viden

Most hot surface igniters found on furnaces today are made from silicon carbide and run at 120 volts, but are prone to breaking if exposed to voltages outside their ideal range or handled roughly. Silicon nitride igniters are significantly tougher and longer-lasting than their silicon carbide predecessors, making them an attractive upsell option for customers […]

Siliciumcarbid er et ekstremt pålideligt halvledermateriale med bredt båndgab. Det gør det muligt for enheder, der er fremstillet af det, at fungere ved højere spændinger, frekvenser og temperaturer end konventionelle siliciumenheder. Monolayer SiC kan være katalysator for revolutionerende fremskridt inden for højtemperaturelektronik og power-enheder. Det har uovertrufne optiske, mekaniske, kemiske og magnetiske egenskaber, som giver uovertruffen funktionalitet.

Amorft siliciumcarbid (a-SiC) har imponerende mekaniske og stærke egenskaber, der kan revolutionere forskellige industrier. Dets flydespænding overgår velkendte materialer som Kevlar, hvilket gør det velegnet til anvendelser som mikrochipsensorer og avancerede solceller. a-SiC skiller sig ud fra konkurrenterne på grund af sin overlegne trækstyrke og alsidighed, idet det kan fremstilles

Coherent i Saxonburg, PA, meddelte den 8. april, at de japanske billeverandører DENSO og Mitsubishi Electric har investeret $1 milliard i deres siliciumcarbidforretning og har en ikke-kontrollerende andel på 12,5% i et nyetableret datterselskab, som skal drive forretningen under Sohail Khan, Executive VP of New Ventures and Wide Bandgap Electronics Technology hos Coherent.

Silicon carbide (SiC) is an amazing material with remarkable strength and resilience. Able to endure high temperatures, harsh chemicals and corrosion resistance – these characteristics make SiC an unparalleled material. When selecting a silicon carbide tube for your project, several elements need to be taken into account such as temperature, pressure, corrosion-prone environment and size/shape.

Power-enheder af siliciumcarbid spiller en vigtig rolle i forbedringen af elbilers energieffektivitet på grund af deres fremragende materialeegenskaber. Siliciumcarbid i sin rene form opfører sig som en isolator, men når det dopes med urenheder (dopingstoffer), kan det omdannes til en elektronisk halvleder. Dopingsmidler til denne brug omfatter nitrogen- eller fosfordoping til n-type

Keramiske produkter af siliciumcarbid (SiC) er velkendte for deres modstandsdygtighed over for korrosion, slid og høje temperaturer - egenskaber, der også gør dem til ildfaste materialer til brænderdyser, jet- og flammerør på lang sigt. SiC er et ideelt materiale, der bevarer sin styrke selv ved temperaturer helt op til 1600 grader, samtidig med at det har en høj varmeledningsevne, lav termisk

United Silicon Carbide Inc. er en producent af halvledere. Virksomheden producerer effekthalvledere af siliciumcarbid (SiC) som FET'er, JFET'er og Schottky-dioder til kunder i hele New Jersey. United Silicon Carbide betjener også kunder over hele verden gennem deres globale aktiviteter. Væksten på markedet for siliciumcarbid vil sandsynligvis blive drevet af stigende efterspørgsel efter højtydende effekthalvledere.

Siliciumcarbiddioder er blevet stadig mere populære i en række kredsløbsdesigns på grund af deres højere ydelsesniveauer og mindre formfaktor end siliciumenheder. WeEn's SiC Schottky Barrier Diodes kommer i forskellige pakker, der spænder fra leaded og bolt-on stilarter til overflademonterede SMD-enheder og er underlagt omfattende udholdenhedstest for at sikre

Hot surface igniter (HSI) fungerer som en effektiv erstatning for gasovnens tændrør ved at lade lavspændingselektricitet passere gennem den og varme den op. Når den er opvarmet til sin driftstemperatur, producerer en HSI et ensrettet DC-signal for at bekræfte, at der er en flamme til stede, og opretholde den åbne hovedgasventilposition.