This Dremel silicon carbide grinding stone works great on many surfaces and is especially helpful when etching glass. As its aluminum oxide counterpart, it offers tougher bits that work well on harder materials like glass. In addition to working well on such items as stone, ceramics, porcelain and nonferrous metals it comes equipped with a […]

Silicon Carbide (SiC) is an extremely hard and synthetically produced crystalline compound of silicon and carbon, popularly referred to as carborundum. Mohs hardness rating of 9 makes it similar to diamond and it can be used as an abrasive and in refractory products such as furnace linings. Silicon is another material with great potential for

Karbid křemíku je mimořádně užitečný materiál s využitím v mnoha průmyslových odvětvích. Přestože se v přírodě vyskytuje jako ložisko moissanitu, většina výroby karbidu křemíku (KK) se dnes uskutečňuje synteticky. Díky vysokému lámavému napětí a nízkému zapínacímu odporu jsou křemíkové destičky vynikajícími součástkami pro polovodičové součástky. Jejich odolnost proti korozi navíc zajišťuje, že odolávají vysokým teplotám.

Karbid křemíku je sloučenina, která se často používá v zařízeních výkonové elektroniky. Má různé vlastnosti, které mohou zlepšit výkon oproti zařízením na bázi křemíku, včetně zvýšené kapacity blokovacího napětí a sníženého měrného odporu při zapnutí. Výzkum těchto vlastností provedený společností Littelfuse vyústil v novou technologii určenou ke zvýšení účinnosti v systémech založených na AGPU. Společnost Littelfuse úspěšně provedla rozsáhlé testy s použitím

Kuličky z karbidu křemíku jsou navrženy tak, aby odolávaly náročným podmínkám, a lze je nalézt v mnoha aplikacích od ložisek a energetických systémů až po přesnou výrobu polovodičů. Karborundum se v přírodě vyskytuje jako minerál moissanit, ale masově se vyrábí od roku 1893 pro použití jako brusný materiál a surovina při výrobě oceli. Tvrdost Karbid křemíku (SiC)

Karbid křemíku (SiC) se rychle stal ideálním materiálem pro monoliticky integrované fotonické aplikace díky kombinaci vysokého indexu lomu, širokého pásma, nízkého koeficientu tepelné roztažnosti a vynikající tuhosti. SiC je také vynikajícím materiálem pro výrobu zrcadel v astronomických teleskopech. Elipsometrické výsledky ukazují, že propustnost a index lomu SiC.

Karbid křemíku je pokročilý polovodičový materiál, který je schopen vést elektrický proud při vysokých teplotách a zároveň zůstává odolný vůči oxidaci a zvládá vysoké napětí, což z něj činí ideální materiál pro aplikace, jako jsou brzdy a spojky automobilů a neprůstřelné vesty. Dopanty, jako je hliník, bór a galium, mohou pomoci řídit elektrickou vodivost.

Karbid křemíku je polovodičový materiál s vlastnostmi mezi kovy a izolanty. Ty druhé závisí na faktorech, jako je teplota a nečistoty přítomné v jeho krystalové struktuře; u prvně jmenovaného závisí na těchto proměnných i elektrické vlastnosti. Edward Goodrich Acheson poprvé vytvořil SiC v roce 1891 při pokusu o výrobu umělých diamantů pomocí elektrického proudu.

Karbid křemíku (SiC) je odolná neoxidová keramika známá svou pevností a tepelnou odolností. Najdete ho v aplikacích, které vyžadují vysokou tepelnou odolnost s minimální roztažností. Tepelná vodivost SiC do určitého bodu stoupá s teplotou; v důsledku nečistot nebo strukturních defektů však v průběhu času postupně klesá - tento jev

Technologie karbidu křemíku zaznamenala mezi výrobci výkonové elektroniky obrovský rozvoj. Tento trend lze z velké části přičíst rostoucí poptávce po elektromobilech a související nabíjecí infrastruktuře. SiC je vynikajícím materiálem pro různé aplikace díky své neuvěřitelné tvrdosti, pevnosti a odolnosti vůči korozi. Vysokoteplotní karbid křemíku si získal zvýšenou pozornost