Silicon carbide (SiC) is an ultrahard synthetic material first synthesized in 1891 by Edward Acheson in a furnace heated with carbon and alumina. Since its release into industry as an industrial abrasive in the 1920s, SiC has quickly become one of the most sought-after materials on a large scale. SiC comes in various crystal structures known as polytypes; for high power applications, 4H-SiC hexagonal atomic structure polytype is best. Physical Properties Silicon carbide is a fine ceramic with diverse physical properties that makes it one of the most versatile refractory materials on the market. From its strength, hardness, corrosion resistance and high melting point to its versatility in extreme engineering […]

炭化ケイ素ウェーハは、ダイオードやMOSFETなどのパワーエレクトロニクス・デバイスの基板として使用され、優れた硬度、熱や電圧に対する安定性、耐酸化性に対する非反応性を提供します。直径100mmと150mmのサイズがあります。これらの基板は、急激な温度変化による熱衝撃からも保護され、熱膨張係数が低いため、小型デバイスや1チップにより多くのトランジスタを搭載するのに適しています。高性能半導体 炭化ケイ素は非常に柔軟な半導体材料で、あらゆる種類のパワーエレクトロニクス用途に最適です。広いバンドギャップと高いブレークダウン電界により、炭化ケイ素を使用すると効率が大幅に向上します。

反応結合炭化ケイ素は、衝撃や摩耗に対する優れた強度、耐熱衝撃性、化学的攻撃を提供する超弾性セラミック材料です。多孔質SiCと炭素粒子の配合物は、液体または気体のケイ素を浸透させると、ケイ素と炭素の化学反応により自己結合します。シリコンはカーボンと反応して炭化ケイ素粒子を形成し、元の粒子をさらに結合させます。高強度反応結合炭化ケイ素（RBSiC）は非常に耐久性のあるセラミック材料で、優れた耐薬品性、衝撃強度、耐摩耗性、耐熱衝撃性を提供します。溶融シリコンを多孔質カーボンまたはグラファイトプリフォームに浸透させ、そこで炭素と反応してSiCを形成することにより製造され、その優れた強度と耐衝撃性を発揮します。

炭化ケイ素は、最も硬く耐久性のある先端セラミック材料の一つです。酸、アルカリ、溶融塩に対する耐性を持ちながら、高温でも強度を維持することができます。化学気相成長法によって製造されるCVD SiCは、焼結SiCや反応結合SiCよりも優れた熱伝導性を持つ極めて純粋な形態です。半導体である炭化ケイ素（SiC）は、六方晶構造と強い共有結合を持つ無機半導体である。その化学構造は、3つのケイ素原子が1つの炭素原子と結合したもので、従来のシリコンよりも強力な電界とともに、高温と高電圧に耐えることができる非常に弾力性のある材料です。SiCは高温に耐えられる

炭化ケイ素は、卓越した硬度、耐摩耗性、熱伝導性を持つ高性能セラミックです。しかし、その複雑な形状のため、精密な加工は非常に難しく、ダイヤモンド工具を使用して最大限の精度を出す必要があります。サンゴバンは、最高グレードの炭化ケイ素焼結製品を製造するために、複数の製造手段を活用しています。サンゴバンは、反応焼結と無加圧焼結プロセスを採用し、過酷な用途に耐えるよう設計された高密度セラミック製品を製造しています。高強度炭化ケイ素セラミックは、入手可能な中で最も硬くて強いセラミックの一つであり、耐衝撃性を維持しながら高温でも強度を維持します。この硬度と強度の組み合わせにより、炭化ケイ素は多くの要求の厳しい用途に理想的な材料選択となります；

炭化ケイ素るつぼは、銅、銀、金、鉛亜鉛などの非鉄金属を地炉または電気炉で溶解するために設計されています。その特徴は、高い耐酸化性、汚染の少なさ、優れた熱伝導性です。るつぼはしばしば過熱による損傷を受けます。この場合、下端から上端まで伸びる縦方向の亀裂が生じることがありますが、ゆっくり加熱することで回避できます。高温耐性 炭化ケイ素るつぼは高温耐性が高く、金属溶解および鋳造プロセスに理想的な選択肢です。溶融金属を所定の位置に保持し、溶融または精錬プロセス中に最適な温度を維持できるだけでなく、その高温耐性により、以下のことも防止できます。

炭化ケイ素（SiC）は、モアッサナイトとして天然に存在するケイ素と炭素の非常に硬い結晶性化合物で、半導体の性質を持つ。工業的に生産された粉末は、研磨や切断作業に使用される。エドワード・アッション（Edward Acheson）は1891年、発電所の電熱を利用してシリカと炭素を結合させ、合成モアッサナイトとして知られる小さな黒い結晶を人工的に合成した。余分な炭素を含むシリカの還元 炭化ケイ素は、炭素とケイ素が共有結合して密に詰まった構造からなる、硬くてもろい物質です。非常に強靭で、非常に高い融点を誇り、熱衝撃に強い。炭化ケイ素は次のようなものに含まれている。

窯道具には、窯での焼成中に陶磁器が置かれる棚があります。窒素で結合された炭化ケイ素の棚板は、耐摩耗性と物理的強度により優れた選択肢となり、窯内での配置に最適な条件を提供します。LO-MASS棚板は、従来のコーディエライト棚板よりも19倍強く、50%軽量でありながら、コーン16までの荷重を支えることができます。気孔率がほぼゼロのため、耐釉性に優れ、キルン洗浄の使用量を減らし、キルン内の熱質量を減らすことができます。1.頑丈な窯棚は、焼成、焼結、熱処理工程において、陶器に不可欠なサポートを提供します。コーディエライト、高アルミナ、炭化ケイ素材料で作られています。

炭化ケイ素砥石は、金属の研削や切断に広く使用されており、さまざまな金属の用途や硬度に合わせてさまざまな粒度のものがあります。硬くて脆い材料にはより細かい砥粒が必要で、引張強度が低い材料にはより粗い砥粒が必要です。高硬度炭化ケイ素砥粒は、酸化アルミニウム砥粒よりもかなり硬い。さらに、耐久性に優れ、熱伝導性に優れているため、研削中に金属から研削熱を効率的に取り除くことができます。さらに、温度範囲が広いため、非鉄金属やセラミックなどさまざまな材料に適しています。砥粒の硬度は、切断・研削用砥石としての効果を決定する。

炭化ケイ素半導体は、高電圧を扱う能力、熱効率の向上、電気自動車のパワーエレクトロニクス・デバイスの小型化・軽量化など、シリコンベースのデバイスに代わる魅力的な利点がいくつかある。SiCはモアッサナイト宝石やキンバーライト鉱床に天然に存在するが、そのほとんどは電子部品、電源装置、原子炉に使用するために合成的に生産されている。ワイドバンドギャップ 炭化ケイ素（SiC）は、非常にワイドなバンドギャップを持つ先駆的な半導体材料であり、SiCデバイスはシリコンベースの同等品よりも高い電圧と電流を扱うことができるため、電気自動車のトラクション・インバーターや無停電電源装置などのパワーエレクトロニクスに適している。半導体は、次のような挙動を交互に繰り返す材料である。