Silicon carbide (SiC) is an ultrahard synthetic material first synthesized in 1891 by Edward Acheson in a furnace heated with carbon and alumina. Since its release into industry as an industrial abrasive in the 1920s, SiC has quickly become one of the most sought-after materials on a large scale. SiC comes in various crystal structures […]

Plachetele de carbură de siliciu sunt utilizate ca substraturi în dispozitivele electronice de putere, cum ar fi diodele și MOSFET-urile, oferind duritate superioară, stabilitate la căldură și tensiune și non-reactivitate în ceea ce privește rezistența la oxidare. Disponibil în dimensiuni cu diametrul de 100 mm și 150 mm. Aceste substraturi oferă, de asemenea, protecție împotriva șocurilor termice cauzate de schimbările bruște de temperatură, având un nivel scăzut de

Carbura de siliciu legată prin reacție este un material ceramic ultrarezistent care oferă o rezistență excepțională la impact și uzură, rezistență la șocuri termice și la atacuri chimice. Formulările din particule poroase de SiC și carbon, atunci când sunt infiltrate cu siliciu lichid sau gazos, devin autoadezive datorită reacției chimice dintre siliciu și carbon. Siliciul reacționează cu carbonul pentru a forma carbură de siliciu suplimentară

Carbura de siliciu este unul dintre cele mai dure și mai durabile materiale ceramice avansate. Acesta își poate menține rezistența la temperaturi ridicate, oferind în același timp rezistență la acizi, baze și săruri topite. CVD SiC, produs prin depunere chimică în stare de vapori, este o formă extrem de pură, cu o conductivitate termică superioară celei a SiC sinterizat sau legat prin reacție. Este un

Carbura de siliciu este o ceramică de înaltă performanță cu proprietăți excepționale de duritate, rezistență la uzură și conductivitate termică. Cu toate acestea, geometria sa complexă face ca prelucrarea precisă să fie extrem de dificilă; atunci când se lucrează cu ea, trebuie utilizate scule diamantate pentru o precizie maximă. Saint-Gobain utilizează mai multe căi de fabricație pentru a crea produse din carbură de siliciu sinterizat de cea mai înaltă calitate. Utilizăm sinterizarea prin reacție și sinterizarea fără presiune

Creuzetele din carbură de siliciu sunt concepute pentru topirea metalelor neferoase, cum ar fi cuprul, argintul, aurul și plumbul-zinc, în cuptoare subterane sau cuptoare electrice. Caracteristicile lor includ rezistență ridicată la oxidare, poluare redusă și conductivitate termică excelentă. Creuzetele suferă adesea deteriorări din cauza supraîncălzirii; în acest scenariu pot apărea fisuri longitudinale care se extind de la marginea inferioară la cea superioară, dar

Carbura de siliciu (SiC) este un compus cristalin extrem de dur din siliciu și carbon care se găsește în natură sub formă de moissanite și are proprietăți semiconductoare. Pulberea produsă industrial poate fi utilizată în operațiunile abrazive de șlefuire și tăiere. Edward Acheson a sintetizat pentru prima dată moissanita sintetică în mod artificial în 1891, folosind căldura electrică de la o centrală electrică pentru a combina siliciul cu carbonul, rezultând

Mobilierul pentru cuptor include rafturile pe care sunt așezate produsele ceramice în timpul procesului de ardere în cuptor. Rafturile din carbură de siliciu legată cu azot reprezintă o alegere excelentă datorită rezistenței la abraziune și rezistenței fizice, oferind condiții optime pentru amplasarea lor în interiorul cuptorului. Rafturile LO-MASS sunt de 19 ori mai rezistente și 50% mai ușoare decât rafturile convenționale din cordierit, susținând în același timp

Discurile abrazive din carbură de siliciu sunt utilizate pe scară largă pentru șlefuirea și tăierea metalelor, fiind disponibile în diferite granulații pentru a răspunde diferitelor aplicații și durități ale metalelor. Materialele mai dure și mai fragile necesită granulații mai fine, în timp ce cele care prezintă o rezistență mai scăzută la tracțiune necesită granulații mai grosiere. Duritate ridicată Abrazivii din carbură de siliciu sunt considerabil mai duri decât cei din oxid de aluminiu. În plus,

Semiconductorul carbură de siliciu oferă mai multe avantaje care îl fac o alternativă atractivă la dispozitivele pe bază de siliciu, inclusiv capacitatea sa de a suporta tensiuni ridicate, de a spori eficiența termică și de a reduce dimensiunea/greutatea dispozitivelor electronice de putere din vehiculele electrice. SiC se găsește în stare naturală în bijuteriile de moissanite și în zăcămintele de kimberlite, dar majoritatea este produsă sintetic pentru a fi utilizată în componente electronice,