知識

Silicon carbide, more commonly referred to as Carborundum, is an exceptional hard ceramic material with excellent strength and wear resistance. Furthermore, its chemical inertness allows for high thermal conductivity with a low coefficient of thermal expansion while it has excellent resistance to oxidation and degradation under high temperatures. Contrary to conventionally crystalline materials, a-SiC’s disordered atomic structure actually contributes to its exceptional strength. This remarkable material subverts conventional concepts of material science. Electrical Conductivity Silicon carbide (chemical formula SiC) is one of the hardest naturally occurring substances and one of the toughest synthetic materials available today, boasting one of the lowest friction coefficients and maintaining its strength and hardness at […]

炭化ケイ素は非常に硬く鋭利な素材で、さまざまな種類の研磨工具に使用されています。この素材から作られたサンディングディスクは、滑らかな仕上がりのために素早くゴミを取り除きます。これらのディスクは、紙または布を裏打ちし、樹脂ボンドで砥粒をしっかりと固定します。コーティング除去用として、さまざまな粒度をご用意しています。硬度 炭化ケイ素は非常に硬く、耐久性のある素材であるため、サンディングディスクに理想的な素材です。この工具は、ダイヤモンドに似た結晶格子に配置されたケイ素と炭素から成る合金から作られています。このユニークな構造により、炭化ケイ素砥粒は高圧に耐えることができます。

炭化ケイ素（一般にカーボランダムと呼ばれる）は、複数の用途を持つ工業材料である。六方晶系のウルツ鉱型結晶構造を持つ炭化ケイ素は、産業界でさまざまな用途がある。a-SiCで作られた結晶粒の実験室での消光スペクトルは、天文学の観測で見られるものと密接に一致している。SiCの屈折率は、測定と理論の両方で確認されています。屈折率 炭化ケイ素（一般にカーボランダムと呼ばれる）は、ケイ素と炭素からなる非常に硬い化学化合物である。一般に研磨剤として使用されるが、炭化ケイ素は、その優れた熱伝導性、電界強度、最大屈折率から、高温・高電圧の電子機器に不可欠であることが証明されている。

炭化ケイ素（SiC）は、ダイヤモンドに次いで硬い材料の一つです。その卓越した強度と耐摩耗特性により、SiCは研磨材や耐火物などの用途に理想的な候補となります。SiCは、モアッサナイト鉱物の中に自然に存在するほか、Blasch ULTRON焼結SiCのような企業によって合成的に製造されています。SiCには、他のセラミック材料と比較して、以下のような利点があります。高温耐性 炭化ケイ素は、産業機械の耐摩耗部品や炉の耐摩耗コーティングなど、高い熱的・機械的性能を必要とする用途に使用される非酸化物セラミックです。さらに、炭化ケイ素の化学構造により、極端な温度にも耐えることができます。分子サイズが極めて小さいため

炭化ケイ素インバータは、直流（DC）を交流（AC）に変換する電力変換器である。炭化ケイ素電界効果トランジスタ（MOSFET）を使用し、効率を高め、サイズを小さくしている。電気自動車用の炭化ケイ素パワー・エレクトロニクスは、同種のパワー・エレクトロニクスに比べて、低温、スイッチング速度の高速化、トラクション・インバーターにおける伝導損失の低減など、いくつかの利点があり、走行距離とエネルギー利用率の向上につながる。コスト 炭化ケイ素インバーターはシリコン（Si）インバーターよりもコストが高いが、高い投資に見合うだけの多くの利点がある。炭化ケイ素は、Siよりも高い絶縁破壊電界電圧耐性を持つため、より大きな電流を流すことができ、その結果、デバイス抵抗を低減し、効率を高めることができます。

炭化ケイ素は非常に硬いが、ダイヤモンドに比べればまだ硬度は低い。しかし、それでも非常に硬い材料として第2位にランクされている。多孔質炭素結合ダイヤモンドプリフォームは、シリコンの融点を超える温度で毛細管力によってシリコンを浸透させ、炭素バインダーがグラファイトに変化します。熱伝導性 炭化ケイ素ダイヤモンドは、熱伝導性に優れた超高温材料であり、電気・電子・産業工学分野で広く使用されています。用途としては、半導体、トランジスタ、パワーLED、LEDディスプレイ照明の冷却および加熱が挙げられます。SiC/ダイヤモンド複合材料の熱伝導率は、ダイヤモンドの量や大きさ、バインダー材料の組成、SiC/ダイヤモンド複合材料の構造など、いくつかの要因に左右される。

炭化ケイ素(SiC)は、非常に硬く耐熱性のあるセラミックで、多くの望ましい特性を備えているため、耐熱性のある強力な材料を必要とする高性能用途に適しています。SiCは、このような理由から、従来のセラミックオプションよりもよく選ばれています。アメリカンエレメンツは、軍事用、ACS用、試薬用、食品グレードの製薬研究用途、および研磨製品用の多数のグレードでSiCを提供しています。硬度 炭化ケイ素 (SiC) は、高温での高い硬度と機械的安定性、低膨張係数による優れた熱伝導性、強力な耐食性と耐酸化性、ケイ素と炭素からなる四面体構造の組成など、多くの卓越した物理化学的特性を持つ優れた性能材料です。

ホットサーフェスイグナイターは、古い炉に見られるスパークイグニッションよりも信頼性が高く耐久性のある装置で、接続されたワイヤーを絶縁するセラミックベースと炭化ケイ素または窒化ケイ素素子で構成され、ガスに点火するために必要なホットサーフェスを作成するためにこの組み合わせを介して電圧が印加されます。交換用イグナイター ホット・サーフェス・イグナイターやスパーク・イグナイターが広く利用されるようになる前は、ガス炉はパイロット・ライトに頼っていました。これらは一年中点火されたままであり、システムの点火を必要とする熱の要求があったときに細い炎を燃やした。残念ながら、このパイロットランプの点灯を維持するには、エネルギーとガス消費の両方が必要でした。

炭化ケイ素発熱体は、炉での使用に理想的な耐久性のある発熱体です。高温と高負荷に耐えるため、工業プロセスにおいて理想的な選択肢となります。炭化ケイ素発熱体には、SCタイプによる大型工業炉での均一な熱分布の提供から、DMタイプによる高度な製造アプリケーションでの高度な温度制御まで、特定の工業的ニーズを満たすように設計された独自の特徴があります。SCタイプの炭化ケイ素は、ケイ素と炭素の非常に硬い結晶性化合物で、合成的に合成され、サンドペーパーや切削工具から発光ダイオード基板まで幅広い用途に使用されています。炭化ケイ素は非常に高い温度に耐えることができるため、広く使用されています。

モアッサナイトは、ダイヤモンドを凌ぐファイヤーとブリリアンスで輝く、特別な宝石として群を抜いています。100年以上前に発見されて以来、その魅惑的な美しさは宝石商を魅了してきました。フランスのアンリ・モワッサンは、隕石やキンバーライトからモアッサナイトを発見した最初の人物ですが、今日のジュエリー・グレードのモアッサナイトのほとんどは、高度な熱法を用いてラボで作られたものです。Lelyプロセス 炭化ケイ素（SiC）は比較的新しい半導体基材であるが、電力およびRF用途におけるその有望性は早くから認識されていた。適切な製造プロセスが確立されたのは1970年代になってからですが、今日、SiC基板の製造方法として主流となっているのは、制御された温度で単結晶を成長させるLelyプロセスです。