kunnskap

Silicon Carbide (SiC) can withstand the high voltage demands of electric vehicle power systems. Wolfspeed offers isolation solutions designed specifically to support SiC designs for traction control inverters. Silicon Carbide Market Growth Automotive industry growth is driving market growth of silicon carbide while its high temperature resistance drive the demand from the refractory sector. Automotive […]

Silisiumkarbid er et utrolig materiale med eksepsjonell hardhet og holdbarhet som revolusjonerer enhver verktøykasse. Håndverkere kan bruke det til å forme, glatte og jevne overflater med presisjon og enkelhet - noe som løfter etterbehandlingsprosessen og gir håndverkere tilgang til presisjonsfinish. Uansett hvilket materiale som skal slipes - ømfintlig finér eller tette

Silisiumkarbid brukes i elektroniske enheter som forsterker, bryter eller konverterer signaler i en elektrisk krets. På grunn av den lavere spenningsmotstanden og temperaturkapasiteten kan disse enhetene operere ved høyere frekvenser med mindre effekttap. SiC produseres i en elektrisk ovn ved hjelp av Acheson-prosessen og ved å varme opp silikasand

MOSFET-er (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) av silisiumkarbid er viktige elementer i kraftelektroniske applikasjoner, med bredt båndgap, høy gjennomslagsspenning og høy strømtetthet. Disse strømforsyningene er spesielt godt egnet for hard-switching-topologier som LLC og ZVS, noe som gir høyere systemeffektivitet med mindre komponenter for mer kompakte konstruksjoner med reduserte systemkostnader og en energieffektiv

Silisiumkarbid (SiC) er et ultrahardt syntetisk materiale som først ble syntetisert i 1891 av Edward Acheson i en ovn som ble varmet opp med karbon og aluminiumoksid. Siden SiC ble lansert som slipemiddel i industrien på 1920-tallet, har det raskt blitt et av de mest ettertraktede materialene i stor skala. SiC finnes i ulike krystallstrukturer

Silisiumkarbidskiver brukes som substrater i kraftelektroniske enheter som dioder og MOSFET-er, og de har overlegen hardhet, stabilitet under varme og spenning og er ikke reaktive med hensyn til oksidasjonsmotstand. Tilgjengelig i størrelsene 100 mm og 150 mm i diameter. Disse substratene gir også beskyttelse mot termisk sjokk forårsaket av plutselige temperaturendringer, med sin lave

Reaksjonsbundet silisiumkarbid er et ultraelastisk keramisk materiale som gir eksepsjonell styrke mot støt og slitasje, motstand mot termisk sjokk og kjemiske angrep. Formuleringer av porøse SiC- og karbonpartikler blir selvbindende når de infiltreres med flytende eller gassformig silisium, på grunn av den kjemiske reaksjonen mellom silisium og karbon. Silisium reagerer med karbon og danner ytterligere silisiumkarbid

Silisiumkarbid er et av de hardeste og mest holdbare avanserte keramiske materialene. Det opprettholder sin styrke ved høye temperaturer, samtidig som det er motstandsdyktig mot syrer, baser og smeltede salter. CVD-SiC, som produseres gjennom kjemisk dampavsetning, er en ekstremt ren form med bedre varmeledningsevne enn sintret eller reaksjonsbundet SiC. Det er en

Silisiumkarbid er en høyytelseskeramikk med eksepsjonell hardhet, slitestyrke og varmeledningsevne. Den komplekse geometrien gjør imidlertid presis maskinering ekstremt utfordrende; diamantverktøy må brukes for å oppnå maksimal nøyaktighet ved bearbeiding. Saint-Gobain benytter flere produksjonsmetoder for å lage sintrede silisiumkarbidprodukter av høyeste kvalitet. Vi benytter oss av reaksjonssintring og trykkløs

Digler av silisiumkarbid er utviklet for smelting av ikke-jernholdige metaller som kobber, sølv, gull og bly-sink i malte ovner eller elektriske ovner. De har blant annet høy oksidasjonsmotstand, mindre forurensning og utmerket varmeledningsevne. Digler blir ofte skadet på grunn av overoppheting; langsgående sprekker som strekker seg fra underkant til topp, kan være et resultat av dette scenariet, men