Okamoto et al. measured the conductivity of silicon carbide at various temperatures and found that small amounts of Si additive did not increase conductivity by two to three orders of magnitude, but exceeding 5 mol% caused conductivity levels to soar by up to three orders of magnitude. Silicon carbide is a semiconductor material, capable of […]

Le carbure de silicium amorphe (a-SiC) a fait l'objet d'une grande attention en raison de ses propriétés optiques et électroniques variables. Sa rigidité, ses faibles taux de dilatation thermique et sa transparence à la lumière visible en font un matériau intéressant pour les miroirs de télescopes. La science des matériaux connaît une révolution avec l'introduction de ce nouveau matériau : l'a-SiC. Avec des propriétés combinant la résistance et l'élasticité, l'a-SiC est un matériau de haute qualité.

Le 4H-SiC est un polytype de carbure de silicium de plus en plus populaire. En raison de sa large bande interdite et de ses excellentes propriétés thermiques, électriques et mécaniques, il constitue un matériau idéal pour les applications d'électronique de puissance. Nous avons étudié la déformation élastique et le comportement de fissuration d'un spécimen de pilier en 4H-SiC monocristallin avec l'orientation [0001] en effectuant quatre fois la déformation de compression de chargement-déchargement.

Les whiskers de carbure de silicium, particules monocristallines de taille micrométrique dotées de propriétés physiques et chimiques exceptionnelles, ont suscité un vif intérêt de la part des chercheurs en raison de leur large éventail d'applications dans de nombreux domaines, notamment les matériaux structurels à haute température et les céramiques d'outillage. La céramique mullite est un matériau réfractaire chimiquement très stable qui présente des propriétés mécaniques et physiques supérieures, telles qu'une dureté élevée et un fluage à la température.

La technologie des onduleurs en carbure de silicium est une avancée passionnante dans le domaine des semi-conducteurs de puissance. Elle présente plusieurs avantages par rapport aux dispositifs conventionnels en silicium, notamment des pertes de puissance jusqu'à dix fois inférieures et des performances thermiques améliorées. McLaren Applied utilise un transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET) CoolSiC haute tension, conçu spécialement pour les systèmes haute tension de 800 volts que l'on trouve dans les réseaux électriques.

Le carbure de silicium, plus communément appelé carborundum, est un composé cristallin synthétique extrêmement dur, composé de silicium et de carbone, caractérisé par une conductivité thermique élevée, un faible coefficient de dilatation, une résistance aux réactions chimiques et des capacités semi-conductrices. La moissanite, son équivalent naturel, est un minéral que l'on ne trouve qu'en quantités très limitées dans les pays de l'Union européenne.

Le carbure de silicium (SiC) peut résister aux exigences de haute tension des systèmes d'alimentation des véhicules électriques. Wolfspeed propose des solutions d'isolation conçues spécifiquement pour soutenir les conceptions SiC pour les onduleurs de contrôle de la traction. Croissance du marché du carbure de silicium La croissance de l'industrie automobile stimule la croissance du marché du carbure de silicium, tandis que sa résistance aux températures élevées stimule la demande du secteur des matériaux réfractaires. Automobile

Le carbure de silicium est un matériau incroyable, d'une dureté et d'une durabilité exceptionnelles, qui révolutionne la panoplie des artisans. Les artisans peuvent l'utiliser pour façonner, lisser et niveler des surfaces avec précision et facilité - en améliorant leur processus de finition et en leur donnant accès à des capacités de finition de précision. Quel que soit le matériau à poncer - placages délicats ou bois denses - il est possible de le poncer.

Le carbure de silicium est utilisé dans les dispositifs électroniques qui amplifient, commutent ou convertissent les signaux dans un circuit électrique. En raison de sa faible résistance à la tension et de sa capacité à résister à la température, ces dispositifs peuvent fonctionner à des fréquences plus élevées avec moins de pertes de puissance. Le carbure de silicium est produit dans un four électrique selon le procédé Acheson et en chauffant du sable siliceux.

Les MOSFET (transistors à effet de champ à semi-conducteur métal-oxyde) en carbure de silicium sont des éléments essentiels dans les applications électroniques de puissance, car ils offrent des caractéristiques de large bande interdite, de tension de claquage et de densité de courant élevées. Ces alimentations sont particulièrement adaptées aux topologies à commutation dure telles que LLC et ZVS, offrant un meilleur rendement du système avec des composants plus petits pour des conceptions plus compactes à des coûts de système réduits et un rendement énergétique élevé.