теплопроводностью. Однако его сложная геометрия делает точную обработку чрезвычайно сложной; для достижения максимальной точности при работе с ним необходимо использовать алмазные инструменты. Компания Saint-Gobain использует несколько способов производства для изготовления изделий из спеченного карбида кремния высочайшего качества. Мы используем реакционное спекание и спекание без давления

Тигли из карбида кремния предназначены для плавки цветных металлов, таких как медь, серебро, золото и свинец-цинк в грунтовых или электрических печах. К их особенностям относятся высокая стойкость к окислению, меньшее загрязнение и отличная теплопроводность. Оловянные тигли часто повреждаются в результате перегрева; продольные трещины, идущие от нижнего края к верхнему, могут привести к такому сценарию, но

Карбид кремния (SiC) - это исключительно твердое кристаллическое соединение кремния и углерода, встречающееся в природе в виде муассанита и обладающее полупроводниковыми свойствами. Промышленно производимый порошок может использоваться в абразивных шлифовальных и режущих операциях. Эдвард Ачесон впервые синтезировал синтетический муассанит искусственным путем в 1891 году, используя электрическое тепло от электростанции для соединения кремния с углеродом, в результате чего получился

Мебель для печей - это полки, на которых керамические изделия размещаются во время обжига в печи. Полки из карбида кремния, связанного с азотом, являются отличным выбором благодаря своей устойчивости к истиранию и физической прочности, обеспечивая оптимальные условия для их размещения в печи. Полки LO-MASS в 19 раз прочнее и на 50% легче, чем обычные кордиеритовые полки, и при этом выдерживают

Абразивные круги из карбида кремния широко используются для шлифования и резки металла и имеют различную зернистость для разных видов и твердости металла. Для более твердых и хрупких материалов требуется более мелкая зернистость, а для материалов с меньшей прочностью на разрыв - более крупная. Абразивные материалы из карбида кремния с высокой твердостью значительно тверже, чем из оксида алюминия. Кроме того,

Полупроводник из карбида кремния обладает рядом преимуществ, которые делают его привлекательной альтернативой устройствам на основе кремния, в том числе способностью выдерживать высокие напряжения, повышать тепловую эффективность и уменьшать размер/вес силовых электронных устройств в электромобилях. В природе SiC встречается в драгоценных камнях муассанитах и кимберлитовых месторождениях, но большая часть производится синтетически для использования в электронных компонентах,