This Dremel silicon carbide grinding stone works great on many surfaces and is especially helpful when etching glass. As its aluminum oxide counterpart, it offers tougher bits that work well on harder materials like glass. In addition to working well on such items as stone, ceramics, porcelain and nonferrous metals it comes equipped with a […]

Silisiumkarbid (SiC) er en ekstremt hard og syntetisk fremstilt krystallinsk forbindelse av silisium og karbon, populært kalt karborundum. Med en Mohs-hardhetsgrad på 9 kan det sammenlignes med diamant, og det kan brukes som slipemiddel og i ildfaste produkter som for eksempel ovnsforinger. Silisium er et annet materiale med stort potensial for

Silisiumkarbid er et ekstremt nyttig materiale som brukes i en rekke industrier. Selv om det finnes naturlig i form av moissanittmineralforekomster, foregår det meste av produksjonen av silisiumkarbid (SC) i dag syntetisk. Med sin høye bruddspenning og lave innkoblingsmotstand er silisiumskiver utmerkede komponenter for halvlederenheter. I tillegg er de korrosjonsbestandige og tåler høye temperaturer.

Silisiumkarbid er en forbindelse som ofte brukes i kraftelektronikk. Det har en rekke egenskaper som kan forbedre ytelsen i forhold til silisiumbaserte enheter, blant annet økt sperrespenningskapasitet og redusert spesifikk on-motstand. Littelfuses forskning på disse egenskapene har resultert i ny teknologi som er utviklet for å øke effektiviteten i AGPU-baserte systemer. Littelfuse har gjennomført omfattende forsøk med

Silisiumkarbidkuler er konstruert for å tåle tøffe miljøer og finnes i en rekke bruksområder, alt fra lagre og energisystemer til presisjonsproduksjon av halvledere. Karborundum forekommer naturlig som mineralet moissanitt, men har blitt masseprodusert siden 1893 for bruk som slipemateriale og råmateriale i stålproduksjon. Hardhet Silisiumkarbid (SiC)

Silisiumkarbid (SiC) har raskt vokst frem som et ideelt materiale for monolittisk integrerte fotonikkapplikasjoner, på grunn av kombinasjonen av høy brytningsindeks, bredt båndgap, lav termisk ekspansjonskoeffisient og utmerkede stivhetsegenskaper. SiC er også et utmerket materialvalg for speil i astronomiske teleskoper. Ellipsometriske resultater viser at transmittansen og brytningsindeksen til

Silisiumkarbid er et avansert halvledermateriale som er i stand til å lede strøm ved høye temperaturer, samtidig som det er motstandsdyktig mot oksidasjon og tåler høye spenninger, noe som gjør det til det perfekte materialvalget for bruksområder som bilbremser og clutcher samt skuddsikre vester. Dopingsstoffer som aluminium, bor og gallium kan bidra til å kontrollere den elektriske ledningsevnen

Silisiumkarbid er et halvledermateriale med egenskaper som ligger mellom metaller og isolatorer. Sistnevnte avhenger av faktorer som temperatur og urenheter i krystallstrukturen, mens de elektriske egenskapene til førstnevnte også avhenger av disse variablene. Edward Goodrich Acheson skapte SiC for første gang i 1891 da han forsøkte å produsere kunstige diamanter ved hjelp av en elektrisk

Silisiumkarbid (SiC) er en slitesterk ikke-oksidkeramikk som er kjent for sin styrke og varmebestandighet. Det kan brukes i applikasjoner som krever høy termisk utholdenhet med minimal utvidelse. SiCs varmeledningsevne stiger med temperaturen opp til et visst punkt, men på grunn av urenheter eller strukturelle defekter synker den gradvis over tid - dette fenomenet

Silisiumkarbidteknologi har opplevd en enorm vekst blant produsenter av kraftelektronikk. Denne trenden kan i stor grad tilskrives en økende etterspørsel etter elektriske kjøretøy og tilhørende ladeinfrastruktur. SiC er et utmerket materiale å bruke til ulike bruksområder på grunn av sin utrolige hardhet, styrke og korrosjonsbestandighet. Høytemperatur silisiumkarbid har fått økt oppmerksomhet