viden

Most hot surface igniters found on furnaces today are made from silicon carbide and run at 120 volts, but are prone to breaking if exposed to voltages outside their ideal range or handled roughly. Silicon nitride igniters are significantly tougher and longer-lasting than their silicon carbide predecessors, making them an attractive upsell option for customers […]

Silicon carbide is an extremely reliable wide band-gap semiconductor material. This allows devices made of it to operate at higher voltages, frequencies, and temperatures than conventional silicon devices. Monolayer SiC could be the catalyst to revolutionary advances in high-temperature electronics and power devices. It offers unmatched optical, mechanical, chemical and magnetic properties for unrivaled functionality

Amorphous silicon carbide (a-SiC) boasts impressive mechanical and strength properties that could revolutionize various industries. Its yield strength surpasses that of well-known materials like Kevlar, making it suitable for applications including microchip sensors and advanced solar cells. a-SiC stands out from its competition due to its superior tensile strength and versatility, being capable of fabrication

Coherent of Saxonburg, PA announced on April 8 that Japanese auto suppliers DENSO and Mitsubishi Electric have invested $1 billion into its silicon carbide business, holding a 12.5% non-controlling stake in a newly established subsidiary that will operate the business under Sohail Khan, Executive VP of New Ventures and Wide Bandgap Electronics Technology at Coherent.

Silicon carbide (SiC) is an amazing material with remarkable strength and resilience. Able to endure high temperatures, harsh chemicals and corrosion resistance – these characteristics make SiC an unparalleled material. When selecting a silicon carbide tube for your project, several elements need to be taken into account such as temperature, pressure, corrosion-prone environment and size/shape.

Power-enheder af siliciumcarbid spiller en vigtig rolle i forbedringen af elbilers energieffektivitet på grund af deres fremragende materialeegenskaber. Siliciumcarbid i sin rene form opfører sig som en isolator, men når det dopes med urenheder (dopingstoffer), kan det omdannes til en elektronisk halvleder. Dopingsmidler til denne brug omfatter nitrogen- eller fosfordoping til n-type

Keramiske produkter af siliciumcarbid (SiC) er velkendte for deres modstandsdygtighed over for korrosion, slid og høje temperaturer - egenskaber, der også gør dem til ildfaste materialer til brænderdyser, jet- og flammerør på lang sigt. SiC er et ideelt materiale, der bevarer sin styrke selv ved temperaturer helt op til 1600 grader, samtidig med at det har en høj varmeledningsevne, lav termisk

United Silicon Carbide Inc. er en producent af halvledere. Virksomheden producerer effekthalvledere af siliciumcarbid (SiC) som FET'er, JFET'er og Schottky-dioder til kunder i hele New Jersey. United Silicon Carbide betjener også kunder over hele verden gennem deres globale aktiviteter. Væksten på markedet for siliciumcarbid vil sandsynligvis blive drevet af stigende efterspørgsel efter højtydende effekthalvledere.

Siliciumcarbiddioder er blevet stadig mere populære i en række kredsløbsdesigns på grund af deres højere ydelsesniveauer og mindre formfaktor end siliciumenheder. WeEn's SiC Schottky Barrier Diodes kommer i forskellige pakker, der spænder fra leaded og bolt-on stilarter til overflademonterede SMD-enheder og er underlagt omfattende udholdenhedstest for at sikre

Hot surface igniter (HSI) fungerer som en effektiv erstatning for gasovnens tændrør ved at lade lavspændingselektricitet passere gennem den og varme den op. Når den er opvarmet til sin driftstemperatur, producerer en HSI et ensrettet DC-signal for at bekræfte, at der er en flamme til stede, og opretholde den åbne hovedgasventilposition.