kunnskap

Silicon carbide is an increasingly popular material choice for use in electronics applications due to its hardness, thermal conductivity and chemical stability properties. Furthermore, its insulation qualities make it suitable for circuit boards and other components. Silicon carbide’s wider bandgap makes it suitable for use in semiconductor electronics devices that operate at higher frequencies and […]

Før det ble tatt i bruk varmflatetennere, brukte gassovner gnisttenning. En liten pilotflamme brant hele året, og gassen strømmet bare når det var nødvendig. Disse tennerne er laget av silisiumkarbid eller silisiumnitrid og har keramiske baser for å isolere ledningstilkoblingene. Driftsspenningsområdet er 80 til 240 V DC. 1. Lang levetid

Båndgapet måler energien som kreves for at elektroner og hull skal bevege seg fra sine respektive valensbånd til ledningsbånd, eller ledningsbånd. Halvledere med bredere båndgap, som galliumnitrid (GaN) eller silisiumkarbid (SiC), har betydelig større båndgap enn standard silisium, noe som gjør disse materialene egnet for høyspennings-/frekvensapplikasjoner. 1. Bredt

I likhet med diamant, grafen og andre eksotiske materialer er amorft silisiumkarbid (a-SiC) et eksepsjonelt sterkt materiale - men i motsetning til sine krystallinske motstykker har det ikke langdistanseorden i atomarrangementet. Dette avviket bidrar til å forklare hvordan dette materialet klarer å oppnå en så bemerkelsesverdig strekkfasthet; professor Norte anslår at opptil 10 mellomstore

Halvledere av silisiumkarbid har større båndgap som gjør det mulig å overføre elektrisk energi mer effektivt enn tilsvarende silisiumprodukter, noe som gjør dem egnet til bruksområder som kraftelektronikk for elektriske kjøretøy og instrumenter for romforskning. Dette gjør silisiumkarbid spesielt godt egnet til bruk i romfartøyer og sonder. Coherent etablerer et nytt datterselskap som skal levere 150 mm og

Silisiumkarbid er et innovativt materiale som kan revolusjonere industrielle prosesser. Dette banebrytende materialet tåler ekstreme temperaturer, slitasje og korrosjon, samtidig som det har eksepsjonell styrke og lang levetid. Rør av silisiumkarbid kan skryte av å være det nest hardeste materialet etter diamant, og de kan transportere kjemikalier uten å brytes ned - to egenskaper som gjør dem perfekte

Silisiumkarbid er i ferd med å revolusjonere kraftelektronikken. Det er i ferd med å erstatte tradisjonelle silisiumtransistorer, samtidig som det gir betydelige ytelsesforbedringer. På grunn av materialets fysiske og elektroniske egenskaper kan ingeniører være tilbakeholdne med å ta i bruk denne teknologien. Dessverre kan misoppfatninger hindre dem i å ta den i bruk fullt ut. Silisiumkarbid forekommer naturlig som moissanitt-stein og syntetisk

Silisiumkarbidets harde og stive overflateegenskaper gjør det til et utmerket speilmateriale for astronomiske teleskoper, og det utgjør også en viktig del av kraftelektronikken i elektriske kjøretøy og romsonder. Khan påpeker at DENSO og Mitsubishi Electric er to ledende systemselskaper som aktivt anskaffer SiC-brikker på både substrat- og epiwafernivå. Hva

Silisiumkarbid er et av de hardeste materialene som brukes til å lage slipeverktøy. Det tåler ekstreme temperaturer og trykk uten å bli skadet eller få redusert ytelse. Disse rondellene er ideelle for sliping og polering av harde natursteinsoverflater, og gir rask materialfjerning samtidig som de skaper en elegant overflatefinish. Tilgjengelig i

Silisiumkarbid (SiC) er et uorganisk halvledermateriale med et ekstremt bredt båndgap som vekselvis kan fungere som enten elektrisk leder eller isolator, noe som gjør det nyttig i kraftelektronikk på grunn av den overlegne elektriske ledningsevnen i forhold til tradisjonelle silisiumhalvledere. EAG Laboratories har omfattende ekspertise i å utføre bulk- og romlig oppløste analyseteknikker på SiC