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炭化ケイ素（SiC）は、ケイ素と炭素の結晶性化合物で、一般にカーボランダムと呼ばれている。モース硬度は9でダイヤモンドに似ており、研磨剤として、また炉の内張りなどの耐火物製品に使用される。シリコンは、ハイパワー用途に大きな可能性を秘めたもう一つの材料であり、異なる結晶構造を持つ数多くのポリタイプがある。化学式 炭化ケイ素（SiC）は、化学式SiCで表されるケイ素と炭素の非常に硬い結晶性化合物で、合成的に製造される。アンリ・モワッサンがアリゾナ州デビルズキャニオンで初めて自然発見し、その後1891年にアメリカの発明家エドワード・アチソンが電熱を利用して合成した。

炭化ケイ素は、多くの産業で応用されている非常に有用な材料である。天然にはモアッサナイト鉱床として発見されているが、現在では炭化ケイ素（SC）の生産のほとんどは合成で行われている。高い破壊電圧と低いターンオン抵抗により、シリコンウェーハは半導体デバイスの優れた部品となる。さらに、耐食性に優れているため、高温や腐食関連の問題にも耐えることができます。研磨工具 炭化ケイ素（一般に「カーボランダム」と呼ばれる）は、優れた高温強度と熱膨張特性を持つ耐久性のあるセラミック材料です。そのため、錆を強力に除去したり、製品を塗装または剥離するために耐久性のある長持ちする媒体が必要な研磨ブラスト用途に広く使用されています。

炭化ケイ素は、パワーエレクトロニクス・デバイスによく利用される化合物である。炭化ケイ素には、ブロッキング電圧容量の増加や比オン抵抗の低減など、シリコンベースのデバイスよりも性能を向上させるさまざまな特性があります。これらの特性に関するリテルヒューズの研究により、AGPU ベースのシステムにおいて効率を向上させるよう設計された新技術が生まれました。リテルヒューズは、この研究プロジェクトで開発された実験システムを使用して大規模な試験を実施し、その有効性を実証しました。コスト シリコンと炭素から成る合金である炭化ケイ素は、1920 年代の研削砥石に初めて使用されて以来、研削砥石の研磨材として長い間利用されてきました。

炭化ケイ素のボールは過酷な環境に耐えるように設計されており、ベアリングやエネルギーシステムから精密半導体製造に至るまで、数多くの用途で使用されています。カーボランダムは、モアッサナイトという鉱物として自然界に存在しますが、研磨材や製鋼原料として1893年から大量生産されています。硬度 炭化ケイ素（SiC）は、非常に硬く、耐熱性、耐圧性に優れた材料で、研削・研磨用途、切削工具、航空宇宙用ポンプ・バルブ、ポンプ・バルブ、化学処理などの海洋用途に使用されています。SiCセラミックボールは、高温に対する耐性を提供しながら、正確な仕様と公差を満たしながら、容易な回転を可能にする滑らかな表面で卓越した安定性を提供します。

炭化ケイ素（SiC）は、高屈折率、ワイドバンドギャップ、低熱膨張係数、優れた剛性特性を併せ持つことから、モノリシックに集積化されたフォトニクス・アプリケーションの理想的な材料として急速に台頭してきた。SiCはまた、天体望遠鏡のミラーの材料としても最適である。エリプソメトリーの結果は、SiC膜の透過率と屈折率が、粗さ層の厚さの変化により、蒸着温度の上昇とともに増加することを示している。屈折率 炭化ケイ素は、いくつかの理由から非常に有用な材料である。モース硬度9という驚異的な耐久性を持ち、研削砥石に最適です。さらに、その優れた破壊特性と化学反応への耐性は、研削砥石に最適です。

炭化ケイ素は、高温でも電気を通すことができ、酸化に強く、高電圧を扱うことができる高度な半導体材料であり、自動車のブレーキやクラッチ、防弾チョッキなどの用途に最適な材料である。アルミニウム、ホウ素、ガリウムなどのドーパントは、多孔質SiCの中にP型半導体を作ることで、多孔質SiCの電気伝導性を制御するのに役立つ。半導体である炭化ケイ素（SiC）は、ケイ素と炭素からなる人工的に製造された硬い結晶性化合物である。炭化ケイ素は非常に強靭で耐摩耗性の高い材料であるため、サンドペーパー、研削砥石、切削工具、耐火物ライニング、耐摩耗部品など、さまざまな産業分野で使用されている。

炭化ケイ素は、金属と絶縁体の中間の性質を持つ半導体材料である。後者は、温度や結晶構造内に存在する不純物などの要因に依存し、前者については、電気的特性もこれらの変数に依存する。エドワード・グッドリッチ・アチソンは1891年、炭素棒を使って粘土に電流を流し、人工ダイヤモンドを作ろうとしてSiCを初めて作り出した。彼はその結果できた物質をカーボランダムと名付けた。耐電圧 炭化ケイ素（SiC）は、驚異的な導電特性を持つ非常に耐久性のある半導体材料です。シリコンよりも高温でも高い電圧と電流を管理できるSiCは、パワーエレクトロニクスなどの用途に理想的である。さらに

炭化ケイ素（SiC）は、強度と耐熱性で知られる耐久性のある非酸化物セラミックです。SiCは、膨張を最小限に抑え、高い耐熱性が要求される用途に使用されます。SiCの熱伝導率は、ある点までは温度とともに上昇しますが、不純物や構造上の欠陥により、時間とともに徐々に低下します。銀 銀は地球上で最も普遍的な金属のひとつであり、高い熱伝導率を誇るため、ソルダーペーストやコンデンサーの製造など、幅広い産業で使用されています。また、銀は熱膨張係数が低く、展性があるため、基板からチップへの高い熱流を必要とする用途にも適しています。

炭化ケイ素技術は、パワーエレクトロニクス・メーカーの間で著しい成長を遂げている。この傾向は、電気自動車と関連する充電インフラに対する需要の増加に大きく起因している。SiCは、その驚異的な硬度、強度、耐食性特性により、さまざまな用途に使用できる優れた材料です。高温炭化ケイ素は、高温環境下での優れた能力、特に華氏1,400度までの熱的・電気的安定性で注目を集めています。これは、放熱が性能に不可欠なパワーエレクトロニクスなど、さまざまな産業用途で使用できることを意味します。その熱的・電気的安定性もまた、炭化ケイ素を重要な選択肢にしています。炭化ケイ素の自慢