žinios

Silicon Carbide (SiC) can withstand the high voltage demands of electric vehicle power systems. Wolfspeed offers isolation solutions designed specifically to support SiC designs for traction control inverters. Silicon Carbide Market Growth Automotive industry growth is driving market growth of silicon carbide while its high temperature resistance drive the demand from the refractory sector. Automotive […]

Silicio karbidas yra neįtikėtina medžiaga, pasižyminti išskirtiniu kietumu ir ilgaamžiškumu, kuri iš esmės pakeičia bet kokį meistro įrankių rinkinį. Amatininkai ją gali naudoti tiksliam ir lengvam paviršių formavimui, išlyginimui ir išlyginimui, taip pagerindami apdailos procesą ir suteikdami amatininkams galimybę atlikti tikslią apdailą. Nesvarbu, kokia medžiaga šlifuojama - švelni fanera ar tankus

Silicio karbidas naudojamas elektroniniuose prietaisuose, kurie stiprina, perjungia arba konvertuoja signalus elektros grandinėje. Dėl mažesnės varžos įtampai ir temperatūros atsparumo šie prietaisai gali veikti didesniais dažniais su mažesniais galios nuostoliais. SiC gaminamas elektrinėje krosnyje, naudojant Achesono procesą ir kaitinant kvarcinį smėlį

Silicio karbido MOSFET (metalo oksidų puslaidininkiniai lauko tranzistoriai) yra esminiai galios elektronikos elementai, pasižymintys plačia pralaidumo juosta, didele pramušimo įtampa ir srovės tankio charakteristikomis. Šie maitinimo šaltiniai ypač tinkami kietųjų perjungimų topologijoms, tokioms kaip LLC ir ZVS, užtikrinant didesnį sistemos efektyvumą, naudojant mažesnius komponentus, kad būtų galima kurti kompaktiškesnes konstrukcijas mažesnėmis sistemos sąnaudomis ir efektyviau naudoti energiją.

Silicio karbidas (SiC) yra itin kieta sintetinė medžiaga, kurią 1891 m. pirmą kartą susintetino Edwardas Achesonas krosnyje, įkaitintoje su anglimi ir aliuminio oksidu. Nuo 1920 m., kai SiC buvo pradėtas naudoti pramonėje kaip pramoninis abrazyvas, jis greitai tapo viena iš paklausiausių medžiagų plačiu mastu. SiC būna įvairių kristalinių struktūrų

Silicio karbido plokštelės naudojamos kaip maitinimo elektronikos prietaisų, pavyzdžiui, diodų ir MOSFET, substratai, pasižymintys išskirtiniu kietumu, stabilumu veikiant karščiui ir įtampai bei atsparumu oksidacijai. Galimi 100 mm ir 150 mm skersmens dydžiai. Šie substratai taip pat apsaugo nuo terminio šoko, kurį sukelia staigūs temperatūros pokyčiai, nes jų mažas

Reakcijos būdu surištas silicio karbidas yra itin atspari keraminė medžiaga, pasižyminti išskirtiniu atsparumu smūgiams ir dėvėjimuisi, atsparumu šiluminiam smūgiui ir cheminiam poveikiui. Akytų SiC ir anglies dalelių preparatai, infiltruoti skystu ar dujiniu siliciu, dėl cheminės reakcijos tarp silicio ir anglies tampa savaime surišami. Siliciui reaguojant su anglimi, susidaro papildomas silicio karbidas

Silicio karbidas yra viena kiečiausių ir patvariausių pažangiųjų keraminių medžiagų. Jis išlaiko savo tvirtumą aukštoje temperatūroje ir yra atsparus rūgštims, šarmams ir išlydytoms druskoms. CVD SiC, pagamintas cheminio nusodinimo iš garų būdu, yra itin grynos formos, pasižymintis geresniu šiluminiu laidumu nei sukepintas ar reakcijos būdu surištas SiC. Tai

Silicio karbidas yra aukštos kokybės keramika, pasižyminti išskirtiniu kietumu, atsparumu dilimui ir šilumos laidumu. Tačiau dėl sudėtingos jo geometrijos tikslus apdirbimas yra itin sudėtingas; norint užtikrinti didžiausią tikslumą, reikia naudoti deimantinius įrankius. Saint-Gobain" naudoja daugybę gamybos būdų, kad pagamintų aukščiausios kokybės sukepinto silicio karbido gaminius. Mes naudojame reakcinį sukepinimą ir sukepinimą be slėgio.

Silicio karbido tigliai skirti spalvotiesiems metalams, tokiems kaip varis, sidabras, auksas ir švinas bei cinkas, lydyti gruntinėse arba elektrinėse krosnyse. Jie pasižymi dideliu atsparumu oksidacijai, mažesne tarša ir puikiu šilumos laidumu. Tigliai dažnai pažeidžiami dėl perkaitimo; tokiu atveju gali atsirasti išilginių įtrūkimų, besitęsiančių nuo apatinio krašto iki viršaus, tačiau