Silicon carbide (SiC) is an ultrahard synthetic material first synthesized in 1891 by Edward Acheson in a furnace heated with carbon and alumina. Since its release into industry as an industrial abrasive in the 1920s, SiC has quickly become one of the most sought-after materials on a large scale. SiC comes in various crystal structures […]

Silicon carbide wafers are used as substrates in power electronic devices such as diodes and MOSFETs, offering superior hardness, stability under heat and voltage and non-reactivity with respect to oxidation resistance. Available in 100mm and 150mm diameter sizes. These substrates also provide protection from thermal shock caused by sudden changes in temperature, with their low

Reaction-bonded silicon carbide is an ultra-resilient ceramic material that offers exceptional strength against impact and wear, thermal shock resistance, and chemical attack. Formulations of porous SiC and carbon particles, when infiltrated with liquid or gaseous silicon, become self-bonding due to chemical reaction between silicon and carbon. Silicon reacts with carbon to form additional silicon carbide

Silicon Carbide is one of the hardest and most durable advanced ceramic materials. It can maintain its strength at high temperatures while offering resistance against acids, alkalis and molten salts. CVD SiC, produced through chemical vapor deposition, is an extremely pure form with superior thermal conductivity than sintered or reaction bonded SiC. It is a

Silicon carbide is a high-performance ceramic with exceptional hardness, wear resistance and thermal conductivity properties. However, its complex geometry makes precise machining extremely challenging; diamond tools must be employed for maximum accuracy when working with it. Saint-Gobain utilizes multiple manufacturing avenues to craft the highest-grade sintered silicon carbide products. We employ reaction sintering and pressureless

Os cadinhos de carbeto de silício são projetados para a fusão de metais não ferrosos, como cobre, prata, ouro e chumbo-zinco, em fornos de solo ou fornos elétricos. Suas características incluem alta resistência à oxidação, menos poluição e excelente condutividade térmica. Os cadinhos geralmente sofrem danos devido ao superaquecimento; rachaduras longitudinais que se estendem da borda inferior à superior podem resultar nesse cenário, mas

O carbeto de silício (SiC) é um composto cristalino excepcionalmente duro de silício e carbono encontrado naturalmente como moissanita e tem propriedades semicondutoras. O pó produzido industrialmente pode ser usado em operações de corte e esmerilhamento abrasivo. Edward Acheson sintetizou artificialmente a moissanita sintética pela primeira vez em 1891, usando o calor elétrico de uma usina de energia para combinar sílica com carbono, produzindo

Os móveis para fornos incluem as prateleiras onde a cerâmica fica durante o processo de queima em um forno. As prateleiras de carbeto de silício ligado a nitrogênio são uma excelente opção devido à sua resistência à abrasão e força física, proporcionando condições ideais para sua colocação dentro do forno. As prateleiras LO-MASS são 19 vezes mais resistentes e 50% mais leves do que as prateleiras convencionais de cordierita, e ainda suportam

Os discos abrasivos de carbeto de silício são amplamente utilizados para lixar e cortar metais, disponíveis em vários tamanhos de grão para atender a diferentes aplicações e durezas de metal. Materiais mais duros e frágeis exigem granulometrias mais finas, enquanto aqueles que apresentam menor resistência à tração precisam de granulometrias mais grossas. Alta dureza Os abrasivos de carbeto de silício são consideravelmente mais duros do que os de óxido de alumínio. Além disso,

O semicondutor de carbeto de silício oferece várias vantagens que o tornam uma alternativa atraente aos dispositivos à base de silício, incluindo sua capacidade de lidar com altas tensões, aumentar a eficiência térmica e diminuir o tamanho/peso dos dispositivos eletrônicos de potência em veículos elétricos. O SiC é encontrado naturalmente em gemas de moissanita e depósitos de kimberlito, mas a maior parte é produzida sinteticamente para uso em componentes eletrônicos,