Siliziumkarbid-Rohre

Silicon carbide (SiC) is an amazing material with remarkable strength and resilience. Able to endure high temperatures, harsh chemicals and corrosion resistance – these characteristics make SiC an unparalleled material. When selecting a silicon carbide tube for your project, several elements need to be taken into account such as temperature, pressure, corrosion-prone environment and size/shape. […]

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Siliziumkarbid-Transistor

Leistungsbauteile aus Siliziumkarbid spielen aufgrund ihrer hervorragenden Materialeigenschaften eine wesentliche Rolle bei der Verbesserung der Energieeffizienz von Elektrofahrzeugen. In seiner reinen Form verhält sich Siliziumkarbid wie ein Isolator; wird es jedoch mit Verunreinigungen (Dotierstoffen) dotiert, kann es sich in einen elektronischen Halbleiter verwandeln. Zu den Dotierstoffen für diesen Zweck gehören Stickstoff- oder Phosphordotierung für n-Typ

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Ist Siliziumkarbid ein keramisches Material?

Keramikprodukte aus Siliziumkarbid (SiC) sind für ihre Korrosions-, Abrieb- und Hochtemperaturbeständigkeit bekannt - Eigenschaften, die sie auch zu einem dauerhaften feuerfesten Material für Brennerdüsen, Strahl- und Flammrohre machen. SiC ist ein idealer Werkstoff, der seine Festigkeit auch bei Temperaturen von bis zu 1600 Grad Celsius beibehält und gleichzeitig eine hohe Wärmeleitfähigkeit, niedrige thermische

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Vereinigte Siliziumkarbid Inc.

United Silicon Carbide Inc, ist ein Hersteller von Halbleitern. Das Unternehmen stellt Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) wie FETs, JFETs und Schottky-Dioden für Kunden in New Jersey her. United Silicon Carbide beliefert auch Kunden auf der ganzen Welt über seine globalen Niederlassungen. Das Wachstum des Siliziumkarbidmarktes wird wahrscheinlich durch die steigende Nachfrage nach Hochleistungs-Leistungshalbleitern vorangetrieben.

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Vorteile der Siliziumkarbid-Diode

Siliziumkarbid-Dioden werden aufgrund ihrer höheren Leistung und ihres kleineren Formfaktors als Silizium-Bauelemente in einer Reihe von Schaltungsdesigns immer beliebter. Die SiC-Schottky-Barrier-Dioden von WeEn sind in verschiedenen Gehäusen erhältlich, von bedrahteten und verschraubten Ausführungen bis hin zu oberflächenmontierten SMD-Bauteilen, und werden umfangreichen Dauertests unterzogen, um sicherzustellen

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Reparatur von Siliziumkarbid-Heißflächenzündern

Der Heißflächenzünder (Hot Surface Igniter, HSI) dient als effektiver Ersatz für die Zündkerzen von Gasöfen, indem er von Niederspannungsstrom durchflossen und aufgeheizt wird. Sobald er auf seine Betriebstemperatur aufgeheizt ist, erzeugt ein HSI ein gleichgerichtetes Gleichstromsignal, um zu überprüfen, ob eine Flamme vorhanden ist, und um die Stellung des Hauptgasventils offen zu halten.

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Siliziumkarbid-Tiegel

Tiegel aus Siliziumkarbid eignen sich ideal für das Schmelzen und Gießen von Metallen, z. B. für das Schmelzen von Gold, Silber und Platin. Ihre Haltbarkeit hält hohen Temperaturen stand, so dass sie sich für Goldschmelzvorgänge eignen. Sie eignen sich für Stahl mit mittlerem Kohlenstoffgehalt, seltene Metalllegierungen und andere Nichteisenmetalle und sind verschleiß-, korrosions- und wärmebeständig.

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Silicon Carbide News

Silicon carbide is one of the hardest known substances, used as a synthetic abrasive and found naturally as moissanite in meteorites; it can also be mined. SiC’s wide bandgap properties allow it to minimize switching losses while supporting higher frequencies, making it ideal for use in high voltage power semiconductor devices like inverters in electric

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Silicon Carbide Compound for Power Electronics

Silicon Carbide (SiC) boasts exceptional properties that make it highly desired in many applications, from power electronics in electric vehicles to semiconductor electronics in general. SiC’s wide bandgap semiconductor properties boast lower resistance at higher temperatures for smaller and faster power conversion systems with greater energy efficiency. SiC is naturally found in minute quantities in

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